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1. 发明专利

TW201643459A 磁性感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW201643459A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105103148
申请日：2016-02-01
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： G01R33/07 , G01R33/00 , H01L43/14 , H01L43/04 , H01L43/06
摘要：提供在形成有霍爾元件或電路之基板上縮小位置偏差地配置高磁導率且保磁力小之磁性收斂板，且抑制作業工程增加的磁性感測器以及其製造方法。為一種磁性感測器及其製造方法，係在矽基板上形成霍爾元件或電路之工程中，形成由與磁性收斂板相同之形狀及大小的凹陷圖案所構成之磁性收斂板座，且在上述磁性收斂板座插入以與形成有霍爾元件或電路之矽基板不同的工程所製作出的磁性收斂板。
简体摘要：提供在形成有霍尔组件或电路之基板上缩小位置偏差地配置高磁导率且保磁力小之磁性收敛板，且抑制作业工程增加的磁性传感器以及其制造方法。为一种磁性传感器及其制造方法，系在硅基板上形成霍尔组件或电路之工程中，形成由与磁性收敛板相同之形状及大小的凹陷图案所构成之磁性收敛板座，且在上述磁性收敛板座插入以与形成有霍尔组件或电路之硅基板不同的工程所制作出的磁性收敛板。

2. 发明专利

TW201801361A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201801361A
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW106108294
申请日：2017-03-14
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：岸松雄 , KISHI, MATSUO , 高浜未英 , TAKAHAMA, MIEI , 高橋寛 , TAKAHASHI, HIROSHI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA , 飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L43/06 , G01R33/07
CPC分类号： H01L27/22 , G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/10 , H01L43/14
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，所述半導體裝置的特徵在於包括：半導體基板，設置有多個霍爾元件；以及磁體，設置於所述半導體基板上，具有磁會聚功能；且在所述半導體基板上的所述磁體的縱剖面外形形狀中，在其外周部的至少一部分包含具有曲線形狀的部分、以及與所述半導體基板大致平行的部分，在所述磁體內部嵌入有包含非磁性物質的構造體的至少一部分。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法，所述半导体设备的特征在于包括：半导体基板，设置有多个霍尔组件；以及磁体，设置于所述半导体基板上，具有磁会聚功能；且在所述半导体基板上的所述磁体的纵剖面外形形状中，在其外周部的至少一部分包含具有曲线形状的部分、以及与所述半导体基板大致平行的部分，在所述磁体内部嵌入有包含非磁性物质的构造体的至少一部分。

3. 发明专利

TW201735410A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201735410A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106107878
申请日：2017-03-10
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：岸松雄 , KISHI, MATSUO , 高浜未英 , TAKAHAMA, MIEI , 高橋寛 , TAKAHASHI, HIROSHI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA , 飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI
IPC分类号： H01L43/04 , H01L43/06
CPC分类号： H01L27/22 , G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/14
摘要：本發明提供一種半導體裝置及其製造方法，所述半導體裝置的特徵在於包括：半導體基板，設置有多個霍爾元件；以及磁體，設置於所述半導體基板上，且具有磁會聚功能；並且在所述半導體基板上的所述磁體的縱剖面外形形狀中，在其外周部的至少一部分包含具有大致1/4圓形狀的部分、以及作為與所述部分相連的部分而與所述半導體基板大致平行的部分。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备及其制造方法，所述半导体设备的特征在于包括：半导体基板，设置有多个霍尔组件；以及磁体，设置于所述半导体基板上，且具有磁会聚功能；并且在所述半导体基板上的所述磁体的纵剖面外形形状中，在其外周部的至少一部分包含具有大致1/4圆形状的部分、以及作为与所述部分相连的部分而与所述半导体基板大致平行的部分。

4. 发明专利

TW201824596A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201824596A
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW106137410
申请日：2017-10-30
申请人：日商精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： H01L43/06 , H01L27/22
摘要：一種具有能夠有效地將偏移電壓去除的縱型霍爾元件的半導體裝置，其具備：第2導電型的半導體層，設置於第1導電型的半導體基板上；高濃度的第2導電型的多個電極，彼此具有大致相同的形狀，且空開第1間隔沿直線設置於半導體層的表面；多個電極分離層，分別設置於多個電極的各電極間，分別將多個電極分離，彼此具有大致相同的形狀，且空開第2間隔而設置；以及第1附加層及第2附加層，分別沿著位於兩端的電極的外側的所述直線而設置，且具有與電極分離層大致相同的結構，第1附加層自與位於兩端的電極中的一個電極相鄰的電極分離層起空開第2間隔而配置，第2附加層自與位於兩端的電極中的另一個電極相鄰的電極分離層起空開第2間隔而配置。
简体摘要：一种具有能够有效地将偏移电压去除的纵型霍尔组件的半导体设备，其具备：第2导电型的半导体层，设置于第1导电型的半导体基板上；高浓度的第2导电型的多个电极，彼此具有大致相同的形状，且空开第1间隔沿直线设置于半导体层的表面；多个电极分离层，分别设置于多个电极的各电极间，分别将多个电极分离，彼此具有大致相同的形状，且空开第2间隔而设置；以及第1附加层及第2附加层，分别沿着位于两端的电极的外侧的所述直线而设置，且具有与电极分离层大致相同的结构，第1附加层自与位于两端的电极中的一个电极相邻的电极分离层起空开第2间隔而配置，第2附加层自与位于两端的电极中的另一个电极相邻的电极分离层起空开第2间隔而配置。

