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1. 实用新型

TWM539699U 集成化串聯蕭特基二極體之整流裝置有权
简体标题：集成化串联萧特基二极管之整流设备
公开(公告)号：TWM539699U
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105216390
申请日：2016-10-27
申请人：矽萊克電子股份有限公司 , SIRECTIFIER ELECTRONIC CO., LTD.
发明人：陳文彬 , CHEN, WEN PIN , 李國棟 , LEE, KUO TUNG
IPC分类号： H01L27/095

2. 发明专利

TWI395320B 氮化鎵半導體裝置失效
简体标题：氮化镓半导体设备
公开(公告)号：TWI395320B
公开(公告)日：2013-05-01
申请号：TW094143856
申请日：2005-12-12
申请人：電源整合公司 , POWER INTEGRATIONS, INC.
发明人：朱廷剛 , ZHU, TINGGANG , 布萊安S 希爾頓 , SHELTON, BRYAN S. , 馬克K 帕比茲 , PABISZ, MAREK K. , 馬克高特佛蘭德 , GOTTFRIED, MARK , 劉琳藺 , LIU, LINLIN , 米蘭波菲瑞斯提克 , POPHRISTIC, MILAN , 麥可默菲 , MURPHY, MICHAEL , 理查A 史托 , STALL, RICHARD A.
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/338 , H01L27/085
CPC分类号： H01L29/872 , H01L29/2003 , H01L29/475

3. 发明专利

TW201842678A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201842678A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107107867
申请日：2018-03-08
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 宮本広信 , MIYAMOTO, HIRONOBU
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/318 , H01L27/095
摘要：本發明之課題在於提高半導體裝置之特性。本發明之半導體裝置依序積層由第1氮化物半導體層S1構成之緩衝層、由第2氮化物半導體層S2構成之通道層、及由第3氮化物半導體層S3構成之障壁層，且具有形成於其上之由台面型第4氮化物半導體層S4構成之頂蓋層。而且，具有形成於頂蓋層之一側之源極電極SE、形成於另一側之汲極電極DE、及形成於頂蓋層上之第1閘極電極GE1。而且，第1閘極電極GE1與頂蓋層肖特基接合。如此，藉由於頂蓋層(S4)上設置肖特基閘極電極(第1閘極電極GE1)，於施加閘極電壓時，會對頂蓋層整體施加電場，從而空乏層擴大，因此能抑制閘極漏電流。
简体摘要：本发明之课题在于提高半导体设备之特性。本发明之半导体设备依序积层由第1氮化物半导体层S1构成之缓冲层、由第2氮化物半导体层S2构成之信道层、及由第3氮化物半导体层S3构成之障壁层，且具有形成于其上之由台面型第4氮化物半导体层S4构成之顶盖层。而且，具有形成于顶盖层之一侧之源极电极SE、形成于另一侧之汲极电极DE、及形成于顶盖层上之第1闸极电极GE1。而且，第1闸极电极GE1与顶盖层肖特基接合。如此，借由于顶盖层(S4)上设置肖特基闸极电极(第1闸极电极GE1)，于施加闸极电压时，会对顶盖层整体施加电场，从而空乏层扩大，因此能抑制闸极漏电流。

4. 发明专利

TWI422012B 半導體功率器件及其製備半導體功率器件之方法有权
简体标题：半导体功率器件及其制备半导体功率器件之方法
公开(公告)号：TWI422012B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW099133432
申请日：2010-09-30
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：博德馬督兒 , BOBDE, MADHUR , 管靈鵬 , GUAN, LINGPENG , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L27/095 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L29/7806 , H01L29/0619 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/404 , H01L29/41766 , H01L29/66727 , H01L29/7396 , H01L29/7805 , H01L29/7811

5. 发明专利

TWI692870B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI692870B
公开(公告)日：2020-05-01
申请号：TW106123949
申请日：2017-07-18
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：林信志 , LIN, HSIN CHIH , 林鑫成 , LIN, SHIN CHENG , 林永豪 , LIN, YUNG HAO
IPC分类号： H01L29/20 , H01L29/778 , H01L29/49 , H01L21/338 , H01L21/8252 , H01L27/02 , H01L27/095 , H01L29/812

6. 发明专利

TW201816983A 集成化串聯蕭特基二極體之整流裝置审中-公开
简体标题：集成化串联萧特基二极管之整流设备
公开(公告)号：TW201816983A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW105134837
申请日：2016-10-27
申请人：矽萊克電子股份有限公司 , SIRECTIFIER ELECTRONIC CO., LTD.
发明人：陳文彬 , CHEN, WEN PIN , 李國棟 , LEE, KUO TUNG
IPC分类号： H01L27/095
摘要：本發明係提供一種集成化串聯蕭特基二極體之整流裝置，其係於至少二個引線框架上為分別連接有蕭特基二極體晶片背面陰極，並由第一顆蕭特基二極體晶片正面陽極上連接有第一導體，其他蕭特基二極體晶片陽極上分別連接有第二導體，用以橋接於前一顆蕭特基二極體晶片位置之引線框架上而依次串聯有至少二顆蕭特基二極體晶片，而第一導體、最後一顆蕭特基二極體晶片位置之引線框架、第二導體則分別與電極引腳組之陽極引腳、陰極引腳及外接引腳相連接，再於引線框架上設置有塑封體，此種可利用單一裝置及成本便宜的較低耐壓、逆向恢復時間更快之蕭特基二極體串聯來增加反向耐壓，進而達到製造簡便、體積小、良率高及可自動化生產使成本更為低廉之效用。
简体摘要：本发明系提供一种集成化串联萧特基二极管之整流设备，其系于至少二个引线框架上为分别连接有萧特基二极管芯片背面阴极，并由第一颗萧特基二极管芯片正面阳极上连接有第一导体，其他萧特基二极管芯片阳极上分别连接有第二导体，用以桥接于前一颗萧特基二极管芯片位置之引线框架上而依次串联有至少二颗萧特基二极管芯片，而第一导体、最后一颗萧特基二极管芯片位置之引线框架、第二导体则分别与电极引脚组之阳极引脚、阴极引脚及外置引脚相连接，再于引线框架上设置有塑封体，此种可利用单一设备及成本便宜的较低耐压、逆向恢复时间更快之萧特基二极管串联来增加反向耐压，进而达到制造简便、体积小、良率高及可自动化生产使成本更为低廉之效用。

