专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TWI543417B 磁性感應器及磁性感應器裝置、磁性感應器之製造方法有权
简体标题：磁性感应器及磁性感应器设备、磁性感应器之制造方法
公开(公告)号：TWI543417B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW102145196
申请日：2013-12-09
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI , 長谷川秀則 , HASEGAWA, HIDENORI
IPC分类号： H01L43/04 , G01R33/07
CPC分类号： G01R33/07 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L23/3107 , H01L23/49503 , H01L23/49541 , H01L23/49582 , H01L24/45 , H01L24/97 , H01L43/04 , H01L43/065 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2924/12032 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012

2. 发明专利

TW201617638A 霍爾感測器及鏡頭模組审中-公开
简体标题：霍尔传感器及镜头模块
公开(公告)号：TW201617638A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104131017
申请日：2015-09-18
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福中敏昭 , FUKUNAKA, TOSHIAKI
IPC分类号： G01R33/07 , H01L43/06 , G02B7/08
CPC分类号： G01R33/02 , G01R33/07 , H01L23/12 , H01L24/97 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48465 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/18165 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：本發明係關於一種可防止洩漏電流之產生、薄型且可正確地檢測出磁性之霍爾感測器及鏡頭模組。霍爾元件(10)具有基板(11)、設置於基板(11)上之磁感應部(12)、及與磁感應部(12)連接之複數個電極部(13a至13d)。複數個引線端子(21a至21d)配置於霍爾元件之周圍。複數個導線(31a至31d)電性連接複數個電極部之各電極部之各者與複數個引線端子之各引線端子之各者。密封構件(50)覆蓋霍爾元件、複數個引線端子、及複數個導線。自密封構件之底面(E)至電極部與導線之第1接觸點(a)為止之高度(h1)構成為低於自密封構件之底面(E)至引線端子與導線之第2接觸點(b)為止之高度(h2)。
简体摘要：本发明系关于一种可防止泄漏电流之产生、薄型且可正确地检测出磁性之霍尔传感器及镜头模块。霍尔组件(10)具有基板(11)、设置于基板(11)上之磁感应部(12)、及与磁感应部(12)连接之复数个电极部(13a至13d)。复数个引线端子(21a至21d)配置于霍尔组件之周围。复数个导线(31a至31d)电性连接复数个电极部之各电极部之各者与复数个引线端子之各引线端子之各者。密封构件(50)覆盖霍尔组件、复数个引线端子、及复数个导线。自密封构件之底面(E)至电极部与导线之第1接触点(a)为止之高度(h1)构成为低于自密封构件之底面(E)至引线端子与导线之第2接触点(b)为止之高度(h2)。

3. 发明专利

TWI492278B 半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI492278B
公开(公告)日：2015-07-11
申请号：TW102108125
申请日：2013-03-07
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：香月將吾 , KATSUKI, SHOGO , 阪本敏郎 , SAKAMOTO, TOSHIRO
IPC分类号： H01L21/28 , H01L21/336
CPC分类号： H01L21/823462 , H01L21/02164 , H01L21/02271 , H01L21/26506 , H01L21/28167 , H01L21/28185 , H01L21/2822 , H01L21/324 , H01L29/51 , H01L29/78 , Y10S438/981

4. 发明专利

TW201516417A 電流感測器审中-公开
简体标题：电流传感器
公开(公告)号：TW201516417A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW103130879
申请日：2014-09-05
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：鈴木健治 , SUZUKI, KENJI , 今庄秀人 , IMAJYO, HIDETO , 長谷川秀則 , HASEGAWA, HIDENORI , 甲斐健司 , KAI, KENJI
IPC分类号： G01R15/20 , G01R19/00
CPC分类号： G01R15/20
摘要：本發明係一種電流感測器(1)，其包含：第一電流路徑(301)；第一磁感測器(131b)，其配置於第一電流路徑之附近；第二磁感測器(131a)，其隔著第一電流路徑而配置於第一磁感測器之相反側；第二電流路徑(302)；第三磁感測器(132b)，其配置於第二電流路徑之附近；第四磁感測器(132a)，其隔著第二電流路徑而配置於第三磁感測器之相反側；及信號處理部，其根據第一磁感測器之輸出與第二磁感測器之輸出而產生基於第一被測定電流之量之信號，並根據第三磁感測器之輸出與第四磁感測器之輸出而產生基於第二被測定電流之量之信號；且第一磁感測器與第二磁感測器配置於距第二電流路徑相等之距離，第三磁感測器與第四磁感測器配置於距第一電流路徑相等之距離。
简体摘要：本发明系一种电流传感器(1)，其包含：第一电流路径(301)；第一磁传感器(131b)，其配置于第一电流路径之附近；第二磁传感器(131a)，其隔着第一电流路径而配置于第一磁传感器之相反侧；第二电流路径(302)；第三磁传感器(132b)，其配置于第二电流路径之附近；第四磁传感器(132a)，其隔着第二电流路径而配置于第三磁传感器之相反侧；及信号处理部，其根据第一磁传感器之输出与第二磁传感器之输出而产生基于第一被测定电流之量之信号，并根据第三磁传感器之输出与第四磁传感器之输出而产生基于第二被测定电流之量之信号；且第一磁传感器与第二磁传感器配置于距第二电流路径相等之距离，第三磁传感器与第四磁传感器配置于距第一电流路径相等之距离。