5. 发明专利

TW201644077A 磁性感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW201644077A
公开(公告)日：2016-12-16
申请号：TW105104622
申请日：2016-02-17
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： H01L43/04 , H01L43/06 , H01L43/14 , G01R33/00 , G01R33/07
摘要：在配置由霍爾元件或電路等所成之半導體基板的封裝體的晶粒焊墊，形成以與磁會聚板相同的形狀及大小呈凹陷的圖案亦即磁會聚板層夾，在該處插入以與形成有霍爾元件或電路的半導體基板為不同的工程所製作的磁會聚板，在其上以由霍爾元件或電路等所成之半導體基板的背面面向晶粒焊墊及磁會聚板的方式作配置之磁性感測器及其製造方法。
简体摘要：在配置由霍尔组件或电路等所成之半导体基板的封装体的晶粒焊垫，形成以与磁会聚板相同的形状及大小呈凹陷的图案亦即磁会聚板层夹，在该处插入以与形成有霍尔组件或电路的半导体基板为不同的工程所制作的磁会聚板，在其上以由霍尔组件或电路等所成之半导体基板的背面面向晶粒焊垫及磁会聚板的方式作配置之磁性传感器及其制造方法。

6. 发明专利

TW201637137A 霍爾元件审中-公开
简体标题：霍尔组件
公开(公告)号：TW201637137A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105100388
申请日：2016-01-07
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： H01L23/06 , G01R33/07
CPC分类号： G01R33/077 , G01R33/075
摘要：為一種被積體在同時檢測出水平方向磁場和垂直方向磁場之一個基板上的霍爾元件，其係藉由對旋轉電流進行切換的旋轉開關而能夠取消偏置，該霍爾元件具有：由P型之矽所構成之P型半導體基板層(100)和被設置在上述P型半導體基板層上之垂直磁場檢測N型雜質區域(110)，和從包圍上述垂直磁場檢測N型雜質區域而對稱地配置的8個水平磁場檢測N型雜質區域(120、121)所構成，具有4次旋轉軸。
简体摘要：为一种被积体在同时检测出水平方向磁场和垂直方向磁场之一个基板上的霍尔组件，其系借由对旋转电流进行切换的旋转开关而能够取消偏置，该霍尔组件具有：由P型之硅所构成之P型半导体基板层(100)和被设置在上述P型半导体基板层上之垂直磁场检测N型杂质区域(110)，和从包围上述垂直磁场检测N型杂质区域而对称地配置的8个水平磁场检测N型杂质区域(120、121)所构成，具有4次旋转轴。

7. 发明专利

TW201803165A 磁性感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW201803165A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106108271
申请日：2017-03-14
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA , 高橋寛 , TAKAHASHI, HIROSHI , 岸松雄 , KISHI, MATSUO , 高浜未英 , TAKAHAMA, MIEI
IPC分类号： H01L43/06 , H01L43/14 , G01R33/07
CPC分类号： H01L43/065 , G01R33/0052 , G01R33/07 , H01L43/14
摘要：本發明提供磁性感測器及其製造方法。磁性感測器包括：表面具備霍耳元件的半導體基板，設置於半導體基板的背面上的導電層，以及設置於導電層上的磁性收斂板。磁性收斂板藉由如下而形成於半導體基板的背面上，即，在半導體基板的背面上形成基底導電層，在基底導電層上形成具有磁性收斂板形成用的開口的抗蝕劑，利用電鍍在抗蝕劑的開口內形成磁性收斂板，將抗蝕劑去除，將磁性收斂板作為遮罩而將基底導電層的一部分蝕刻去除。
简体摘要：本发明提供磁性传感器及其制造方法。磁性传感器包括：表面具备霍耳组件的半导体基板，设置于半导体基板的背面上的导电层，以及设置于导电层上的磁性收敛板。磁性收敛板借由如下而形成于半导体基板的背面上，即，在半导体基板的背面上形成基底导电层，在基底导电层上形成具有磁性收敛板形成用的开口的抗蚀剂，利用电镀在抗蚀剂的开口内形成磁性收敛板，将抗蚀剂去除，将磁性收敛板作为遮罩而将基底导电层的一部分蚀刻去除。

