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1. 发明专利

TWI667788B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI667788B
公开(公告)日：2019-08-01
申请号：TW107110021
申请日：2018-03-23
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：尼迪卡魯納 , NIDHI, KARUNA , 柯明道 , KER, MING DOU , 林庭佑 , LIN, TING YOU
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/808 , H01L21/337

2. 发明专利

TW201810569A 半導體裝置結構审中-公开
简体标题：半导体设备结构
公开(公告)号：TW201810569A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105105818
申请日：2016-02-26
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林庭佑 , LIN, TING YOU , 涂祈吏 , TU, CHI LI
IPC分类号： H01L23/485
摘要：本揭示提供半導體裝置結構，其包含半導體基底，內金屬層設置於半導體基底上，頂部金屬層設置於內金屬層上，頂部金屬層具有第一部分及第二部分，其中第一部分完全覆蓋內金屬層，第二部分圍繞第一部分，且第一部分與第二部分隔開，以及鈍化層設置於頂部金屬層上，其中鈍化層具有挖空圖案，以露出頂部金屬層。
简体摘要：本揭示提供半导体设备结构，其包含半导体基底，内金属层设置于半导体基底上，顶部金属层设置于内金属层上，顶部金属层具有第一部分及第二部分，其中第一部分完全覆盖内金属层，第二部分围绕第一部分，且第一部分与第二部分隔开，以及钝化层设置于顶部金属层上，其中钝化层具有挖空图案，以露出顶部金属层。

3. 发明专利

TWI698016B 半導體結構有权
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TWI698016B
公开(公告)日：2020-07-01
申请号：TW108100006
申请日：2019-01-02
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林庭佑 , LIN, TING-YOU , 涂祈吏 , TU, CHI-LI , 許書維 , HSU, SHU-WEI
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/36 , H01L29/66

4. 发明专利

TW202027274A 半導體結構审中-公开
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TW202027274A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW108100006
申请日：2019-01-02
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林庭佑 , LIN, TING-YOU , 涂祈吏 , TU, CHI-LI , 許書維 , HSU, SHU-WEI
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/36 , H01L29/66
摘要：一種半導體結構，包含：半導體基底、埋置層、一對第一井區、第二井區、體摻雜區、以及第一重摻雜區。此半導體基底具有第一導電類型。此埋置層位於此半導體基底上且具第二導電類型。此對第一井區位於此埋置層上且具有第二導電類型。此第二井區位於此埋置層上並位於此對第一井區之間，其具有第一導電類型。此體摻雜區位於此第二井區中，其具有此第一導電類型。此第一重摻雜區位於此體摻雜區中，其具有第一導電類型。在上視圖中，此第一重摻雜區以及此對第一井區沿著第一方向延伸，並且此第一重摻雜區延伸超出此對第一井區之二個相反邊緣。
简体摘要：一种半导体结构，包含：半导体基底、埋置层、一对第一井区、第二井区、体掺杂区、以及第一重掺杂区。此半导体基底具有第一导电类型。此埋置层位于此半导体基底上且具第二导电类型。此对第一井区位于此埋置层上且具有第二导电类型。此第二井区位于此埋置层上并位于此对第一井区之间，其具有第一导电类型。此体掺杂区位于此第二井区中，其具有此第一导电类型。此第一重掺杂区位于此体掺杂区中，其具有第一导电类型。在上视图中，此第一重掺杂区以及此对第一井区沿着第一方向延伸，并且此第一重掺杂区延伸超出此对第一井区之二个相反边缘。

5. 发明专利

TWI594384B 半導體裝置結構有权
简体标题：半导体设备结构
公开(公告)号：TWI594384B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105105818
申请日：2016-02-26
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林庭佑 , LIN, TING YOU , 涂祈吏 , TU, CHI LI
IPC分类号： H01L23/485

6. 发明专利

TWI686905B 半導體結構有权
简体标题：半导体结构
公开(公告)号：TWI686905B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW108105225
申请日：2019-02-18
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林庭佑 , LIN, TING-YOU , 涂祈吏 , TU, CHI-LI , 林鑫成 , LIN, SHIN-CHENG , 胡鈺豪 , HO, YU-HAO , 吳政璁 , WU, CHENG-TSUNG
IPC分类号： H01L23/16 , H01L23/28

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