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1. 发明申请

WO2008133040A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2008133040A1
公开(公告)日：2008-11-06
申请号：PCT/JP2008/057158
申请日：2008-04-11
申请人：株式会社ルネサステクノロジ , 鈴木州彦 , 藤戸正道 , 水野真
发明人：鈴木州彦 , 藤戸正道 , 水野真
IPC分类号： G11C29/04 , G01R31/28 , G11C16/06 , G11C17/00
CPC分类号： G11C16/0408 , G01R31/3004 , G11C11/41 , G11C29/50 , G11C2029/5006 , H01L22/14
摘要：　昇圧回路（４０）の昇圧電圧を受けるトランジスタ（Ｑｄｓ）にゲート破壊によるリーク電流を生じているか否かを検出するために、前記昇圧回路の昇圧動作が停止された状態で、外部電源電圧を受けて前記昇圧回路の昇圧電圧出力ノード（ＢＮ＿１）に定電流を供給する定電流回路（４６）と、前記定電流回路からの電流供給によって変化される前記昇圧電圧出力ノードの電圧をリファレンス電圧（Ｖｒｅｆ）と比較する比較回路（４７）とを設ける。比較回路により、昇圧電圧出力ノードの電圧が電源電圧よりも低い所定の電圧になったとき、前記リーク電流が発生していると判定することができる。これにより、高電圧を受けるトランジスタの破壊によって生ずるリーク電流を効率的に検出することができる。
摘要翻译：为了检测在接收升压电路（40）的升压电压的晶体管（Qds）中是否产生漏电流，半导体器件包括：恒流电路（46），其接收外部电源电压并且当升压电路的升压操作处于停止状态时，向升压电路的升压电压输出节点（BN_1）供给恒定电流; 以及比较电路（47），其执行由恒定电流电路的电源变化的升压电压输出节点电压与基准电压（Vref）之间的比较。当比较电路确定升压电压输出节点电压是低于电源电压的预定电压时，可以判断产生泄漏电流。因此，可以有效地检测由接收高电压的晶体管的破坏而产生的漏电流。

2. 发明申请

WO2003021603A1 半導体集積回路、半導体不揮発性メモリ、メモリカード及びマイクロコンピュータ审中-公开
标题翻译：半导体集成电路，半导体非易失性存储器，存储卡和微型计算机
公开(公告)号：WO2003021603A1
公开(公告)日：2003-03-13
申请号：PCT/JP2002/006709
申请日：2002-07-03
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ , 藤戸正道 , 中村悠子 , 鈴川一文 , 田中利広 , 品川裕
发明人：藤戸正道 , 中村悠子 , 鈴川一文 , 田中利広 , 品川裕
IPC分类号： G11C16/06
CPC分类号： G11C7/1057 , G11C7/1051 , G11C7/1096 , G11C7/12 , G11C8/08 , G11C16/08 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A semiconductor integrated circuit comprising a high voltage output driver (1) using high voltage as operation power, and a switching circuit (2) for switching the output state of the high voltage output driver. The high voltage output driver has a series circuit of a first MOS transistor (M1) and a second MOS transistor (M2) having a series contact point as an output terminal in a high voltage current path. When the switching circuit switches complementary switch states of the first MOS transistor and the second MOS transistor, one transistor in ON state is turned to OFF state first, and then, the other transistor is turned to ON state. When this MOS transistor is turned to ON state, no breakdown occurs in the high voltage output driver because the through current path is already disconnected even if Vds exceeds the breakdown minimum voltage.
摘要翻译：一种半导体集成电路，包括使用高电压作为工作电源的高电压输出驱动器（1）和用于切换高电压输出驱动器的输出状态的开关电路（2）。高电压输出驱动器具有在高电压电流路径中具有串联接点作为输出端的第一MOS晶体管（M1）和第二MOS晶体管（M2）的串联电路。当开关电路切换第一MOS晶体管和第二MOS晶体管的互补开关状态时，首先将处于导通状态的一个晶体管变为截止状态，然后另一个晶体管变为导通状态。当该MOS晶体管变为导通状态时，即使Vds超过击穿最小电压，通电路径也已经断开，因此在高电压输出驱动器中不发生击穿。

3. 发明申请

WO2003012878A1 半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件
公开(公告)号：WO2003012878A1
公开(公告)日：2003-02-13
申请号：PCT/JP2002/007371
申请日：2002-07-22
申请人：株式会社日立製作所 , 株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ , 田中利広 , 梅本由紀子 , 平木充 , 品川裕 , 藤戸正道 , 鈴川一文 , 谷川博之 , 山木貴志 , 神垣良昭 , 南眞一 , 片山弘造 , 松崎望
发明人：田中利広 , 梅本由紀子 , 平木充 , 品川裕 , 藤戸正道 , 鈴川一文 , 谷川博之 , 山木貴志 , 神垣良昭 , 南眞一 , 片山弘造 , 松崎望
IPC分类号： H01L29/788
CPC分类号： G11C16/26 , G11C5/025 , G11C8/08 , G11C16/04 , G11C16/0425 , G11C16/0433 , G11C16/08 , G11C16/24 , G11C16/30 , H01L21/28 , H01L21/28273 , H01L27/105 , H01L27/115 , H01L27/11521 , H01L27/11526 , H01L27/11546 , H01L29/42328 , H01L29/42332 , H01L29/4234 , H01L29/66825 , H01L29/7885 , H01L29/792
摘要： A semiconductor device has nonvolatile memory cells (1), each of which comprising a MOS type first transistor section (3) used for information storage and a MOS type second transistor section (4) selecting a first transistor section. The second transistor section has a bit line electrode (16) connected to a bit line and a control gate electrode (18) connected to a control gate control line. The first transistor section has a source line electrode (10) connected to a source line, memory gate electrode (14) connected to a memory gate control line, and charge accumulating region (11) disposed just under the memory gate electrode. The gate dielectric strength of the second transistor section is lower than that of the first transistor section. When the thickness of the gate insulation film of the second transistor section is (tc) and that of the first transistor section is (tm), the relation of (tc)
摘要翻译：半导体器件具有非易失性存储单元（1），每个非易失性存储单元包括用于信息存储的MOS型第一晶体管部分（3）和选择第一晶体管部分的MOS型第二晶体管部分（4）。第二晶体管部分具有连接到位线的位线电极（16）和连接到控制栅极控制线的控制栅电极（18）。第一晶体管部分具有连接到源极线的源极线电极（10），连接到存储器栅极控制线的存储栅极电极（14），以及设置在存储栅极电极正下方的电荷累积区域（11）。第二晶体管部分的栅介质强度低于第一晶体管部分的栅介质强度。当第二晶体管部分的栅极绝缘膜的厚度为（tc）且第一晶体管部分的厚度为（tm）时，（tc）<（tm）的关系成立。

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