发明申请
WO2015047830A1 EXPOSURE ACTIVATED CHEMICALLY AMPLIFIED DIRECTED SELF-ASSEMBLY (DSA) FOR BACK END OF LINE (BEOL) PATTERN CUTTING AND PLUGGING
审中-公开
基本信息:
- 专利标题： EXPOSURE ACTIVATED CHEMICALLY AMPLIFIED DIRECTED SELF-ASSEMBLY (DSA) FOR BACK END OF LINE (BEOL) PATTERN CUTTING AND PLUGGING
- 专利标题（中）：用于线后退（BEOL）图案切割和插入的接触激活化学引导的自组装（DSA）
- 申请号：PCT/US2014/056126 申请日：2014-09-17
- 公开(公告)号：WO2015047830A1 公开(公告)日：2015-04-02
- 发明人： NYHUS, Paul A. , HAN, Eungnak , SIVAKUMAR, Swaminathan , PUTNA, Ernisse S.
- 申请人： INTEL CORPORATION
- 申请人地址： 2200 Mission College Boulevard M/S: RNB-4-150 Santa Clara, California 95054 US
- 专利权人： INTEL CORPORATION
- 当前专利权人： INTEL CORPORATION
- 当前专利权人地址： 2200 Mission College Boulevard M/S: RNB-4-150 Santa Clara, California 95054 US
- 代理机构： MALLIE, Michael J. et al.
- 优先权： US14/039,140 20130927
- 主分类号： H01L23/48
- IPC分类号： H01L23/48 ; H01L23/12
摘要：
Self-aligned via and plug patterning for back end of line (BEOL) interconnects are described. In an example, a structure for directed self-assembly includes a substrate and a block co-polymer structure disposed above the substrate. The block co-polymer structure has a polystyrene (PS) component and a polymethyl methacrylate (PMMA) component. One of the PS component or the PMMA component is photosensitive.
摘要（中）：
描述了用于后端（BEOL）互连的自对准通孔和插头图案。 在一个示例中，用于定向自组装的结构包括设置在衬底上方的衬底和嵌段共聚物结构。 嵌段共聚物结构具有聚苯乙烯（PS）组分和聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）组分。 PS组件或PMMA组件之一是光敏的。
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/48 | .用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线、接线端装置 |