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1. 发明专利

TW201840023A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201840023A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW107112480
申请日：2018-04-12
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：小川洋平 , OGAWA, YOHEI , 飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L43/04 , H01L29/84
摘要：本發明提供一種具有可更確實地抑制空乏層向磁感受部的擴展且減少特性不均的霍耳元件的半導體裝置。本發明的半導體裝置包括第一導電型半導體基板、及設置於半導體基板上的霍耳元件，霍耳元件包括：第二導電型磁感受部，與半導體基板隔開而設置於半導體基板上；以及第二導電型半導體層，以包圍磁感受部的側面及底面的方式設置於半導體基板上，濃度低於磁感受部且濃度分佈為固定。
简体摘要：本发明提供一种具有可更确实地抑制空乏层向磁感受部的扩展且减少特性不均的霍耳组件的半导体设备。本发明的半导体设备包括第一导电型半导体基板、及设置于半导体基板上的霍耳组件，霍耳组件包括：第二导电型磁感受部，与半导体基板隔开而设置于半导体基板上；以及第二导电型半导体层，以包围磁感受部的侧面及底面的方式设置于半导体基板上，浓度低于磁感受部且浓度分布为固定。

2. 发明专利

TWI668809B 霍爾元件有权
简体标题：霍尔组件
公开(公告)号：TWI668809B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW105100388
申请日：2016-01-07
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： H01L23/06 , G01R33/07

3. 发明专利

TW201833579A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201833579A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107100795
申请日：2018-01-09
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI
IPC分类号： G01R33/07 , H01L43/04
摘要：一種高感度且可進行偏移消除的縱型霍耳元件。縱型霍耳元件包括：第2導電型的半導體層，設置於第1導電型的半導體基板上；第1電極組，於半導體層的表面，於在第1方向上延伸的直線上依次配置有第1驅動電流供給電極、霍耳電壓輸出電極、及第2驅動電流供給電極；第2電極組至第5電極組，具有與第1電極組相同的構成，於在與第1方向垂直的第2方向上延伸的直線上，與第1電極組並列設置；四個第1導電型的電極分離擴散層，於半導體層的表面，以將第1電極組至第5電極組中的鄰接的電極組間分別分離的方式設置，霍耳電壓輸出電極具有第1深度，且第1驅動電流供給電極及第2驅動電流供給電極具有比第1深度及電極分離擴散層的深度深的第2深度。
简体摘要：一种高感度且可进行偏移消除的纵型霍耳组件。纵型霍耳组件包括：第2导电型的半导体层，设置于第1导电型的半导体基板上；第1电极组，于半导体层的表面，于在第1方向上延伸的直在线依次配置有第1驱动电流供给电极、霍耳电压输出电极、及第2驱动电流供给电极；第2电极组至第5电极组，具有与第1电极组相同的构成，于在与第1方向垂直的第2方向上延伸的直在线，与第1电极组并列设置；四个第1导电型的电极分离扩散层，于半导体层的表面，以将第1电极组至第5电极组中的邻接的电极组间分别分离的方式设置，霍耳电压输出电极具有第1深度，且第1驱动电流供给电极及第2驱动电流供给电极具有比第1深度及电极分离扩散层的深度深的第2深度。

4. 发明专利

TW201836180A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201836180A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW107101004
申请日：2018-01-11
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L43/04 , H01L43/12
摘要：一種提昇取決於在與基板平行的方向上流動的電流的感度的縱型霍耳元件。縱型霍耳元件包括：第2導電型的半導體層，設置於半導體基板上；多個電極，於半導體層的表面，設置於直線上，包含濃度高於半導體層的濃度的第2導電型的雜質區域；多個第1導電型的電極分離擴散層，於半導體層的表面，分別設置於多個電極的各電極間，並將多個電極分別分離，多個電極包含作為驅動電流供給電極發揮功能的電極、及與驅動電流供給電極交替地配置的作為霍耳電壓輸出電極發揮功能的電極，霍耳電壓輸出電極具有第1深度，驅動電流供給電極具有比第1深度及電極分離擴散層的深度深的第2深度。
简体摘要：一种提升取决于在与基板平行的方向上流动的电流的感度的纵型霍耳组件。纵型霍耳组件包括：第2导电型的半导体层，设置于半导体基板上；多个电极，于半导体层的表面，设置于直在线，包含浓度高于半导体层的浓度的第2导电型的杂质区域；多个第1导电型的电极分离扩散层，于半导体层的表面，分别设置于多个电极的各电极间，并将多个电极分别分离，多个电极包含作为驱动电流供给电极发挥功能的电极、及与驱动电流供给电极交替地配置的作为霍耳电压输出电极发挥功能的电极，霍耳电压输出电极具有第1深度，驱动电流供给电极具有比第1深度及电极分离扩散层的深度深的第2深度。

