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1. 发明专利

TW201836180A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201836180A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107101004
申请日：2018-01-11
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L43/04 , H01L43/12
摘要：一種提昇取決於在與基板平行的方向上流動的電流的感度的縱型霍耳元件。縱型霍耳元件包括：第2導電型的半導體層，設置於半導體基板上；多個電極，於半導體層的表面，設置於直線上，包含濃度高於半導體層的濃度的第2導電型的雜質區域；多個第1導電型的電極分離擴散層，於半導體層的表面，分別設置於多個電極的各電極間，並將多個電極分別分離，多個電極包含作為驅動電流供給電極發揮功能的電極、及與驅動電流供給電極交替地配置的作為霍耳電壓輸出電極發揮功能的電極，霍耳電壓輸出電極具有第1深度，驅動電流供給電極具有比第1深度及電極分離擴散層的深度深的第2深度。
简体摘要：一种提升取决于在与基板平行的方向上流动的电流的感度的纵型霍耳组件。纵型霍耳组件包括：第2导电型的半导体层，设置于半导体基板上；多个电极，于半导体层的表面，设置于直在线，包含浓度高于半导体层的浓度的第2导电型的杂质区域；多个第1导电型的电极分离扩散层，于半导体层的表面，分别设置于多个电极的各电极间，并将多个电极分别分离，多个电极包含作为驱动电流供给电极发挥功能的电极、及与驱动电流供给电极交替地配置的作为霍耳电压输出电极发挥功能的电极，霍耳电压输出电极具有第1深度，驱动电流供给电极具有比第1深度及电极分离扩散层的深度深的第2深度。

2. 发明专利

TWI610473B 具可調強度之耦合自旋霍爾奈米震盪器有权
简体标题：具可调强度之耦合自旋霍尔奈米震荡器
公开(公告)号：TWI610473B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW104115018
申请日：2015-05-12
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：曼尼佩楚尼沙西坎斯 , MANIPATRUNI, SASIKANTH , 布瑞恩諾夫喬治 , BOURIANOFF, GEORGE I. , 尼可諾夫狄米崔 , NIKONOV, DMITRI E. , 楊艾恩 , YOUNG, IAN A.
IPC分类号： H01L43/04 , H01L43/14
CPC分类号： H03L7/26 , G11C11/161 , G11C11/1675 , G11C11/18 , H01L43/08 , H03B15/006

3. 发明专利

TW201644178A ＩＣ晶體發電機审中-公开
简体标题：ＩＣ晶体发电机
公开(公告)号：TW201644178A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW104119077
申请日：2015-06-12
申请人：謝禎輝
发明人：謝禎輝
IPC分类号： H02N11/00 , H01L43/04
摘要：本發明係揭露一種IC晶體發電機，其包括兩對稱配置，且可相對旋轉運動之磁石板與電路板；以及複數匹配且對應磁石板與電路板設置之磁石與IC晶片。該IC晶片係為一積體電路；包含依序電性串聯之一電源輸入端點、一霍爾感應單元、一差動放大單元、一遲滯比較單元、以及至少一電源輸出端點。藉由上述構件之組成，於磁石板與電路板相對旋轉運動時，各IC晶片之霍爾感應單元受磁石之磁性觸發，以輸出一電力信號，並經差動放大單元、遲滯比較單元等，將該電力信號放大後，由電源輸出端點輸出，提供後端收集該電力信號。
简体摘要：本发明系揭露一种IC晶体发电机，其包括两对称配置，且可相对旋转运动之磁石板与电路板；以及复数匹配且对应磁石板与电路板设置之磁石与IC芯片。该IC芯片系为一集成电路；包含依序电性串联之一电源输入端点、一霍尔感应单元、一差动放大单元、一迟滞比较单元、以及至少一电源输出端点。借由上述构件之组成，于磁石板与电路板相对旋转运动时，各IC芯片之霍尔感应单元受磁石之磁性触发，以输出一电力信号，并经差动放大单元、迟滞比较单元等，将该电力信号放大后，由电源输出端点输出，提供后端收集该电力信号。

