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1. 发明专利

TW201719888A 具有漸變濃度之邊緣終端結構的功率半導體裝置审中-公开
简体标题：具有渐变浓度之边缘终端结构的功率半导体设备
公开(公告)号：TW201719888A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104138971
申请日：2015-11-24
申请人：聚積科技股份有限公司 , MACROBLOCK, INC.
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 李坤彥 , LEE, KUNG YEN , 鄭家慧 , CHENG, CHIA HUI , 王聖中 , WANG, SHENG ZHONG
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/0878 , H01L29/36 , H01L29/42356 , H01L29/7811 , H01L29/7827
摘要：一種具有漸變濃度之邊緣終端結構的功率半導體裝置，包含一基板、一本體，及一電極單元。本體形成於基板上並包括主動部、環圍主動部的邊緣終端部，及絕緣氧化層，主動部具有多個相互並聯的電晶體，邊緣終端部具有呈第一型半導體特性的第一半導體區、呈第二型半導體特性的第二半導體區，及遠離基板的頂面，絕緣氧化層與基板相間隔地形成於邊緣終端部，第一半導體特性的濃度由頂面往基板方向遞減。電極單元包括與電晶體連接且部分形成於絕緣氧化層上的第一電極層，及與本體相間隔地形成於基板的第二電極層。
简体摘要：一种具有渐变浓度之边缘终端结构的功率半导体设备，包含一基板、一本体，及一电极单元。本体形成于基板上并包括主动部、环围主动部的边缘终端部，及绝缘氧化层，主动部具有多个相互并联的晶体管，边缘终端部具有呈第一型半导体特性的第一半导体区、呈第二型半导体特性的第二半导体区，及远离基板的顶面，绝缘氧化层与基板相间隔地形成于边缘终端部，第一半导体特性的浓度由顶面往基板方向递减。电极单元包括与晶体管连接且部分形成于绝缘氧化层上的第一电极层，及与本体相间隔地形成于基板的第二电极层。

2. 发明专利

TWI699887B 具有分段式濃度的功率半導體裝置有权
简体标题：具有分段式浓度的功率半导体设备
公开(公告)号：TWI699887B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：TW106113215
申请日：2017-04-20
申请人：聚積科技股份有限公司 , MACROBLOCK, INC.
发明人：李坤彥 , LEE, KUNG-YEN , 黃智方 , HUANG, CHIH-FANG , 王聖中 , WANG, SHENG ZHONG , 鄭家慧 , CHENG, CHIA HUI , 葉文彬
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/78

3. 发明专利

TW201839981A 具有分段式濃度的功率半導體裝置审中-公开
简体标题：具有分段式浓度的功率半导体设备
公开(公告)号：TW201839981A
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW106113215
申请日：2017-04-20
申请人：聚積科技股份有限公司 , MACROBLOCK, INC.
发明人：李坤彥 , LEE, KUNG-YEN , 黃智方 , HUANG, CHIH-FANG , 王聖中 , WANG, SHENG-ZHONG , 鄭家慧 , CHENG, CHIA-HUI
IPC分类号： H01L29/06 , H01L29/36 , H01L29/66 , H01L29/78
摘要：一種具有分段式濃度的功率半導體裝置，包含一基板、一本體，及一電極單元。本體包括設置於基板上的主動單元、設置於基板上並環圍主動單元的邊緣終端部，及與基板相間隔形成於邊緣終端部上的絕緣氧化層，定義由主動單元往邊緣終端部為第一方向，及垂直第一方向為第二方向，邊緣終端部具有第一半導體區，及多個分布於第一半導體區內的第二半導體區，第二半導體區沿第二方向彼此間隔排列，且沿第一方向具有至少一間距。電極單元包括形成於本體上並與主動單元電連接的第一電極層，及一與本體相間隔地形成於基板的第二電極層。
简体摘要：一种具有分段式浓度的功率半导体设备，包含一基板、一本体，及一电极单元。本体包括设置于基板上的主动单元、设置于基板上并环围主动单元的边缘终端部，及与基板相间隔形成于边缘终端部上的绝缘氧化层，定义由主动单元往边缘终端部为第一方向，及垂直第一方向为第二方向，边缘终端部具有第一半导体区，及多个分布于第一半导体区内的第二半导体区，第二半导体区沿第二方向彼此间隔排列，且沿第一方向具有至少一间距。电极单元包括形成于本体上并与主动单元电连接的第一电极层，及一与本体相间隔地形成于基板的第二电极层。

4. 发明专利

TWI581425B 具有漸變濃度之邊緣終端結構的功率半導體裝置有权
简体标题：具有渐变浓度之边缘终端结构的功率半导体设备
公开(公告)号：TWI581425B
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW104138971
申请日：2015-11-24
申请人：聚積科技股份有限公司 , MACROBLOCK, INC.
发明人：黃智方 , HUANG, CHIH FANG , 李坤彥 , LEE, KUNG YEN , 鄭家慧 , CHENG, CHIA HUI , 王聖中 , WANG, SHENG ZHONG
IPC分类号： H01L29/36 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/0619 , H01L29/0615 , H01L29/063 , H01L29/0878 , H01L29/36 , H01L29/42356 , H01L29/7811 , H01L29/7827

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