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1. 发明申请

WO2003060974A1 半導体ウェーハ保護部材及び半導体ウェーハの研削方法审中-公开
标题翻译： SEMICONDUCTOR WAFER PROTECTION MEMORY AND SEMICONDUCTOR WAFER GRINDING METHOD
公开(公告)号：WO2003060974A1
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/JP2003/000126
申请日：2003-01-09
申请人：株式会社ディスコ , 矢嶋興一 , 木村祐輔
发明人：矢嶋興一 , 木村祐輔
IPC分类号： H01L21/304
CPC分类号： B24B7/228 , B24B41/06 , H01L21/6838
摘要： A grinder composed of at least a chuck table (17) having a suction region (1) and a frame (2) and grinding means (30) for grinding a semiconductor wafer (W) held on the chuck table (17) is used. When a semiconductor wafer (W) having an outside diameter D1 smaller than tat of the suction region (1) is ground, a semiconductor wafer (W) protective member (3) having an outside diameter D3 larger than the outside diameter D1 of the semiconductor wafer and larger than the diameter D2 of the suction region (1) is stuck on the side not to be ground of the semiconductor wafer (W). The whole surface of the semiconductor wafer (W) is held on the suction region (1), with the semiconductor wafer protective member (3) down. The exposed surface of the held semiconductor wafer (W) is ground by the grinding means (30). Thus the edge of the semiconductor wafer (W) is prevented from breaking, chipping and cracking.
摘要翻译：使用由至少具有吸引区域（1）和框架（2）的卡盘台（17）和用于研磨保持在卡盘台（17）上的半导体晶片（W））的研磨装置（30）构成的研磨机。当研磨具有比吸引区域（1）的tat小的外径D1的半导体晶片（W）时，具有比半导体的外径D1大的外径D3的半导体晶片（W）保护部件（3）晶片并且大于吸引区域（1）的直径D2被粘附在半导体晶片（W）的不被研磨的一侧。半导体晶片保护构件（3）向下，半导体晶片（W）的整个表面保持在吸入区域（1）上。被保持的半导体晶片（W）的露出表面被研磨装置（30）研磨。因此，防止半导体晶片（W）的边缘破裂，碎裂和破裂。

2. 发明申请

WO2003049164A1 半導体チップの製造方法审中-公开
标题翻译：半导体芯片生产方法
公开(公告)号：WO2003049164A1
公开(公告)日：2003-06-12
申请号：PCT/JP2002/011941
申请日：2002-11-15
申请人：株式会社ディスコ , 北村政彦 , 矢嶋興一 , 木村祐輔 , 田渕智隆
发明人：北村政彦 , 矢嶋興一 , 木村祐輔 , 田渕智隆
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/3043 , H01L21/78 , Y10S438/977
摘要： The front surface of a semiconductor wafer is pasted to a platy support member via adhesive tape (10) having an adhesion layer to be reduced in adhesion by an external factor, the rear surface of the semiconductor wafer is ground in that state, dicing tape is pasted to the ground rear surface of the semiconductor wafer with the outer periphery of the dicing tape supported on a dicing frame, and an external factor is allowed to act on the adhesion layer to lower the adhesion of the adhesion layer, whereby it is possible to remove the platy support member and the adhesive tape without damaging the the semiconductor wafer or a semiconductor chip.
摘要翻译：半导体晶片的前表面通过具有粘附层的粘合带（10）被粘贴到板状支撑构件上，以通过外部因素降低粘合力，在该状态下对半导体晶片的背面进行研磨，切割带为粘贴到半导体晶片的接地后表面，其中切割带的外周被支撑在切割框架上，并且允许外部因素作用于粘合层上以降低粘合层的粘合力，由此可以去除板状支撑构件和胶粘带，而不会损坏半导体晶片或半导体芯片。

