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1. 发明专利

TWI671822B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI671822B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107121722
申请日：2018-06-25
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：佐佐木健次 , SASAKI, KENJI , 山本靖久 , YAMAMOTO, YASUHISA
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L29/73

2. 发明专利

TW201637133A ＩＩＩ－Ｖ族化合物半導體磊晶晶圓及其之製造方法审中-公开
简体标题：ＩＩＩ－Ｖ族化合物半导体磊晶晶圆及其之制造方法
公开(公告)号：TW201637133A
公开(公告)日：2016-10-16
申请号：TW105100951
申请日：2016-01-13
申请人：住友化學股份有限公司 , SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
发明人：守谷美彦 , MORIYA, YOSHIHIKO , 目黒健 , MEGURO, TAKESHI , 和田次郎 , WADA, JIRO
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/331 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/8222 , H01L21/8248 , H01L27/06 , H01L27/095 , H01L29/737 , H01L29/778 , H01L29/812
摘要：即使於HEMT構造層與HBT構造層間之止擋層較薄時，亦可充分獲得蝕刻選擇比。具備單晶基板(11)、形成於單晶基板(11)上且於最上層形成有由GaAs所成之肖特基(Schottky)層(18)之高電子移動度電晶體構造層(2)、形成於高電子移動度電晶體構造層(2)上之雜雙極電晶體構造層(3)、以及形成於高電子移動度電晶體構造層(2)與雜雙極電晶體構造層(3)之間之第1止擋層(19)，於雜雙極電晶體構造層(3)之較基底層(24)更靠高電子移動度電晶體構造層(2)側，形成有對於使雜雙極電晶體構造層(3)蝕刻之蝕刻液蝕刻選擇比高於GaAs或不被蝕刻之第2止擋層(22)者。
简体摘要：即使于HEMT构造层与HBT构造层间之止挡层较薄时，亦可充分获得蚀刻选择比。具备单晶基板(11)、形成於单晶基板(11)上且于最上层形成有由GaAs所成之肖特基(Schottky)层(18)之高电子移动度晶体管构造层(2)、形成于高电子移动度晶体管构造层(2)上之杂双极晶体管构造层(3)、以及形成于高电子移动度晶体管构造层(2)与杂双极晶体管构造层(3)之间之第1止挡层(19)，于杂双极晶体管构造层(3)之较基底层(24)更靠高电子移动度晶体管构造层(2)侧，形成有对于使杂双极晶体管构造层(3)蚀刻之蚀刻液蚀刻选择比高于GaAs或不被蚀刻之第2止挡层(22)者。

3. 发明专利

TW201719850A 半導體裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201719850A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104139100
申请日：2015-11-25
申请人：新唐科技股份有限公司 , NUVOTON TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：鄒安莉 , TSOU, AL LI , 曾瑋豪 , TSENG, WEI HAO
IPC分类号： H01L23/60 , H01L21/8222
摘要：本揭露提供一種半導體裝置，包括：基板；第二導電型磊晶層，設於基板上；第一導電型磊晶層，設於第二導電型磊晶層上；第二導電型埋藏層，設於第二導電型磊晶層中；第一隔離溝槽、第二隔離溝槽及第三隔離溝槽，其中第一隔離溝槽與第二隔離溝槽之間的區域為第一隔離區，第二隔離溝槽與第三隔離溝槽之間的區域為第二隔離區；第一導電型第一重摻雜區，設於第一隔離區中的第二導電型磊晶層中；以及第二導電型第一重摻雜區，設於第二隔離區中的第一導電型磊晶層中。本揭露亦提供此半導體裝置之製造方法。
简体摘要：本揭露提供一种半导体设备，包括：基板；第二导电型磊晶层，设于基板上；第一导电型磊晶层，设于第二导电型磊晶层上；第二导电型埋藏层，设于第二导电型磊晶层中；第一隔离沟槽、第二隔离沟槽及第三隔离沟槽，其中第一隔离沟槽与第二隔离沟槽之间的区域为第一隔离区，第二隔离沟槽与第三隔离沟槽之间的区域为第二隔离区；第一导电型第一重掺杂区，设于第一隔离区中的第二导电型磊晶层中；以及第二导电型第一重掺杂区，设于第二隔离区中的第一导电型磊晶层中。本揭露亦提供此半导体设备之制造方法。

