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1. 发明专利

TWI686786B 顯示系統有权
简体标题：显示系统
公开(公告)号：TWI686786B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW106112734
申请日：2017-04-17
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：秦玉龍 , CHIN, YU LUNG , 許靜宜 , HSU, CHING YI , 劉昌和 , LIU, CHANG HE , 廖志成 , LIAO, CHIH CHERNG , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI , 方略 , FANG, LEUH
IPC分类号： G09G3/32 , H01L21/8258

2. 发明专利

TWI594365B 半導體結構與其形成方法有权
简体标题：半导体结构与其形成方法
公开(公告)号：TWI594365B
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW104134159
申请日：2015-10-19
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：庫馬馬洛宜 , KUMAR, MANOJ , 李家豪 , LEE, CHIA HAO , 廖志成 , LIAO, CHIH CHERNG , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L21/74 , H01L27/04 , H01L29/06

3. 发明专利

TW201724191A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201724191A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104143316
申请日：2015-12-23
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：洪培恒 , HUNG, PEI HENG , 庫馬馬洛宜 , KUMAR, MANOJ , 張雄世 , CHANG, HSIUNG SHIH , 李家豪 , LEE, CHIA HAO , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L21/18 , H01L21/329 , H01L29/36 , H01L29/861
摘要：本發明提供一種半導體裝置，包括：埋藏氧化層，設置於基板上；半導體層，具有第一導電類型，設置於埋藏氧化層上；第一井區，具有第一導電類型，設置於半導體層中；第二井區和第三井區，具有第二導電類型，分別接近於第一井區的相對兩側，且與第一井區分別相距第一距離和第二距離；一隔絕物，覆蓋第一井區和第三井區；一多晶場板(poly field plate)，具有第一或第二導電類型，設置於隔絕物上，且位於第一井區和第三井區之間的半導體層上方；第一陽極摻雜區，具有第二導電類型，設置於第二井區中；第二陽極摻雜區，具有第一導電類型，設置於第二井區中；第三陽極摻雜區，具有第一導電類型，設置於第二井區中，第二陽極摻雜區位於第三陽極摻雜區的正上方；第一陰極摻雜區，具有第二導電類型，耦接至第三井區。本發明也提供一種半導體裝置之製造方法。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备，包括：埋藏氧化层，设置于基板上；半导体层，具有第一导电类型，设置于埋藏氧化层上；第一井区，具有第一导电类型，设置于半导体层中；第二井区和第三井区，具有第二导电类型，分别接近于第一井区的相对两侧，且与第一井区分别相距第一距离和第二距离；一隔绝物，覆盖第一井区和第三井区；一多晶场板(poly field plate)，具有第一或第二导电类型，设置于隔绝物上，且位于第一井区和第三井区之间的半导体层上方；第一阳极掺杂区，具有第二导电类型，设置于第二井区中；第二阳极掺杂区，具有第一导电类型，设置于第二井区中；第三阳极掺杂区，具有第一导电类型，设置于第二井区中，第二阳极掺杂区位于第三阳极掺杂区的正上方；第一阴极掺杂区，具有第二导电类型，耦接至第三井区。本发明也提供一种半导体设备之制造方法。

4. 发明专利

TW201721881A 肖特基二極體與其形成方法审中-公开
简体标题：肖特基二极管与其形成方法
公开(公告)号：TW201721881A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW104141042
申请日：2015-12-08
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：洪培恒 , HUNG, PEI HENG , 庫馬馬洛宜 , KUMAR, MANOJ , 李家豪 , LEE, CHIA HAO , 廖志成 , LIAO, CHIH CHERNG , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L29/872 , H01L21/28
摘要：本發明實施例提供之肖特基二極體，包括：第一導電型態之井區；第二導電型態之輕掺雜區，位於井區上，且第一導電型態與第二導電型態相反；第二導電型態之重掺雜區，位於井區上；閘極結構，位於部份輕掺雜區上，且閘極結構具有閘極與閘極介電層，其中閘極結構未覆蓋的輕掺雜區與重掺雜區分別位於閘極結構的相反兩側；第一接點，電性連接重掺雜區與第一電極；第二接點，電性連接閘極與第二電極；以及第三接點，電性連接輕掺雜區與第二電極。
简体摘要：本发明实施例提供之肖特基二极管，包括：第一导电型态之井区；第二导电型态之轻掺杂区，位于井区上，且第一导电型态与第二导电型态相反；第二导电型态之重掺杂区，位于井区上；闸极结构，位于部份轻掺杂区上，且闸极结构具有闸极与闸极介电层，其中闸极结构未覆盖的轻掺杂区与重掺杂区分别位于闸极结构的相反两侧；第一接点，电性连接重掺杂区与第一电极；第二接点，电性连接闸极与第二电极；以及第三接点，电性连接轻掺杂区与第二电极。