4. 发明专利

TW201644077A 磁性感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW201644077A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105104622
申请日：2016-02-17
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/14 , G01R33/00 , G01R33/07
摘要：在配置由霍爾元件或電路等所成之半導體基板的封裝體的晶粒焊墊，形成以與磁會聚板相同的形狀及大小呈凹陷的圖案亦即磁會聚板層夾，在該處插入以與形成有霍爾元件或電路的半導體基板為不同的工程所製作的磁會聚板，在其上以由霍爾元件或電路等所成之半導體基板的背面面向晶粒焊墊及磁會聚板的方式作配置之磁性感測器及其製造方法。
简体摘要：在配置由霍尔组件或电路等所成之半导体基板的封装体的晶粒焊垫，形成以与磁会聚板相同的形状及大小呈凹陷的图案亦即磁会聚板层夹，在该处插入以与形成有霍尔组件或电路的半导体基板为不同的工程所制作的磁会聚板，在其上以由霍尔组件或电路等所成之半导体基板的背面面向晶粒焊垫及磁会聚板的方式作配置之磁性传感器及其制造方法。

5. 发明专利

TW201436313A 磁性感應器及磁性感應器裝置、磁性感應器之製造方法审中-公开
简体标题：磁性感应器及磁性感应器设备、磁性感应器之制造方法
公开(公告)号：TW201436313A
公开(公告)日：2014-09-16
申请号：TW102145196
申请日：2013-12-09
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI , 長谷川秀則 , HASEGAWA, HIDENORI
IPC分类号： H01L43/04 , G01R33/07
CPC分类号： G01R33/07 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/97 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：本發明之磁性感應器包括：片狀件(10)；複數個引線端子(22)~(25)，其等配置於片狀件(10)之周圍；複數條金屬細線(31)~(34)，其等將片狀件(10)所具有之複數個電極部與各引線端子(22)~(25)分別電性連接；絕緣膏(40)，其覆蓋片狀件(10)之背面；及成型樹脂(50)，其覆蓋片狀件(10)與複數條金屬細線(31)~(34)。絕緣膏(40)之至少一部分、及各引線端子(22)~(25)之背面之至少一部分係自成型樹脂(50)分別露出。
简体摘要：本发明之磁性感应器包括：片状件(10)；复数个引线端子(22)~(25)，其等配置于片状件(10)之周围；复数条金属细线(31)~(34)，其等将片状件(10)所具有之复数个电极部与各引线端子(22)~(25)分别电性连接；绝缘膏(40)，其覆盖片状件(10)之背面；及成型树脂(50)，其覆盖片状件(10)与复数条金属细线(31)~(34)。绝缘膏(40)之至少一部分、及各引线端子(22)~(25)之背面之至少一部分系自成型树脂(50)分别露出。

6. 发明专利

TWI675213B 磁性感測器及其製造方法有权
简体标题：磁性传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI675213B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW105103148
申请日：2016-02-01
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： G01R33/07 , G01R33/00 , H01L43/14 , H01L43/04 , H01L43/06

7. 发明专利

TWI616006B 磁性感測器有权
简体标题：磁性传感器
公开(公告)号：TWI616006B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW103119283
申请日：2013-10-25
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI , 長谷川秀則 , HASEGAWA, HIDENORI
IPC分类号： H01L43/04 , G01R33/07
CPC分类号： H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/4903 , H01L2224/73265 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/12032 , H01L2924/00014 , H01L2924/00

