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    • 1. 发明专利
    • 具有分段式濃度的功率半導體裝置
    • 具有分段式浓度的功率半导体设备
    • TW201839981A
    • 2018-11-01
    • TW106113215
    • 2017-04-20
    • 聚積科技股份有限公司MACROBLOCK, INC.
    • 李坤彥LEE, KUNG-YEN黃智方HUANG, CHIH-FANG王聖中WANG, SHENG-ZHONG鄭家慧CHENG, CHIA-HUI
    • H01L29/06H01L29/36H01L29/66H01L29/78
    • 一種具有分段式濃度的功率半導體裝置,包含一基板、一本體,及一電極單元。本體包括設置於基板上的主動單元、設置於基板上並環圍主動單元的邊緣終端部,及與基板相間隔形成於邊緣終端部上的絕緣氧化層,定義由主動單元往邊緣終端部為第一方向,及垂直第一方向為第二方向,邊緣終端部具有第一半導體區,及多個分布於第一半導體區內的第二半導體區,第二半導體區沿第二方向彼此間隔排列,且沿第一方向具有至少一間距。電極單元包括形成於本體上並與主動單元電連接的第一電極層,及一與本體相間隔地形成於基板的第二電極層。
    • 一种具有分段式浓度的功率半导体设备,包含一基板、一本体,及一电极单元。本体包括设置于基板上的主动单元、设置于基板上并环围主动单元的边缘终端部,及与基板相间隔形成于边缘终端部上的绝缘氧化层,定义由主动单元往边缘终端部为第一方向,及垂直第一方向为第二方向,边缘终端部具有第一半导体区,及多个分布于第一半导体区内的第二半导体区,第二半导体区沿第二方向彼此间隔排列,且沿第一方向具有至少一间距。电极单元包括形成于本体上并与主动单元电连接的第一电极层,及一与本体相间隔地形成于基板的第二电极层。