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1. 发明专利

TW201614880A 壓電器件、液體噴射頭、液體噴射裝置及壓電器件的製造方法审中-公开
简体标题：压电器件、液体喷射头、液体喷射设备及压电器件的制造方法
公开(公告)号：TW201614880A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104133085
申请日：2015-10-07
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：長沼陽一 , NAGANUMA, YOICHI , 中山雅夫 , NAKAYAMA, MASAO , 平井栄樹 , HIRAI, EIJU , 齊藤剛 , SAITO, TAKESHI , 穗苅吉宏 , HOKARI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/47 , B41J2/045
摘要：本發明之目的在於提供可確保壓電元件之可靠度，且使壓電元件之變形效率化之壓電器件、液體噴射頭、及液體噴射裝置。本發明之壓電器件其特徵在於包含：變形部，其容許彈性層17之變形；非變形部，其阻礙彈性層17之變形；及壓電元件19，其依序積層有下電極層27、壓電體層28、及上電極層29而成；且變形部具有供配置壓電元件19之區域P1、與非變形部相鄰之區域P3、及配置於區域P1與區域P3之間之區域P2；於區域P1，依序積層有彈性層17、絕緣體層18、下電極層27、壓電體層28、及上電極層29；於區域P2，依序積層有彈性層17、絕緣體層18、壓電體層28、及上電極層29；於區域P3，依序積層有彈性層17及上電極層29；彈性層17係氧化矽；於區域P3之氧化矽，於上電極層29側添加有雜質。
简体摘要：本发明之目的在于提供可确保压电组件之可靠度，且使压电组件之变形效率化之压电器件、液体喷射头、及液体喷射设备。本发明之压电器件其特征在于包含：变形部，其容许弹性层17之变形；非变形部，其阻碍弹性层17之变形；及压电组件19，其依序积层有下电极层27、压电体层28、及上电极层29而成；且变形部具有供配置压电组件19之区域P1、与非变形部相邻之区域P3、及配置于区域P1与区域P3之间之区域P2；于区域P1，依序积层有弹性层17、绝缘体层18、下电极层27、压电体层28、及上电极层29；于区域P2，依序积层有弹性层17、绝缘体层18、压电体层28、及上电极层29；于区域P3，依序积层有弹性层17及上电极层29；弹性层17系氧化硅；于区域P3之氧化硅，于上电极层29侧添加有杂质。

2. 发明专利

TW201614824A 壓力陣列感測模組及其製造方法及應用其之監測系統及方法审中-公开
简体标题：压力数组传感模块及其制造方法及应用其之监测系统及方法
公开(公告)号：TW201614824A
公开(公告)日：2016-04-16
申请号：TW104122718
申请日：2015-07-14
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：蘇瑞堯 , SU, JUI YIAO , 劉彥辰 , LIU, YAN CHEN , 陳昌毅 , CHEN, CHANG YI , 陳慶順 , CHEN, CHING SHUN , 柯文清 , KO, WEN CHING
IPC分类号： H01L27/20 , H01L41/47
CPC分类号： G01L1/205 , A61B5/1036 , A61B5/6807 , A61B5/6892 , A61B2562/0247 , A61B2562/046
摘要：一種壓力陣列感測模組，包括一陣列電極板、複數個壓力感測元件、至少一第一導通結構以及至少一第二導通結構。陣列電極板包括一基板及一陣列電極。陣列電極配置於基板上，陣列電極具有一第一電極圖案以及一第二電極圖案。各壓力感測元件配置於陣列電極板的感測位置上。各個壓力感測元件包括一上電極層、一下電極層及至少一壓力感測層。上電極層具有一第一電極接腳，下電極層具有一第二電極接腳。壓力感測層配置於上電極層與下電極層之間。第一導通結構電性連接於各個第一電極接腳與相對應之第一電極圖案之間。第二導通結構電性連接於各個第二電極接腳與相對應之第二電極圖案之間。
简体摘要：一种压力数组传感模块，包括一数组电极板、复数个压力传感组件、至少一第一导通结构以及至少一第二导通结构。数组电极板包括一基板及一数组电极。数组电极配置于基板上，数组电极具有一第一电极图案以及一第二电极图案。各压力传感组件配置于数组电极板的传感位置上。各个压力传感组件包括一上电极层、一下电极层及至少一压力传感层。上电极层具有一第一电极接脚，下电极层具有一第二电极接脚。压力传感层配置于上电极层与下电极层之间。第一导通结构电性连接于各个第一电极接脚与相对应之第一电极图案之间。第二导通结构电性连接于各个第二电极接脚与相对应之第二电极图案之间。