5. 发明专利

TWI462297B 半導體裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI462297B
公开(公告)日：2014-11-21
申请号：TW101108161
申请日：2012-03-09
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：坂本敏郎 , SAKAMOTO, TOSHIRO
IPC分类号： H01L29/78
CPC分类号： H01L29/66492 , H01L21/26586 , H01L21/823412 , H01L21/823418 , H01L21/823456 , H01L29/0847 , H01L29/1045 , H01L29/66659 , H01L29/7835

6. 发明专利

TW201414209A 取樣保持電路、Ａ／Ｄ轉換器、取樣保持電路之校正方法及電路审中-公开
简体标题：采样保持电路、Ａ／Ｄ转换器、采样保持电路之校正方法及电路
公开(公告)号：TW201414209A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102129169
申请日：2013-08-14
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：宮原由一 , MIYAHARA, YUICHI
IPC分类号： H03M1/10 , H03M1/12
CPC分类号： H03M1/1245 , H03M1/0604 , H03M1/1033 , H03M1/1057 , H03M1/164 , H03M1/44
摘要：本發明之A/D轉換器係將包含MDAC(乘法型DA轉換器)之stage1~N複數個從屬連接之管線型A/D轉換器，且構成為包含：將SPM之MDAC中所含之Gain-AMP(12)作為輸出端連接於下一段之取樣電容器CsI+1之差動對的MOS(Metal Oxide Semiconductor：金屬氧化物半導體)電晶體(Mx1)及(Mx2)；作為連接於該差動對之負載部之MOS電晶體(My1)及(My2)；對作為上述差動對之MOS電晶體(Mx1)及(Mx2)供給電流之電流源(I3)；及調整作為負載部之MOS電晶體(My1)及(My2)中流動之電流之電流源(I1)及(I2)。
简体摘要：本发明之A/D转换器系将包含MDAC(乘法型DA转换器)之stage1~N复数个从属连接之管线型A/D转换器，且构成为包含：将SPM之MDAC中所含之Gain-AMP(12)作为输出端连接于下一段之采样电容器CsI+1之差动对的MOS(Metal Oxide Semiconductor：金属氧化物半导体)晶体管(Mx1)及(Mx2)；作为连接于该差动对之负载部之MOS晶体管(My1)及(My2)；对作为上述差动对之MOS晶体管(Mx1)及(Mx2)供给电流之电流源(I3)；及调整作为负载部之MOS晶体管(My1)及(My2)中流动之电流之电流源(I1)及(I2)。

7. 发明专利

TW201413439A 資訊處理裝置、資訊處理方法及資訊處理程式审中-公开
简体标题：信息处理设备、信息处理方法及信息处理进程
公开(公告)号：TW201413439A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW102125622
申请日：2013-07-17
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：中三川京彌 , NAKAMIKAWA, KYOYA , 山下昌哉 , YAMASHITA, MASAYA
IPC分类号： G06F1/32
CPC分类号： G06F1/3206 , G05D23/1927 , G06F1/3231 , G06F1/3265 , Y02D10/153 , Y02D10/173
摘要：本發明係在溫度感測器輸出值Tobs之變化量大於臨限值時，將溫度感測器輸出值Tobs之變化視為由人體於溫度感測器1之視角內之佔有率變化所引起者而更新佔有率α。溫度感測器輸出值Tobs之變化量在臨限值以下時，溫度感測器輸出值Tobs之變化不視為依據人體於溫度感測器之視角內之佔有率變化，而是視為由溫度環境之變化所引起者，從而不更新佔有率α，且使用1採樣週期前之時點之佔有率更新背景溫度TB。如此，當運算出之溫度感測器輸出值Tobs與背景溫度TB之差在離席判定用之臨限值以下時，判定為離席狀態。
简体摘要：本发明系在温度传感器输出值Tobs之变化量大于临限值时，将温度传感器输出值Tobs之变化视为由人体于温度传感器1之视角内之占有率变化所引起者而更新占有率α。温度传感器输出值Tobs之变化量在临限值以下时，温度传感器输出值Tobs之变化不视为依据人体于温度传感器之视角内之占有率变化，而是视为由温度环境之变化所引起者，从而不更新占有率α，且使用1采样周期前之时点之占有率更新背景温度TB。如此，当运算出之温度传感器输出值Tobs与背景温度TB之差在离席判定用之临限值以下时，判定为离席状态。

8. 发明专利

TWI415260B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI415260B
公开(公告)日：2013-11-11
申请号：TW099109826
申请日：2010-03-31
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：外賀寬崇 , GEKA, HIROTAKA
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/12
CPC分类号： H01L29/7785 , H01L29/045 , H01L29/452 , H01L29/475 , H01L29/66462 , H01L29/7787

9. 发明专利

TWI574017B 電流感測器有权
简体标题：电流传感器
公开(公告)号：TWI574017B
公开(公告)日：2017-03-11
申请号：TW103130879
申请日：2014-09-05
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：鈴木健治 , SUZUKI, KENJI , 今庄秀人 , IMAJYO, HIDETO , 長谷川秀則 , HASEGAWA, HIDENORI , 甲斐健司 , KAI, KENJI
IPC分类号： G01R15/20 , G01R19/00
CPC分类号： G01R15/20

10. 发明专利

TWI501539B 線性運動元件之控制裝置及其控制方法有权
简体标题：线性运动组件之控制设备及其控制方法
公开(公告)号：TWI501539B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102117424
申请日：2013-05-16
申请人：旭化成微電子股份有限公司 , ASAHI KASEI MICRODEVICES CORPORATION
发明人：福島貴志 , FUKUSHIMA, TAKASHI
IPC分类号： H02P25/06 , G02B7/04
CPC分类号： G05D3/1481 , G02B7/08 , G05B1/02 , G05B6/02 , H02P25/06 , H02P2203/00

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式