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1. 发明专利

TW201810744A 包含磁電轉換器之發電機及其製造方法审中-公开
简体标题：包含磁电转换器之发电机及其制造方法
公开(公告)号：TW201810744A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106112548
申请日：2017-04-14
申请人：安能比公司 , ENERBEE
发明人：德拉馬爾杰羅姆 , DELAMARE, JEROME , 里卡爾提博 , RICART, THIBAULT , 吉倫傑瑞米 , GUILLEN, JEREMIE
IPC分类号： H01L41/47 , H01L41/06 , H01L41/12
CPC分类号： H01L41/00 , H01L41/047 , H01L41/06 , H01L41/20 , H01L41/22 , H01L41/47
摘要：本發明涉及一種磁電轉換器(200)，其能夠將一磁場(B)之變化轉換成兩個電端子(202,203)間之電位差(電壓)；該轉換器包含： o 一支撐層(50)，其包含該兩個電端子(202,203)； o 設置在該支撐層(50)上，包含一第一層(10)及一第二層(20)之一層堆疊，該第一層(10)由一磁致伸縮材料製成並定義出一參考平面，該第二層(20)由一壓電材料製成且在平行於該參考平面而由該第二層(20)所定義之平面中具有一第一極化軸(21)；該第二層(20)包含複數個電極(23, 24)；及 o 將該些電極(23, 24)電性連結至該些電端子(202,203)之裝置。
简体摘要：本发明涉及一种磁电转换器(200)，其能够将一磁场(B)之变化转换成两个电端子(202,203)间之电位差(电压)；该转换器包含： o 一支撑层(50)，其包含该两个电端子(202,203)； o 设置在该支撑层(50)上，包含一第一层(10)及一第二层(20)之一层堆栈，该第一层(10)由一磁致伸缩材料制成并定义出一参考平面，该第二层(20)由一压电材料制成且在平行于该参考平面而由该第二层(20)所定义之平面中具有一第一极化轴(21)；该第二层(20)包含复数个电极(23, 24)；及 o 将该些电极(23, 24)电性链接至该些电端子(202,203)之设备。

2. 发明专利

TW201119107A 磁致伸縮膜、磁致伸縮元件、扭力感測器、力感測器、壓力感測器及其製造方法 MAGNETOSTRICTIVE FILM, MAGNETOSTRICTIVE ELEMENT, TORQUE SENSOR, FORCE SENSOR, PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME 审中-公开
简体标题：磁致伸缩膜、磁致伸缩组件、扭力传感器、力传感器、压力传感器及其制造方法 MAGNETOSTRICTIVE FILM, MAGNETOSTRICTIVE ELEMENT, TORQUE SENSOR, FORCE SENSOR, PRESSURE SENSOR AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
公开(公告)号：TW201119107A
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：TW099125684
申请日：2010-08-03
申请人：都美工業股份有限公司 , 國立大學法人信州大學 , 國立大學法人東北大學
发明人：本江克次 , 中島浩二 , 石川智仁 , 杉山雅治 , 五十嵐貴教 , 脇若弘之 , 牧野彰宏 , 井上明久
IPC分类号： H01L , C23C , G01L
CPC分类号： G01L3/102 , C22C33/003 , C22C45/02 , C23C4/06 , G01L3/103 , G01L3/105 , G01R33/18 , H01F10/131 , H01L41/125 , H01L41/20 , H01L41/47 , Y10T428/265
摘要：本發明提供提供一種可在零磁場附近發揮優異之磁致伸縮特性之磁致伸縮膜、及磁致伸縮膜之製造方法。磁致伸縮膜係由熔射形成在被檢體上、且以比玻璃遷移溫度低且在居裏點溫度以上進行熱處理為特徵的金屬玻璃膜所構成,且-15kA/m以上、+15kA/m以下之磁場範圍中之至少一部分的範圍內,顯現磁場與磁致伸縮之直線特性。
简体摘要：本发明提供提供一种可在零磁场附近发挥优异之磁致伸缩特性之磁致伸缩膜、及磁致伸缩膜之制造方法。磁致伸缩膜系由熔射形成在被检体上、且以比玻璃迁移温度低且在居里点温度以上进行热处理为特征的金属玻璃膜所构成,且-15kA/m以上、+15kA/m以下之磁场范围中之至少一部分的范围内,显现磁场与磁致伸缩之直线特性。