5. 发明专利

TW201835983A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201835983A
公开(公告)日：2018-10-01
申请号：TW106109888
申请日：2017-03-24
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：馬洛宜庫馬 , MANOJ, KUMAR , 李家豪 , LEE, CHIA HAO , 李芳名 , LEE, FANG MING , 李文山 , LEE, WEN SHAN , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/36
摘要：半導體裝置的製造方法包含提供具有第一導電型的半導體基底，形成具有第一導電型的磊晶層於半導體基底上，形成閘極電極於磊晶層上，形成第一遮罩圖案於閘極電極上，實施第一摻雜製程，使用第一遮罩圖案為遮罩，在閘極電極之相反兩側的磊晶層中形成虛設源極區和汲極區，其中虛設源極區和汲極區具有第二導電型，且第二導電型與第一導電型相反，以及實施第二摻雜製程，將虛設源極區轉換成源極區，其中源極區具有第一導電型。
简体摘要：半导体设备的制造方法包含提供具有第一导电型的半导体基底，形成具有第一导电型的磊晶层于半导体基底上，形成闸极电极于磊晶层上，形成第一遮罩图案于闸极电极上，实施第一掺杂制程，使用第一遮罩图案为遮罩，在闸极电极之相反两侧的磊晶层中形成虚设源极区和汲极区，其中虚设源极区和汲极区具有第二导电型，且第二导电型与第一导电型相反，以及实施第二掺杂制程，将虚设源极区转换成源极区，其中源极区具有第一导电型。

6. 发明专利

TW201714304A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201714304A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104132960
申请日：2015-10-07
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：李家豪 , LEE, CHIA HAO , 洪培恒 , HUNG, PEI HENG , 廖志成 , LIAO, CHIH CHERNG , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/335 , H01L21/20 , H01L21/265
摘要：本發明提供半導體裝置，包含具有第一導電型態的基板，具有第一導電型態的磊晶層，設置於基板上，且磊晶層內具有溝槽，具有第一導電型態的多晶矽層，位於溝槽內，以及摻雜區位於磊晶層內且沿著溝槽的側壁和底部設置並具有第二導電型態，其中摻雜區沿著溝槽的側壁和底部的厚度係一致，上述厚度為摻雜區的最外側至溝槽的側壁和底部之間的垂直距離。本發明亦提供半導體裝置的製造方法。
简体摘要：本发明提供半导体设备，包含具有第一导电型态的基板，具有第一导电型态的磊晶层，设置于基板上，且磊晶层内具有沟槽，具有第一导电型态的多晶硅层，位于沟槽内，以及掺杂区位于磊晶层内且沿着沟槽的侧壁和底部设置并具有第二导电型态，其中掺杂区沿着沟槽的侧壁和底部的厚度系一致，上述厚度为掺杂区的最外侧至沟槽的侧壁和底部之间的垂直距离。本发明亦提供半导体设备的制造方法。

7. 发明专利

TWI575740B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI575740B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104132789
申请日：2015-10-06
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：李家豪 , LEE, CHIA HAO , 林柏亨 , LIN, PO HENG , 廖志成 , LIAO, CHIH CHERNG , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L29/772 , H01L27/088 , H01L21/335

