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1. 发明专利

TW201842678A 半導體裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201842678A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107107867
申请日：2018-03-08
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 宮本広信 , MIYAMOTO, HIRONOBU
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/318 , H01L27/095
摘要：本發明之課題在於提高半導體裝置之特性。本發明之半導體裝置依序積層由第1氮化物半導體層S1構成之緩衝層、由第2氮化物半導體層S2構成之通道層、及由第3氮化物半導體層S3構成之障壁層，且具有形成於其上之由台面型第4氮化物半導體層S4構成之頂蓋層。而且，具有形成於頂蓋層之一側之源極電極SE、形成於另一側之汲極電極DE、及形成於頂蓋層上之第1閘極電極GE1。而且，第1閘極電極GE1與頂蓋層肖特基接合。如此，藉由於頂蓋層(S4)上設置肖特基閘極電極(第1閘極電極GE1)，於施加閘極電壓時，會對頂蓋層整體施加電場，從而空乏層擴大，因此能抑制閘極漏電流。
简体摘要：本发明之课题在于提高半导体设备之特性。本发明之半导体设备依序积层由第1氮化物半导体层S1构成之缓冲层、由第2氮化物半导体层S2构成之信道层、及由第3氮化物半导体层S3构成之障壁层，且具有形成于其上之由台面型第4氮化物半导体层S4构成之顶盖层。而且，具有形成于顶盖层之一侧之源极电极SE、形成于另一侧之汲极电极DE、及形成于顶盖层上之第1闸极电极GE1。而且，第1闸极电极GE1与顶盖层肖特基接合。如此，借由于顶盖层(S4)上设置肖特基闸极电极(第1闸极电极GE1)，于施加闸极电压时，会对顶盖层整体施加电场，从而空乏层扩大，因此能抑制闸极漏电流。

2. 发明专利

TWI634637B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI634637B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW104121248
申请日：2015-07-01
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8252

3. 发明专利

TWI663698B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI663698B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW104102934
申请日：2015-01-29
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：中山達峰 , NAKAYAMA, TATSUO , 宮本廣信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO , 三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 井上隆 , INOUE, TAKASHI
IPC分类号： H01L23/522 , H01L27/06 , H01L29/778

4. 发明专利

TWI645540B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI645540B
公开(公告)日：2018-12-21
申请号：TW104137745
申请日：2015-11-16
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 宮本広信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO
IPC分类号： H01L27/095 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L27/06 , H03K17/04

5. 发明专利

TWI625796B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI625796B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW104102935
申请日：2015-01-29
申请人：日商瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 中山達峰 , NAKAYAMA, TATSUO , 井上隆 , INOUE, TAKASHI , 宮本廣信 , MIYAMOTO, HIRONOBU
IPC分类号： H01L21/338 , H01L29/778 , H01L29/812 , H01L21/336 , H01L29/78

6. 发明专利

TWI627752B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI627752B
公开(公告)日：2018-06-21
申请号：TW103117520
申请日：2014-05-19
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：井上隆 , INOUE, TAKASHI , 中山達峰 , NAKAYAMA, TATSUO , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO , 川口宏 , KAWAGUCHI, HIROSHI , 竹脇利至 , TAKEWAKI, TOSHIYUKI , 名倉延宏 , NAGURA, NOBUHIRO , 永井隆行 , NAGAI, TAKAYUKI , 三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 宮本廣信 , MIYAMOTO, HIRONOBU
IPC分类号： H01L29/78 , H01L21/28