3. 发明申请

WO2003067654A1 半導体チップピックアップ装置审中-公开
标题翻译：半导体芯片拾取器件
公开(公告)号：WO2003067654A1
公开(公告)日：2003-08-14
申请号：PCT/JP2003/001048
申请日：2003-02-03
申请人：株式会社ディスコ , 矢嶋興一 , 鶴島邦明
发明人：矢嶋興一 , 鶴島邦明
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L2221/68327 , Y10T29/53191
摘要： A semiconductor chip pickup device, comprising a support means for supporting a tape having a large number of semiconductor chips stuck on the front surface thereof, a pickup means for individually picking up the semiconductor chips from the front surface of the tape supported on the support means, the support means further comprising a plurality of support lines extending parallel with each other at specified intervals to support the rear surface of the tape, wherein a sucking means is disposed for separating the tape from the semiconductor chips in an area other than the support lines by sucking the rear surface of the tape.
摘要翻译：一种半导体芯片拾取装置，包括用于支撑粘附在其前表面上的具有大量半导体芯片的带的支撑装置，用于从支撑在支撑装置上的带的前表面单独拾取半导体芯片的拾取装置所述支撑装置还包括以规定的间隔彼此平行地延伸的多个支撑线，以支撑所述带的后表面，其中设置有吸引装置，用于在所述支撑线以外的区域中将所述带与所述半导体芯片分离通过吸附胶带的后表面。

4. 发明申请

WO2004036642A1 半導体ウエーハ保護ユニット及び半導体ウエーハ処理方法审中-公开
标题翻译：半导体波形保护器件和半导体波导处理方法
公开(公告)号：WO2004036642A1
公开(公告)日：2004-04-29
申请号：PCT/JP2003/002194
申请日：2003-02-27
申请人：株式会社ディスコ , 北村政彦 , 南條雅俊 , 矢嶋興一 , 波岡伸一
发明人：北村政彦 , 南條雅俊 , 矢嶋興一 , 波岡伸一
IPC分类号： H01L21/68
CPC分类号： H01L21/6836 , B24B7/228 , B24B37/042 , H01L21/67132 , H01L2221/68327
摘要：半導体ウエーハの裏面を研削してその厚さを著しく薄くした場合にも、半導体ウエーハを破損せしめることなく半導体ウエーハを所要とおりに取扱うことを可能にする半導体ウエーハ保護ユニット、及びかかる半導体ウエーハ保護ユニットを使用した半導体ウエーハ処理方法。半導体ウエーハ保護ユニットは、片面は粘着性を有する磁化テープと、少なくとも中央領域には多数の細孔が形成されている磁性基板とから構成されている。
摘要翻译：一种半导体晶片保护装置，其使半导体晶片能够根据需要进行处理，而不会损坏半导体晶片，即使其背面被研磨以大大减小其厚度，以及使用该半导体晶片保护装置的半导体晶片处理方法。该半导体晶片保护装置由磁化带构成，其一面为粘合剂，至少其中心区域具有多个孔的磁性基板。

