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1. 发明专利

TW201839981A 具有分段式濃度的功率半導體裝置审中-公开
简体标题：具有分段式浓度的功率半导体设备
公开(公告)号：TW201839981A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106113215
申请日：2017-04-20
申请人：聚積科技股份有限公司 , MACROBLOCK, INC.
发明人：李坤彥 , LEE, KUNG-YEN , 黃智方 , HUANG, CHIH-FANG , 王聖中 , WANG, SHENG-ZHONG , 鄭家慧 , CHENG, CHIA-HUI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要：一種具有分段式濃度的功率半導體裝置，包含一基板、一本體，及一電極單元。本體包括設置於基板上的主動單元、設置於基板上並環圍主動單元的邊緣終端部，及與基板相間隔形成於邊緣終端部上的絕緣氧化層，定義由主動單元往邊緣終端部為第一方向，及垂直第一方向為第二方向，邊緣終端部具有第一半導體區，及多個分布於第一半導體區內的第二半導體區，第二半導體區沿第二方向彼此間隔排列，且沿第一方向具有至少一間距。電極單元包括形成於本體上並與主動單元電連接的第一電極層，及一與本體相間隔地形成於基板的第二電極層。
简体摘要：一种具有分段式浓度的功率半导体设备，包含一基板、一本体，及一电极单元。本体包括设置于基板上的主动单元、设置于基板上并环围主动单元的边缘终端部，及与基板相间隔形成于边缘终端部上的绝缘氧化层，定义由主动单元往边缘终端部为第一方向，及垂直第一方向为第二方向，边缘终端部具有第一半导体区，及多个分布于第一半导体区内的第二半导体区，第二半导体区沿第二方向彼此间隔排列，且沿第一方向具有至少一间距。电极单元包括形成于本体上并与主动单元电连接的第一电极层，及一与本体相间隔地形成于基板的第二电极层。

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