7. 发明专利

TW201613058A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201613058A
公开(公告)日：2016-04-01
申请号：TW104121248
申请日：2015-07-01
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO
IPC分类号： H01L23/528 , H01L27/02 , H01L27/06 , H01L21/8252
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L21/8252 , H01L23/4824 , H01L23/528 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L2924/00 , H01L2924/0002
摘要：本發明之目的在於抑制因為汲極電極與二極體之陰極電極之間的配線其電感，導致電晶體與陰極之間的切換速度降低的情況。本發明中，於基板上形成電晶體及二極體。電晶體與二極體在第1方向上並排。基板上更形成第1配線、第1分支配線以及第2分支配線。第1配線，在電晶體與二極體之間延伸。第1分支配線，在與電晶體重疊的方向上，從第1配線延伸出來，並與電晶體連接。第2分支配線，在與二極體重疊的方向上，從第1配線延伸出來，並與二極體連接。
简体摘要：本发明之目的在于抑制因为汲极电极与二极管之阴极电极之间的配线其电感，导致晶体管与阴极之间的切换速度降低的情况。本发明中，于基板上形成晶体管及二极管。晶体管与二极管在第1方向上并排。基板上更形成第1配线、第1分支配线以及第2分支配线。第1配线，在晶体管与二极管之间延伸。第1分支配线，在与晶体管重叠的方向上，从第1配线延伸出来，并与晶体管连接。第2分支配线，在与二极管重叠的方向上，从第1配线延伸出来，并与二极管连接。

8. 发明专利

TW201546992A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201546992A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104102934
申请日：2015-01-29
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：中山達峰 , NAKAYAMA, TATSUO , 宮本廣信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO , 三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 井上隆 , INOUE, TAKASHI
IPC分类号： H01L23/522 , H01L27/06 , H01L29/778
CPC分类号： H01L29/7783 , H01L23/5226 , H01L27/0605 , H01L29/0649 , H01L29/1066 , H01L29/1075 , H01L29/1087 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/41758 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/861 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明之目的在於改善半導體裝置的特性。本發明之半導體裝置構成為，於形成在基板S之上方的n+ 層NL、n型層Dn、p型層Dp、通道層CH及障壁層BA之中，具有：溝槽T，貫通障壁層BA而到達至通道層CH的中途為止；閘極電極GE，於該溝槽T內隔著閘極絕緣膜GI而配置；以及源極電極SE及汲極電極DE，分別形成於閘極電極GE之兩側的障壁層BA之上方。而藉由到達至n+ 層NL為止之連接部VIAD，將n型層Dn與汲極電極DE電性連接。此外，藉由到達至p型層Dp為止之連接部VIAS，將p型層Dp與源極電極SE電性連接。如此地，藉由在源極電極SE與汲極電極DE之間，設置由p型層Dp及n型層Dn構成的二極體，而防止突崩崩潰所造成之元件的破壞。
简体摘要：本发明之目的在于改善半导体设备的特性。本发明之半导体设备构成为，于形成在基板S之上方的n+ 层NL、n型层Dn、p型层Dp、信道层CH及障壁层BA之中，具有：沟槽T，贯通障壁层BA而到达至信道层CH的中途为止；闸极电极GE，于该沟槽T内隔着闸极绝缘膜GI而配置；以及源极电极SE及汲极电极DE，分别形成于闸极电极GE之两侧的障壁层BA之上方。而借由到达至n+ 层NL为止之连接部VIAD，将n型层Dn与汲极电极DE电性连接。此外，借由到达至p型层Dp为止之连接部VIAS，将p型层Dp与源极电极SE电性连接。如此地，借由在源极电极SE与汲极电极DE之间，设置由p型层Dp及n型层Dn构成的二极管，而防止突崩崩溃所造成之组件的破坏。