5. 发明申请

WO2003085714A1 半導体チップの製造方法审中-公开
标题翻译：制造半导体芯片的方法
公开(公告)号：WO2003085714A1
公开(公告)日：2003-10-16
申请号：PCT/JP2003/004472
申请日：2003-04-09
申请人：積水化学工業株式会社 , 株式会社ディスコ , 福岡正輝 , 畠井宗宏 , 林聡史 , 大山康彦 , 壇上滋 , 北村政彦 , 矢嶋興一
发明人：福岡正輝 , 畠井宗宏 , 林聡史 , 大山康彦 , 壇上滋 , 北村政彦 , 矢嶋興一
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： H01L21/6835 , B24B7/228 , B24B41/068 , H01L21/304 , H01L21/67092 , H01L21/67132 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , Y10S438/977
摘要：ストリートによって区画された領域に回路が形成された半導体ウェーハＷを個々の回路ごとの半導体チップに分割する場合において、刺激によって粘着力が低下する粘着シートを介在させて支持板１３に半導体ウェーハＷの表面を貼着して半導体ウェーハＷの裏面１０を露出させ、支持板１３と一体となった半導体ウェーハＷの裏面１０を研磨し、研磨が終了し支持板１３と一体となった半導体ウェーハＷを、裏面１０を上に向けて保持した状態でダイシングして半導体チップＣに分割し、粘着シートに刺激を与えて粘着力を低下させ半導体チップＣを支持板１３から取り外す。半導体ウェーハ及び半導体チップが常に支持板に支持されているため、破損、変形等が生じるのを防止することができる。
摘要翻译：在由街道划分的区域中形成电路的半导体晶片（W）被分成具有单独电路的半导体芯片。通过在半导体晶片（W）和支撑板（13）之间插入通过刺激而降低粘合力的粘合片，半导体晶片（W）的前侧被粘附到支撑板（13）上，使背面（10）。将具有支撑板（13）的半导体晶片（W）的背面（10）研磨。研磨完成后，保持半导体晶片，背面（10）向上切割成半导体芯片。给予粘合片刺激以降低粘合力，并且将半导体芯片（C）从支撑板（13）移除。半导体晶片和半导体芯片总是由支撑板支撑，避免损坏或变形。

6. 发明申请

WO2003060972A1 ＩＣチップの製造方法审中-公开
标题翻译： IC芯片制造方法
公开(公告)号：WO2003060972A1
公开(公告)日：2003-07-24
申请号：PCT/JP2003/000238
申请日：2003-01-15
申请人：積水化学工業株式会社 , 株式会社ディスコ , 福岡正輝 , 大山康彦 , 畠井宗宏 , 林聡史 , 檀上滋 , 北村政彦 , 矢嶋興一
发明人：福岡正輝 , 大山康彦 , 畠井宗宏 , 林聡史 , 檀上滋 , 北村政彦 , 矢嶋興一
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： C09J5/08 , C09J7/38 , C09J2203/326 , C09J2205/102 , C09J2205/302 , H01L21/6835 , H01L21/6836 , H01L21/78 , H01L2221/68318 , H01L2221/68327
摘要： A method for manufacturing an IC chip in which the IC chip can be favorably processed by preventing a wafer from being broken and improving the handlability even if the thickness of the wafer is extremely decreased as small as about 50 microm. A wafer is fixed to a support plate through a support tape having a face composed of an adhesive (A) layer containing a gas evolving agent evolving a gas when stimulated and a face composed of an adhesive (B) layer, the wafer thus fixed is polished, a dicing tape is bonded to the polished wafer, the adhesive (A) layer is stimulated, the support tape is separated from the wafer, and the wafer is diced. At the step of fixing the wafer to the support plate, the face composed of the adhesive (A) layer is bonded to the wafer, and the face composed of the adhesive (B) layer is bonded to the support plate. At the steps of stimulating the adhesive (A) layer and separating the support tape from the wafer are carried out while the whole wafer is clamped by negative pressure suction from the dicing tape side.
摘要翻译：一种IC芯片的制造方法，其中，即使晶片的厚度极小地降低到约50微米，IC芯片可以通过防止晶片破裂而有利地加工，并提高可处理性。将晶片通过支撑带固定到支撑板上，所述支撑带具有由粘合剂（A）层构成的面，所述粘合剂层包含当被刺激时放出气体的气体放出剂和由粘合剂（B）层组成的面，所述固定的晶片为抛光后，将切割胶带粘合到抛光晶片上，刺激粘合剂（A）层，支撑带与晶片分离，并切割晶片。在将晶片固定到支撑板上的步骤中，将由粘合剂（A）层构成的面接合到晶片上，由粘合剂（B）层构成的面粘合到支撑板上。在从切割带侧通过负压抽吸将整个晶片夹紧的同时，进行刺激粘合剂层（A）层并将支撑带与晶片分离的步骤。

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