3. 发明专利

TW202023081A 聲波諧振器及其製造方法审中-公开
简体标题：声波谐振器及其制造方法
公开(公告)号：TW202023081A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108139641
申请日：2019-11-01
申请人：南韓商三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：韓源 , HAN, WON , 林昶賢 , LIM, CHANG HYUN , 金泰潤 , KIM, TAE YOON , 孫尙郁 , SON, SANG UK , 尹湘基 , YOON, SANG KEE
IPC分类号： H01L41/29 , H01L41/47 , H03H9/02
摘要：本發明提供一種聲波諧振器及其製造方法，所述聲波諧振器包括：基板；諧振部，包括在所述基板上順序地堆疊有第一電極、壓電層和第二電極的中央部和沿著所述中央部的外周設置的延伸部；以及第一金屬層，設置在所述諧振部的外部，以電連接到所述第一電極。所述延伸部包括下插入層，所述下插入層設置在所述第一電極的上表面或所述第一電極的下表面上。所述壓電層包括壓電部和彎曲部，所述壓電部設置在所述中央部中，所述彎曲部設置在所述延伸部中並且根據所述下插入層的形狀而傾斜地從所述壓電部延伸。所述下插入層利用導電材料形成，以使所述第一電極與所述第一金屬層之間的電路徑延伸。
简体摘要：本发明提供一种声波谐振器及其制造方法，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，包括在所述基板上顺序地堆栈有第一电极、压电层和第二电极的中央部和沿着所述中央部的外周设置的延伸部；以及第一金属层，设置在所述谐振部的外部，以电连接到所述第一电极。所述延伸部包括下插入层，所述下插入层设置在所述第一电极的上表面或所述第一电极的下表面上。所述压电层包括压电部和弯曲部，所述压电部设置在所述中央部中，所述弯曲部设置在所述延伸部中并且根据所述下插入层的形状而倾斜地从所述压电部延伸。所述下插入层利用导电材料形成，以使所述第一电极与所述第一金属层之间的电路径延伸。

4. 发明专利

TW201709571A 壓電體膜及其之製造方法、雙壓電晶片元件、壓電體元件及其之製造方法审中-公开
简体标题：压电体膜及其之制造方法、双压电芯片组件、压电体组件及其之制造方法
公开(公告)号：TW201709571A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105123257
申请日：2016-07-22
申请人：友技科股份有限公司 , YOUTEC CO., LTD.
发明人：木島健 , KIJIMA, TAKESHI , 本多祐二 , HONDA, YUUJI
IPC分类号： H01L41/187 , H01L41/314 , H01L41/332 , H01L41/47
CPC分类号： C01G25/00 , C01G33/00 , C23C14/08 , H01L41/047 , H01L41/083 , H01L41/187 , H01L41/293 , H01L41/297 , H01L41/312 , H01L41/316 , H01L41/318 , H01L41/43
摘要：本發明課題為提供一種膜厚為5μm以上的膜狀壓電體膜。本發明的一個態樣為一種壓電體膜，其係膜厚為5μm以上的(PbaLab)(ZrcTidNbe)O3-δ膜，a、b、c、d、e及δ滿足下述式1及式11~式16，前述(PbaLab)(ZrcTidNbe)O3-δ膜具有100以上600以下的每1μm膜厚的比介電率，並且具有3V以上15V以下的每1μm膜厚的矯頑電壓(Coercive Voltage)及20μC/cm2以上50μC/cm2以下的殘留極化值(remanent polarization)的至少一者。0≦δ≦1‥式1 1.00≦a+b≦1.35‥式11 0≦b≦0.08‥式12 1.00≦c+d+e≦1.1‥式13 0.4≦c≦0.7‥式14 0.3≦d≦0.6‥式15 0≦e≦0.1‥式16
简体摘要：本发明课题为提供一种膜厚为5μm以上的膜状压电体膜。本发明的一个态样为一种压电体膜，其系膜厚为5μm以上的(PbaLab)(ZrcTidNbe)O3-δ膜，a、b、c、d、e及δ满足下述式1及式11~式16，前述(PbaLab)(ZrcTidNbe)O3-δ膜具有100以上600以下的每1μm膜厚的比介电率，并且具有3V以上15V以下的每1μm膜厚的矫顽电压(Coercive Voltage)及20μC/cm2以上50μC/cm2以下的残留极化值(remanent polarization)的至少一者。0≦δ≦1‥式1 1.00≦a+b≦1.35‥式11 0≦b≦0.08‥式12 1.00≦c+d+e≦1.1‥式13 0.4≦c≦0.7‥式14 0.3≦d≦0.6‥式15 0≦e≦0.1‥式16