9. 发明专利

TW201528503A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201528503A
公开(公告)日：2015-07-16
申请号：TW103140804
申请日：2014-11-25
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：中山達峰 , NAKAYAMA, TATSUO , 宮本広信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO , 三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 井上 , INOUE, TAKASHI
IPC分类号： H01L29/15 , H01L29/20 , H01L29/41 , H01L29/772 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L21/0274 , H01L21/3065 , H01L23/535 , H01L29/0649 , H01L29/1066 , H01L29/1075 , H01L29/1087 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/201 , H01L29/205 , H01L29/402 , H01L29/4175 , H01L29/41758 , H01L29/4236 , H01L29/42376 , H01L29/66462 , H01L29/7783 , H01L29/7786
摘要：本發明的課題是在於使半導體裝置的特性提升。其解決手段是以能夠具有溝(T)、閘極電極(GE)、源極電極(SE)及汲極電極(DE)的方式構成半導體裝置，該溝(T)是貫通形成於基板(S)的上方的電位固定層(VC)、通道底層(UC)、通道層(CH)及障壁層(BA)之中的障壁層(BA)，且到達至通道層(CH)的途中，該閘極電極(GE)是在此溝(T)內隔著閘極絕緣膜(GI)來配置，該源極電極(SE)及汲極電極(DE)是分別形成於閘極電極(GE)的兩側的障壁層(BA)的上方。而且，藉由到達至電位固定層(VC)的貫通孔(TH)的內部的連接部(VIA)來電性連接電位固定層(VC)與源極電極(SE)。藉此，可減低臨界值電位或(ON)電阻等的特性的變動。
简体摘要：本发明的课题是在于使半导体设备的特性提升。其解决手段是以能够具有沟(T)、闸极电极(GE)、源极电极(SE)及汲极电极(DE)的方式构成半导体设备，该沟(T)是贯通形成于基板(S)的上方的电位固定层(VC)、信道底层(UC)、信道层(CH)及障壁层(BA)之中的障壁层(BA)，且到达至信道层(CH)的途中，该闸极电极(GE)是在此沟(T)内隔着闸极绝缘膜(GI)来配置，该源极电极(SE)及汲极电极(DE)是分别形成于闸极电极(GE)的两侧的障壁层(BA)的上方。而且，借由到达至电位固定层(VC)的贯通孔(TH)的内部的连接部(VIA)来电性连接电位固定层(VC)与源极电极(SE)。借此，可减低临界值电位或(ON)电阻等的特性的变动。

10. 发明专利

TW201630160A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201630160A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104137745
申请日：2015-11-16
申请人：瑞薩電子股份有限公司 , RENESAS ELECTRONICS CORPORATION
发明人：三浦喜直 , MIURA, YOSHINAO , 宮本広信 , MIYAMOTO, HIRONOBU , 岡本康宏 , OKAMOTO, YASUHIRO
IPC分类号： H01L27/095 , H01L29/812 , H01L29/778 , H01L29/872 , H01L29/47 , H01L27/06 , H03K17/04
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L27/0203 , H01L27/0207 , H01L27/0605 , H01L29/2003 , H01L29/205 , H01L29/7787 , H01L29/872 , H01L2224/0603 , H01L2224/45014 , H01L2224/45144 , H01L2224/4846 , H01L2224/4903 , H01L2224/49175 , H01L2924/00014 , H01L2224/45015 , H01L2924/207 , H01L2924/00
摘要：本發明之半導體裝置係抑制開關波形之瞬變。例如，設置有作為功率電晶體Q3之源極及二極體D4之陰極而發揮功能、且作為功率電晶體Q4之汲極及二極體D3之陽極而發揮功能之配線L5。亦即，將功率電晶體及與該功率電晶體串聯連接之二極體形成於同一個半導體晶片，且，將作為功率電晶體之汲極發揮功能之配線與作為二極體之陽極發揮功能之配線共有化。藉此，可降低互相串聯連接之功率電晶體與二極體之間之寄生電感。
简体摘要：本发明之半导体设备系抑制开关波形之瞬变。例如，设置有作为功率晶体管Q3之源极及二极管D4之阴极而发挥功能、且作为功率晶体管Q4之汲极及二极管D3之阳极而发挥功能之配线L5。亦即，将功率晶体管及与该功率晶体管串联连接之二极管形成于同一个半导体芯片，且，将作为功率晶体管之汲极发挥功能之配线与作为二极管之阳极发挥功能之配线共有化。借此，可降低互相串联连接之功率晶体管与二极管之间之寄生电感。

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