8. 发明专利

TW201704768A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201704768A
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW105106510
申请日：2016-03-03
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： G01R33/00 , H01L43/06 , H01L27/22 , H01L43/04
CPC分类号： H01L43/04 , G01R33/0011 , H01L27/22 , H01L43/065
摘要：本發明係一種半導體裝置，其中，具有檢出磁性的方向之磁性感測器的半導體裝置，其特徵為經由為磁性體之磁性收斂板的應力為小者。具備加以設置於半導體基板表面之電洞元件和至少部分性地被覆各前述電洞元件，具有磁性放大機能之磁性體所成之磁性收斂板的磁性感測器，對於前述磁性體係放入有縫隙或槽，抑制產生於電洞元件之應力。
简体摘要：本发明系一种半导体设备，其中，具有检出磁性的方向之磁性传感器的半导体设备，其特征为经由为磁性体之磁性收敛板的应力为小者。具备加以设置于半导体基板表面之电洞组件和至少部分性地被覆各前述电洞组件，具有磁性放大机能之磁性体所成之磁性收敛板的磁性传感器，对于前述磁性体系放入有缝隙或槽，抑制产生于电洞组件之应力。

9. 发明专利

TW201822346A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201822346A
公开(公告)日：2018-06-16
申请号：TW106135569
申请日：2017-10-18
申请人：日商精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA
IPC分类号： H01L27/22 , H01L43/14 , G01R33/07
摘要：一種縱型霍爾元件，其提昇由朝與基板平行的方向流動的電流所產生的感度、且減小偏移電壓，其包括：第2導電型的半導體層，設置於第1導電型的半導體基板上，且濃度分佈固定；第2導電型的雜質擴散層，設置於半導體層上，且濃度高於半導體層；多個電極，於雜質擴散層的表面上設置於一直線上，且包含濃度高於雜質擴散層的第2導電型的雜質區域；以及多個第1導電型的電極分離擴散層，於雜質擴散層的表面上，分別設置於多個電極的各電極間，且分別將多個電極分離。
简体摘要：一种纵型霍尔组件，其提升由朝与基板平行的方向流动的电流所产生的感度、且减小偏移电压，其包括：第2导电型的半导体层，设置于第1导电型的半导体基板上，且浓度分布固定；第2导电型的杂质扩散层，设置于半导体层上，且浓度高于半导体层；多个电极，于杂质扩散层的表面上设置于一直在线，且包含浓度高于杂质扩散层的第2导电型的杂质区域；以及多个第1导电型的电极分离扩散层，于杂质扩散层的表面上，分别设置于多个电极的各电极间，且分别将多个电极分离。

10. 发明专利

TW201735338A 磁性感測器及其製造方法审中-公开
简体标题：磁性传感器及其制造方法
公开(公告)号：TW201735338A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW106107897
申请日：2017-03-10
申请人：精工半導體有限公司 , SII SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：飛岡孝明 , HIOKA, TAKAAKI , 海老原美香 , EBIHARA, MIKA , 高橋寛 , TAKAHASHI, HIROSHI , 岸松雄 , KISHI, MATSUO , 高浜未英 , TAKAHAMA, MIEI
IPC分类号： H01L27/22 , H01L21/70
CPC分类号： G01R33/0052 , G01R33/07 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L43/14
摘要：磁性感測器包括：半導體基板，在表面具備霍耳元件；黏接層，設置於半導體基板的背面上；以及磁性收斂板，設置於黏接層上。磁性收斂板是利用電鍍形成於基底導電層上，所述基底導電層形成於與半導體基板分開準備的鍍敷用基板上，將成為所述黏接層的黏接劑塗佈於磁性收斂板表面而黏接於半導體基板背面，然後，將鍍敷用基板自磁性收斂板上的基底導電層剝離，由此形成於半導體基板的背面上。
简体摘要：磁性传感器包括：半导体基板，在表面具备霍耳组件；黏接层，设置于半导体基板的背面上；以及磁性收敛板，设置于黏接层上。磁性收敛板是利用电镀形成于基底导电层上，所述基底导电层形成于与半导体基板分开准备的镀敷用基板上，将成为所述黏接层的黏接剂涂布于磁性收敛板表面而黏接于半导体基板背面，然后，将镀敷用基板自磁性收敛板上的基底导电层剥离，由此形成于半导体基板的背面上。

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