5. 发明专利

TWI690097B 乾電漿蝕刻方法以使磁性隨機存取記憶體堆疊圖案化有权
简体标题：干电浆蚀刻方法以使磁性随机存取内存堆栈图案化
公开(公告)号：TWI690097B
公开(公告)日：2020-04-01
申请号：TW105111956
申请日：2016-04-18
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：陳暹華 , TAN, SAMANTHA , 金台昇 , KIM, TAESEUNG , 楊文兵 , YANG, WENBING , 馬克思傑弗瑞 , MARKS, JEFFREY , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L41/47 , H01L27/22

6. 发明专利

TW201810744A 包含磁電轉換器之發電機及其製造方法审中-公开
简体标题：包含磁电转换器之发电机及其制造方法
公开(公告)号：TW201810744A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106112548
申请日：2017-04-14
申请人：安能比公司 , ENERBEE
发明人：德拉馬爾杰羅姆 , DELAMARE, JEROME , 里卡爾提博 , RICART, THIBAULT , 吉倫傑瑞米 , GUILLEN, JEREMIE
IPC分类号： H01L41/47 , H01L41/06 , H01L41/12
CPC分类号： H01L41/00 , H01L41/047 , H01L41/06 , H01L41/20 , H01L41/22 , H01L41/47
摘要：本發明涉及一種磁電轉換器(200)，其能夠將一磁場(B)之變化轉換成兩個電端子(202,203)間之電位差(電壓)；該轉換器包含： o 一支撐層(50)，其包含該兩個電端子(202,203)； o 設置在該支撐層(50)上，包含一第一層(10)及一第二層(20)之一層堆疊，該第一層(10)由一磁致伸縮材料製成並定義出一參考平面，該第二層(20)由一壓電材料製成且在平行於該參考平面而由該第二層(20)所定義之平面中具有一第一極化軸(21)；該第二層(20)包含複數個電極(23, 24)；及 o 將該些電極(23, 24)電性連結至該些電端子(202,203)之裝置。
简体摘要：本发明涉及一种磁电转换器(200)，其能够将一磁场(B)之变化转换成两个电端子(202,203)间之电位差(电压)；该转换器包含： o 一支撑层(50)，其包含该两个电端子(202,203)； o 设置在该支撑层(50)上，包含一第一层(10)及一第二层(20)之一层堆栈，该第一层(10)由一磁致伸缩材料制成并定义出一参考平面，该第二层(20)由一压电材料制成且在平行于该参考平面而由该第二层(20)所定义之平面中具有一第一极化轴(21)；该第二层(20)包含复数个电极(23, 24)；及 o 将该些电极(23, 24)电性链接至该些电端子(202,203)之设备。

7. 发明专利

TWI614922B 壓電石英晶體諧振器及其製作方法有权
简体标题：压电石英晶体谐振器及其制作方法
公开(公告)号：TWI614922B
公开(公告)日：2018-02-11
申请号：TW104134735
申请日：2015-10-22
申请人：應達利電子股份有限公司 , INTERQUIP ELECTRONICS CO., LTD
发明人：比華威廉迪恩 , BEAVER, WILLIAM DEAN , 梁惠萍 , LEUNG, WAI PING , 孫曉明 , SUN, XIAOMING , 吳廣宇 , WU, GUANGYU , 謝俊超 , XIE, JUNCHAO
IPC分类号： H01L41/47 , H01L41/02 , H03H9/08
CPC分类号： H03H9/10 , H03H3/02 , H03H9/0542 , H03H9/1007 , H03H9/19

8. 发明专利

TWI586007B 壓電器件、液體噴射頭、液體噴射裝置及壓電器件的製造方法有权
简体标题：压电器件、液体喷射头、液体喷射设备及压电器件的制造方法
公开(公告)号：TWI586007B
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104133085
申请日：2015-10-07
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：長沼陽一 , NAGANUMA, YOICHI , 中山雅夫 , NAKAYAMA, MASAO , 平井栄樹 , HIRAI, EIJU , 齊藤剛 , SAITO, TAKESHI , 穗苅吉宏 , HOKARI, YOSHIHIRO
IPC分类号： H01L41/083 , H01L41/47 , B41J2/045