8. 发明专利

TW201839744A 顯示系統及形成源極驅動器之輸出緩衝器的方法审中-公开
简体标题：显示系统及形成源极驱动器之输出缓冲器的方法
公开(公告)号：TW201839744A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106112734
申请日：2017-04-17
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：秦玉龍 , CHIN, YU LUNG , 許靜宜 , HSU, CHING YI , 劉昌和 , LIU, CHANG HE , 廖志成 , LIAO, CHIH CHERNG , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI , 方略 , FANG, LEUH
IPC分类号： G09G3/32 , H01L21/8258
摘要：本發明實施例係提供一種顯示系統及一種形成源極驅動器之輸出緩衝器的方法。上述顯示系統包括複數畫素，耦接複數閘極線與複數源極線。一閘極驅動器，產生複數閘極信號予上述等閘極線。一源極驅動器，產生複數影像信號予上述等源極線，上述源極驅動器包括一輸出緩衝器，其中上述輸出緩衝器包括一電晶體元件，上述電晶體元件為一初始導通電晶體元件、一空乏型電晶體元件或一低臨界電壓電晶體元件的其中一個。
简体摘要：本发明实施例系提供一种显示系统及一种形成源极驱动器之输出缓冲器的方法。上述显示系统包括复数像素，耦接复数闸极线与复数源极线。一闸极驱动器，产生复数闸极信号予上述等闸极线。一源极驱动器，产生复数影像信号予上述等源极线，上述源极驱动器包括一输出缓冲器，其中上述输出缓冲器包括一晶体管组件，上述晶体管组件为一初始导通晶体管组件、一空乏型晶体管组件或一低临界电压晶体管组件的其中一个。

9. 发明专利

TWI618128B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI618128B
公开(公告)日：2018-03-11
申请号：TW106109888
申请日：2017-03-24
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：馬洛宜庫馬 , MANOJ, KUMAR , 李家豪 , LEE, CHIA HAO , 李芳名 , LEE, FANG MING , 李文山 , LEE, WEN SHAN , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L21/28 , H01L29/40 , H01L29/36

10. 发明专利

TW201715642A 半導體結構與其形成方法审中-公开
简体标题：半导体结构与其形成方法
公开(公告)号：TW201715642A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104134159
申请日：2015-10-19
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：庫馬馬洛宜 , KUMAR, MANOJ , 李家豪 , LEE, CHIA HAO , 廖志成 , LIAO, CHIH CHERNG , 陳強偉 , CHEN, JUN WEI
IPC分类号： H01L21/74 , H01L27/04 , H01L29/06
摘要：本發明提供之半導體結構，包括：第一高電壓金氧半裝置區，包括：第一輕掺雜區位於基板中，且基板與第一輕掺雜區之導電型態相同；第一井區位於基板中，實質上接觸第一輕掺雜區之側邊而不延伸至第一輕雜區下方，其中第一井區與第一輕掺雜區之導電型態相反；第一閘極堆疊，位於部份第一輕掺雜區與部份第一井區上；第一重掺雜區，分別位於第一閘極堆疊兩側的第一井區與第一輕掺雜區中，其中第一重掺雜區與第一輕掺雜區之導電型態相反，其中位於第一井區與第一重掺雜區之間的輕掺雜區係第一高電壓金氧半裝置區的通道區。
简体摘要：本发明提供之半导体结构，包括：第一高电压金氧半设备区，包括：第一轻掺杂区位于基板中，且基板与第一轻掺杂区之导电型态相同；第一井区位于基板中，实质上接触第一轻掺杂区之侧边而不延伸至第一轻杂区下方，其中第一井区与第一轻掺杂区之导电型态相反；第一闸极堆栈，位于部份第一轻掺杂区与部份第一井区上；第一重掺杂区，分别位于第一闸极堆栈两侧的第一井区与第一轻掺杂区中，其中第一重掺杂区与第一轻掺杂区之导电型态相反，其中位于第一井区与第一重掺杂区之间的轻掺杂区系第一高电压金氧半设备区的信道区。

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