5. 发明专利

TWI675213B 磁性感測器及其製造方法有权
简体标题：磁性传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI675213B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW105103148
申请日：2016-02-01
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： G01R33/07 , G01R33/00 , H01L43/14 , H01L43/04 , H01L43/06

6. 发明专利

TWI668886B 垂直型霍爾元件有权
简体标题：垂直型霍尔组件
公开(公告)号：TWI668886B
公开(公告)日：2019-08-11
申请号：TW104136510
申请日：2015-11-05
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：鈴木聡之 , SUZUKI, SATOSHI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA , 飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L43/06

7. 发明专利

TWI683119B 霍爾感測器及藉由霍爾感測器之溫度分布所為之偏置的補償方法有权
简体标题：霍尔传感器及借由霍尔传感器之温度分布所为之偏置的补偿方法
公开(公告)号：TWI683119B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW104137910
申请日：2015-11-17
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 秋野勝 , AKINO, MASARU
IPC分类号： G01R33/07 , G01R33/00

8. 发明专利

TW201947794A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201947794A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108116453
申请日：2019-05-13
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L43/06 , G01R33/07 , G01R33/02
摘要：本發明的霍耳元件包括：磁敏部20，包含設置於第一導電型的半導體基板10的第二導電型的雜質擴散層且俯視時具有四個端部；以及四個電極31～電極34，包含分別設置於磁敏部的表面中的四個端部且濃度較磁敏部高的第二導電型的雜質擴散層；作為磁敏部的雜質擴散層具有距半導體基板的表面的第一深度D1，具有從半導體基板的表面到較第一深度淺的第二深度D2為止第二導電型的雜質濃度朝向深度方向增高的第一濃度梯度S1，且具有從第二深度到第一深度為止第二導電型的雜質濃度朝向深度方向降低的第二濃度梯度S2，第二深度為第一深度的一半以下，第一濃度梯度較第二濃度梯度陡峭。
简体摘要：本发明的霍耳组件包括：磁敏部20，包含设置于第一导电型的半导体基板10的第二导电型的杂质扩散层且俯视时具有四个端部；以及四个电极31～电极34，包含分别设置于磁敏部的表面中的四个端部且浓度较磁敏部高的第二导电型的杂质扩散层；作为磁敏部的杂质扩散层具有距半导体基板的表面的第一深度D1，具有从半导体基板的表面到较第一深度浅的第二深度D2为止第二导电型的杂质浓度朝向深度方向增高的第一浓度梯度S1，且具有从第二深度到第一深度为止第二导电型的杂质浓度朝向深度方向降低的第二浓度梯度S2，第二深度为第一深度的一半以下，第一浓度梯度较第二浓度梯度陡峭。

9. 发明专利

TWI675500B 磁性感測器及其製造方法有权
简体标题：磁性传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI675500B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW105104622
申请日：2016-02-17
申请人：日商艾普凌科有限公司 , ABLIC INC.
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/14 , G01R33/00 , G01R33/07

10. 发明专利

TW201828513A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201828513A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106135587
申请日：2017-10-18
申请人：日商艾普凌科有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： H01L43/06 , H01L27/22 , G01R33/07
摘要：本發明提供一種具有提昇感度的縱型霍爾元件的半導體裝置。所述縱型霍爾元件包括：第2導電型的半導體層，設置於半導體基板上；多個電極，於半導體層的表面上設置於一直線上，包含濃度高於半導體層的第2導電型的雜質區域；多個第1導電型的電極分離擴散層，於半導體層的表面上，分別設置於多個電極的各電極間，且分別將多個電極分離；以及埋入層，分別設置於電極分離擴散層各者的大致正下方的半導體基板與半導體層之間，包含濃度高於半導體層的第2導電型的雜質區域。
简体摘要：本发明提供一种具有提升感度的纵型霍尔组件的半导体设备。所述纵型霍尔组件包括：第2导电型的半导体层，设置于半导体基板上；多个电极，于半导体层的表面上设置于一直在线，包含浓度高于半导体层的第2导电型的杂质区域；多个第1导电型的电极分离扩散层，于半导体层的表面上，分别设置于多个电极的各电极间，且分别将多个电极分离；以及埋入层，分别设置于电极分离扩散层各者的大致正下方的半导体基板与半导体层之间，包含浓度高于半导体层的第2导电型的杂质区域。

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