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1. 发明专利

TW202023081A 聲波諧振器及其製造方法审中-公开
简体标题：声波谐振器及其制造方法
公开(公告)号：TW202023081A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108139641
申请日：2019-11-01
申请人：南韓商三星電機股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.
发明人：韓源 , HAN, WON , 林昶賢 , LIM, CHANG HYUN , 金泰潤 , KIM, TAE YOON , 孫尙郁 , SON, SANG UK , 尹湘基 , YOON, SANG KEE
IPC分类号： H01L41/29 , H01L41/47 , H03H9/02
摘要：本發明提供一種聲波諧振器及其製造方法，所述聲波諧振器包括：基板；諧振部，包括在所述基板上順序地堆疊有第一電極、壓電層和第二電極的中央部和沿著所述中央部的外周設置的延伸部；以及第一金屬層，設置在所述諧振部的外部，以電連接到所述第一電極。所述延伸部包括下插入層，所述下插入層設置在所述第一電極的上表面或所述第一電極的下表面上。所述壓電層包括壓電部和彎曲部，所述壓電部設置在所述中央部中，所述彎曲部設置在所述延伸部中並且根據所述下插入層的形狀而傾斜地從所述壓電部延伸。所述下插入層利用導電材料形成，以使所述第一電極與所述第一金屬層之間的電路徑延伸。
简体摘要：本发明提供一种声波谐振器及其制造方法，所述声波谐振器包括：基板；谐振部，包括在所述基板上顺序地堆栈有第一电极、压电层和第二电极的中央部和沿着所述中央部的外周设置的延伸部；以及第一金属层，设置在所述谐振部的外部，以电连接到所述第一电极。所述延伸部包括下插入层，所述下插入层设置在所述第一电极的上表面或所述第一电极的下表面上。所述压电层包括压电部和弯曲部，所述压电部设置在所述中央部中，所述弯曲部设置在所述延伸部中并且根据所述下插入层的形状而倾斜地从所述压电部延伸。所述下插入层利用导电材料形成，以使所述第一电极与所述第一金属层之间的电路径延伸。

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