9. 发明专利

TW201626610A 壓電石英晶體諧振器及其製作方法审中-公开
简体标题：压电石英晶体谐振器及其制作方法
公开(公告)号：TW201626610A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104134735
申请日：2015-10-22
申请人：應達利電子股份有限公司 , INTERQUIP ELECTRONICS CO., LTD
发明人：比華威廉迪恩 , BEAVER, WILLIAM DEAN , 梁惠萍 , LEUNG, WAI PING , 孫曉明 , SUN, XIAOMING , 吳廣宇 , WU, GUANGYU , 謝俊超 , XIE, JUNCHAO
IPC分类号： H01L41/47 , H01L41/02 , H03H9/08
CPC分类号： H03H9/10 , H03H3/02 , H03H9/0542 , H03H9/1007 , H03H9/19
摘要：一種壓電石英晶體諧振器及其製作方法，壓電石英晶體諧振器，包括電路板、石英晶體諧振器和熱敏電阻，熱敏電阻用於檢測石英晶體諧振器的溫度，熱敏電阻和石英晶體諧振器佈設於電路板上，且相互間通過佈設在電路板上的線路進行連接；熱敏電阻和石英晶體諧振器採用熱塑性材料相互獨立的灌封，且二者用於灌封的熱塑性材料之間有接觸。壓電石英晶體諧振器使石英晶體諧振器和熱敏電阻在電路板上佈設好後使用熱塑性材料相互獨立的灌封，使石英晶體諧振器具有獨立的腔體，可以避免熱敏電阻對石英晶體諧振器的污染，同時滿足了更高頻率穩定性的需求。
简体摘要：一种压电石英晶体谐振器及其制作方法，压电石英晶体谐振器，包括电路板、石英晶体谐振器和热敏电阻，热敏电阻用于检测石英晶体谐振器的温度，热敏电阻和石英晶体谐振器布设于电路板上，且相互间通过布设在电路板上的线路进行连接；热敏电阻和石英晶体谐振器采用热塑性材料相互独立的灌封，且二者用于灌封的热塑性材料之间有接触。压电石英晶体谐振器使石英晶体谐振器和热敏电阻在电路板上布设好后使用热塑性材料相互独立的灌封，使石英晶体谐振器具有独立的腔体，可以避免热敏电阻对石英晶体谐振器的污染，同时满足了更高频率稳定性的需求。

10. 发明专利

TW201332171A 壓電複合材料的製程及壓電發電裝置审中-公开
简体标题：压电复合材料的制程及压电发电设备
公开(公告)号：TW201332171A
公开(公告)日：2013-08-01
申请号：TW101102274
申请日：2012-01-19
申请人：鋇泰電子陶瓷股份有限公司 , BETACERA INC.
发明人：莊武松 , CHUANG, WU SUNG , 魏志漳 , WEI, CHIH CHANG , 謝慧霖 , HSIEH, HUEY LIN , 余承聖 , YU, CHENG SHENG
IPC分类号： H01L41/47 , H01L41/187 , H02N2/18
摘要：本發明係有關一種壓電複合材料的製程，包括以下步驟：混合壓電陶瓷粉末、黏結劑、交聯劑、潤滑劑及增塑劑，以形成一漿料；對漿料進行擠壓成型步驟，以形成壓電陶瓷纖維生胚；對壓電陶瓷纖維生胚進行燒結步驟，以形成壓電陶瓷纖維；依照預定的體積含量，將壓電陶瓷纖維排列，置入模具中；及將黏著劑灌入模具中，以形成壓電複合材料。本發明亦有關一種包含使用上述壓電複合材料製成的壓電發電元件的壓電發電裝置。
简体摘要：本发明系有关一种压电复合材料的制程，包括以下步骤：混合压电陶瓷粉末、黏结剂、交联剂、润滑剂及增塑剂，以形成一浆料；对浆料进行挤压成型步骤，以形成压电陶瓷纤维生胚；对压电陶瓷纤维生胚进行烧结步骤，以形成压电陶瓷纤维；依照预定的体积含量，将压电陶瓷纤维排列，置入模具中；及将黏着剂灌入模具中，以形成压电复合材料。本发明亦有关一种包含使用上述压电复合材料制成的压电发电组件的压电发电设备。

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