3. 发明专利

TWI501434B 磁致伸縮膜、磁致伸縮元件、扭力感測器、力感測器、壓力感測器及其製造方法有权
简体标题：磁致伸缩膜、磁致伸缩组件、扭力传感器、力传感器、压力传感器及其制造方法
公开(公告)号：TWI501434B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW099125684
申请日：2010-08-03
申请人：國立研究開發法人科學技術振興機構 , JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY
发明人：本江克次 , MOTOE, YOSHITSUGU , 中島浩二 , NAKASHIMA, KOJI , 石川智仁 , ISHIKAWA, TOMOHITO , 杉山雅治 , SUGIYAMA, MASAHARU , 五十嵐貴教 , IGARASHI, TAKANORI , 脇若弘之 , WAKIWAKA, HIROYUKI , 牧野彰宏 , MAKINO, AKIHIRO , 井上明久 , INOUE, AKIHISA
IPC分类号： H01L41/12 , H01L41/22 , C23C4/12 , G01L3/10 , G01L1/12
CPC分类号： G01L3/102 , C22C33/003 , C22C45/02 , C23C4/06 , G01L3/103 , G01L3/105 , G01R33/18 , H01F10/131 , H01L41/125 , H01L41/20 , H01L41/47 , Y10T428/265

4. 发明专利

TW201810741A 包含磁電轉換器之發電機及相關製造方法审中-公开
简体标题：包含磁电转换器之发电机及相关制造方法
公开(公告)号：TW201810741A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106112745
申请日：2017-04-17
申请人：安能比公司 , ENERBEE
发明人：德拉馬爾杰羅姆 , DELAMARE, JEROME , 里卡爾提博 , RICART, THIBAULT , 吉倫傑瑞米 , GUILLEN, JEREMIE
IPC分类号： H01L41/06 , H01L41/47
CPC分类号： H01L41/00 , H01L41/113 , H01L41/12 , H01L41/16 , H01L41/47 , H02N2/18
摘要：本發明涉及一發電裝置，其包括：一轉換器(200)，其設有兩個電端子，能夠將一磁場(B)之變化轉換成該兩個電端子間之電位差，該轉換器包含一第一層及一第二層之一堆疊，該第一層由定義出一參考平面之一各向異性磁致伸縮材料製成，且該第二層由一壓電材料製成；該第一層在該參考平面中具有至少一形變主軸(4,5)，且該第二層在平行於該參考平面而由該第二層所定義之平面中具有一極化軸；且該第一層之形變主軸(4,5)與該第二層之極化軸對齊在15°以內。在該參考平面中產生所述磁場(B)之一來源(300)，所述磁場(B)之強度不足以使該第一層之材料磁性飽和。該磁場源(300)及該轉換器(200)可相對於彼此旋轉，使得所述磁場(B)之定向在該參考平面中有所變化。
简体摘要：本发明涉及一发电设备，其包括：一转换器(200)，其设有两个电端子，能够将一磁场(B)之变化转换成该两个电端子间之电位差，该转换器包含一第一层及一第二层之一堆栈，该第一层由定义出一参考平面之一各向异性磁致伸缩材料制成，且该第二层由一压电材料制成；该第一层在该参考平面中具有至少一形变主轴(4,5)，且该第二层在平行于该参考平面而由该第二层所定义之平面中具有一极化轴；且该第一层之形变主轴(4,5)与该第二层之极化轴对齐在15°以内。在该参考平面中产生所述磁场(B)之一来源(300)，所述磁场(B)之强度不足以使该第一层之材料磁性饱和。该磁场源(300)及该转换器(200)可相对于彼此旋转，使得所述磁场(B)之定向在该参考平面中有所变化。

5. 发明专利

TW201709573A 乾電漿蝕刻方法以使磁性隨機存取記憶體堆疊圖案化审中-公开
简体标题：干电浆蚀刻方法以使磁性随机存取内存堆栈图案化
公开(公告)号：TW201709573A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105111956
申请日：2016-04-18
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：陳暹華 , TAN, SAMANTHA , 金台昇 , KIM, TAESEUNG , 楊文兵 , YANG, WENBING , 馬克思傑弗瑞 , MARKS, JEFFREY , 立爾托爾斯滕 , LILL, THORSTEN
IPC分类号： H01L41/47 , H01L27/22
CPC分类号： H01L41/47 , C23F1/12 , C23F4/00 , H01J37/32082 , H01J37/32422 , H01J37/32651 , H01L27/222 , H01L43/12
摘要：提供蝕刻金屬的方法，其係藉由沉積與待蝕刻之金屬及鹵素反應的材料以形成揮發性物種，及將基板曝露於含鹵素的氣體及活化氣體以蝕刻基板。沉積的材料可包含矽、鍺、鈦、碳、錫、及其組合。方法係適合用於製造MRAM結構且可包含整合的ALD及ALE製程而不破壞真空。
简体摘要：提供蚀刻金属的方法，其系借由沉积与待蚀刻之金属及卤素反应的材料以形成挥发性物种，及将基板曝露于含卤素的气体及活化气体以蚀刻基板。沉积的材料可包含硅、锗、钛、碳、锡、及其组合。方法系适合用于制造MRAM结构且可包含集成的ALD及ALE制程而不破坏真空。

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