8. 发明专利

TW201739076A 用於將自旋霍爾ＭＴＪ裝置嵌入到邏輯處理器中的方法及所造成的結構审中-公开
简体标题：用于将自旋霍尔ＭＴＪ设备嵌入到逻辑处理器中的方法及所造成的结构
公开(公告)号：TW201739076A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106103002
申请日：2017-01-25
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：李凱文 , LEE, KEVIN J. , 王奕 , WANG, YIH
IPC分类号： H01L43/04 , H01L21/8239 , G11C11/18
CPC分类号： H01L27/228 , G11C11/161 , G11C11/18 , H01L43/065 , H01L43/08 , H01L43/12 , H01L43/14
摘要：說明了用於將自旋霍爾MTJ裝置嵌入到邏輯處理器中的方法及所造成的結構。在範例中，邏輯處理器可包括邏輯區域，其包括配置在介電層中的鰭式FET電晶體，該介電層配置在基板上面。邏輯處理器亦包括記憶體陣列，其包括複數個2電晶體1磁穿隧接面(MTJ)自旋霍爾電極(2T-1MTJ SHE)位元胞。2T-1MTJ SHE位元胞之電晶體為配置在介電層中的鰭式FET電晶體。
简体摘要：说明了用于将自旋霍尔MTJ设备嵌入到逻辑处理器中的方法及所造成的结构。在范例中，逻辑处理器可包括逻辑区域，其包括配置在介电层中的鳍式FET晶体管，该介电层配置在基板上面。逻辑处理器亦包括内存数组，其包括复数个2晶体管1磁穿隧接面(MTJ)自旋霍尔电极(2T-1MTJ SHE)比特胞。2T-1MTJ SHE比特胞之晶体管为配置在介电层中的鳍式FET晶体管。

9. 发明专利

TW201704768A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201704768A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105106510
申请日：2016-03-03
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： G01R33/00 , H01L43/06 , H01L27/22 , H01L43/04
CPC分类号： H01L43/04 , G01R33/0011 , H01L27/22 , H01L43/065
摘要：本發明係一種半導體裝置，其中，具有檢出磁性的方向之磁性感測器的半導體裝置，其特徵為經由為磁性體之磁性收斂板的應力為小者。具備加以設置於半導體基板表面之電洞元件和至少部分性地被覆各前述電洞元件，具有磁性放大機能之磁性體所成之磁性收斂板的磁性感測器，對於前述磁性體係放入有縫隙或槽，抑制產生於電洞元件之應力。
简体摘要：本发明系一种半导体设备，其中，具有检出磁性的方向之磁性传感器的半导体设备，其特征为经由为磁性体之磁性收敛板的应力为小者。具备加以设置于半导体基板表面之电洞组件和至少部分性地被覆各前述电洞组件，具有磁性放大机能之磁性体所成之磁性收敛板的磁性传感器，对于前述磁性体系放入有缝隙或槽，抑制产生于电洞组件之应力。

10. 发明专利

TW201601361A 霍爾感測器审中-公开
简体标题：霍尔传感器
公开(公告)号：TW201601361A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104109040
申请日：2015-03-20
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI , 笠松新 , KASAMATSU, ARATA
IPC分类号： H01L43/06 , H01L43/04
CPC分类号： H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/4903 , H01L2224/97 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014
摘要：本發明之目的在於提供一種霍爾感測器，其係即使於使無島構造之霍爾感測器中GaAs霍爾元件小型薄型化之情形時，亦可防止洩漏電流之增大。本發明之霍爾感測器包含：GaAs霍爾元件10，其包含其設置於GaAs基板11上之感磁部12、電極13a~13d、及設置於GaAs基板11之與設置有電極13a~13d之面相反側之面側之保護層40；導線端子22~25，其配置於GaAs霍爾元件10之周圍；金屬細線31~34，其分別電性連接電極13a~13d與導線端子22~25；模製構件50，其將該等予以模製。保護層40及導線端子22~25之第1面(即，與連接於金屬細線31~34之面相反側之面)自模製構件50之相同面露出。GaAs基板11之電阻率係5.0×107Ω．cm以上。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种霍尔传感器，其系即使于使无岛构造之霍尔传感器中GaAs霍尔组件小型薄型化之情形时，亦可防止泄漏电流之增大。本发明之霍尔传感器包含：GaAs霍尔组件10，其包含其设置于GaAs基板11上之感磁部12、电极13a~13d、及设置于GaAs基板11之与设置有电极13a~13d之面相反侧之面侧之保护层40；导线端子22~25，其配置于GaAs霍尔组件10之周围；金属细线31~34，其分别电性连接电极13a~13d与导线端子22~25；模制构件50，其将该等予以模制。保护层40及导线端子22~25之第1面(即，与连接于金属细线31~34之面相反侧之面)自模制构件50之相同面露出。GaAs基板11之电阻率系5.0×107Ω．cm以上。

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