7. 发明专利

TW201630160A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201630160A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104137745
申请日：2015-11-16
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 宮本広信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO
IPC分类号： H01L27/095 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L27/06 , H03K17/04
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0203 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7787 , H01L29/872 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45144 , H01L2224/4846 , H01L2224/4903 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00
摘要：本發明之半導體裝置係抑制開關波形之瞬變。例如，設置有作為功率電晶體Q3之源極及二極體D4之陰極而發揮功能、且作為功率電晶體Q4之汲極及二極體D3之陽極而發揮功能之配線L5。亦即，將功率電晶體及與該功率電晶體串聯連接之二極體形成於同一個半導體晶片，且，將作為功率電晶體之汲極發揮功能之配線與作為二極體之陽極發揮功能之配線共有化。藉此，可降低互相串聯連接之功率電晶體與二極體之間之寄生電感。
简体摘要：本发明之半导体设备系抑制开关波形之瞬变。例如，设置有作为功率晶体管Q3之源极及二极管D4之阴极而发挥功能、且作为功率晶体管Q4之汲极及二极管D3之阳极而发挥功能之配线L5。亦即，将功率晶体管及与该功率晶体管串联连接之二极管形成于同一个半导体芯片，且，将作为功率晶体管之汲极发挥功能之配线与作为二极管之阳极发挥功能之配线共有化。借此，可降低互相串联连接之功率晶体管与二极管之间之寄生电感。

8. 发明专利

TWI645540B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI645540B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW104137745
申请日：2015-11-16
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 宮本広信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO
IPC分类号： H01L27/095 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L27/06 , H03K17/04

9. 发明专利

TW201637133A ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導體磊晶晶圓及其之製造方法审中-公开
简体标题：ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体磊晶晶圆及其之制造方法
公开(公告)号：TW201637133A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105100951
申请日：2016-01-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：守谷美彦 , MORIYA, YOSHIHIKO , 目黒健 , MEGURO, TAKESHI , 和田次郎 , WADA, JIRO
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/331 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
摘要：即使於HEMT構造層與HBT構造層間之止擋層較薄時，亦可充分獲得蝕刻選擇比。具備單晶基板(11)、形成於單晶基板(11)上且於最上層形成有由GaAs所成之肖特基(Schottky)層(18)之高電子移動度電晶體構造層(2)、形成於高電子移動度電晶體構造層(2)上之雜雙極電晶體構造層(3)、以及形成於高電子移動度電晶體構造層(2)與雜雙極電晶體構造層(3)之間之第1止擋層(19)，於雜雙極電晶體構造層(3)之較基底層(24)更靠高電子移動度電晶體構造層(2)側，形成有對於使雜雙極電晶體構造層(3)蝕刻之蝕刻液蝕刻選擇比高於GaAs或不被蝕刻之第2止擋層(22)者。
简体摘要：即使于HEMT构造层与HBT构造层间之止挡层较薄时，亦可充分获得蚀刻选择比。具备单晶基板(11)、形成於单晶基板(11)上且于最上层形成有由GaAs所成之肖特基(Schottky)层(18)之高电子移动度晶体管构造层(2)、形成于高电子移动度晶体管构造层(2)上之杂双极晶体管构造层(3)、以及形成于高电子移动度晶体管构造层(2)与杂双极晶体管构造层(3)之间之第1止挡层(19)，于杂双极晶体管构造层(3)之较基底层(24)更靠高电子移动度晶体管构造层(2)侧，形成有对于使杂双极晶体管构造层(3)蚀刻之蚀刻液蚀刻选择比高于GaAs或不被蚀刻之第2止挡层(22)者。

10. 发明专利

TWI479666B 形成溝槽下方ＰＮ鉗夾區域的結構與方法有权
简体标题：形成沟槽下方ＰＮ钳夹区域的结构与方法
公开(公告)号：TWI479666B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW098126359
申请日：2009-08-05
申请人：快捷半導體公司 , FAIRCHILD SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：雷席莫馬克 , RINEHIMER, MARK
IPC分类号： H01L29/872 , H01L27/095 , H01L21/8248
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0727 , H01L29/0623 , H01L29/0626 , H01L29/1608 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/407 , H01L29/66143 , H01L29/7806 , H01L29/7808 , H01L29/872 , H01L29/8725

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