4. 发明专利

TW201618299A 功率半導體元件及其製造方法审中-公开
简体标题：功率半导体组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201618299A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW103139147
申请日：2014-11-12
申请人：台灣茂矽電子股份有限公司 , MOSEL VITELIC INC.
发明人：張建平 , CHANG, CHIEN-PING
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/8222
CPC分类号： H01L29/66348 , H01L21/268 , H01L29/0834 , H01L29/7397
摘要：本案係關於一種功率半導體元件，包括半導體基板、金屬氧化物半導體區、N型緩衝區、P型注入區、背向溝渠區及集極金屬區。半導體基板具有第一表面及第二表面。金屬氧化物半導體區形成於第一表面，且定義N型高阻值區。N型緩衝區以離子佈植之方式植入形成於第二表面。P型注入區以離子佈植之方式植入形成於N型緩衝區，並經至少一次離子雷射退火。背向溝渠區形成於P型注入區以及部分之N型緩衝區。集極金屬區形成於P型注入區以及背向溝渠區，俾藉由集極金屬區、P型注入區及N型緩衝區之短路形成一並聯之反向二極體結構。
简体摘要：本案系关于一种功率半导体组件，包括半导体基板、金属氧化物半导体区、N型缓冲区、P型注入区、背向沟渠区及集极金属区。半导体基板具有第一表面及第二表面。金属氧化物半导体区形成于第一表面，且定义N型高阻值区。N型缓冲区以离子布植之方式植入形成于第二表面。P型注入区以离子布植之方式植入形成于N型缓冲区，并经至少一次离子激光退火。背向沟渠区形成于P型注入区以及部分之N型缓冲区。集极金属区形成于P型注入区以及背向沟渠区，俾借由集极金属区、P型注入区及N型缓冲区之短路形成一并联之反向二极管结构。

5. 发明专利

TW201911420A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201911420A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107121722
申请日：2018-06-25
申请人：日商村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：佐佐木健次 , SASAKI, KENJI , 山本靖久 , YAMAMOTO, YASUHISA
IPC分类号： H01L21/331 , H01L21/8222 , H01L29/73
摘要：本發明提供一種能夠提高雙極性電晶體與電路元件的布局的自由度的半導體裝置。在具有包含在進行了蝕刻率依賴於晶面取向的異向性蝕刻時倒台面型的階差延伸的第一方向與正台面型的階差延伸的第二方向的上表面的單晶的半導體基板上，配置有：雙極性電晶體，包含外延生長的集極層、基極層、以及射極層；及基極配線，與基極層連接。在基極層的邊緣設置有階差，基極配線在俯視下在與第一方向交叉的方向從基極層的內側引出至外側。基極層的邊緣與基極配線的交叉部位設為斷線防止構造，該斷線防止構造與對基極層和集極層進行異向性蝕刻而形成的倒台面型的階差與基極層交叉的構造相比，不易產生起因於階差的基極配線的斷線。
简体摘要：本发明提供一种能够提高双极性晶体管与电路组件的布局的自由度的半导体设备。在具有包含在进行了蚀刻率依赖于晶面取向的异向性蚀刻时倒台面型的阶差延伸的第一方向与正台面型的阶差延伸的第二方向的上表面的单晶的半导体基板上，配置有：双极性晶体管，包含外延生长的集极层、基极层、以及射极层；及基极配线，与基极层连接。在基极层的边缘设置有阶差，基极配线在俯视下在与第一方向交叉的方向从基极层的内侧引出至外侧。基极层的边缘与基极配线的交叉部位设为断线防止构造，该断线防止构造与对基极层和集极层进行异向性蚀刻而形成的倒台面型的阶差与基极层交叉的构造相比，不易产生起因于阶差的基极配线的断线。

6. 发明专利

TW201810527A 半導體結構及其製造方法审中-公开
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201810527A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW105127211
申请日：2016-08-25
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳世凱 , WU, SHIH KAI , 王晟宇 , WANG, CHENG YU
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/335 , H01L21/8222
摘要：本揭露提供一種半導體結構，包括：一第一基板；一氧化層，形成於該第一基板上；一第二基板，形成於該氧化層上；複數個半導體裝置，形成於該第二基板中；複數個第一溝槽，形成於該第二基板中並填入有一介電材料與一導電材料，其中該等第一溝槽彼此分離，且該等第一溝槽之其中之一包圍該等半導體裝置之其中之一；一接觸窗，形成於該第二基板中並穿過該氧化層，與該第一基板連接，其中該接觸窗填入有該介電材料與該導電材料；以及一第三溝槽，形成於該第二基板中並填入有該介電材料與該導電材料，其中該第三溝槽包圍該接觸窗。本揭露另提供一種半導體結構之製造方法。
简体摘要：本揭露提供一种半导体结构，包括：一第一基板；一氧化层，形成于该第一基板上；一第二基板，形成于该氧化层上；复数个半导体设备，形成于该第二基板中；复数个第一沟槽，形成于该第二基板中并填入有一介电材料与一导电材料，其中该等第一沟槽彼此分离，且该等第一沟槽之其中之一包围该等半导体设备之其中之一；一接触窗，形成于该第二基板中并穿过该氧化层，与该第一基板连接，其中该接触窗填入有该介电材料与该导电材料；以及一第三沟槽，形成于该第二基板中并填入有该介电材料与该导电材料，其中该第三沟槽包围该接触窗。本揭露另提供一种半导体结构之制造方法。

7. 发明专利

TWI575651B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI575651B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW105127211
申请日：2016-08-25
申请人：世界先進積體電路股份有限公司 , VANGUARD INTERNATIONAL SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：吳世凱 , WU, SHIH KAI , 王晟宇 , WANG, CHENG YU
IPC分类号： H01L21/76 , H01L21/335 , H01L21/8222

8. 发明专利

TW201526235A 絕緣閘極雙極性電晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：绝缘闸极双极性晶体管及其制造方法
公开(公告)号：TW201526235A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103142681
申请日：2014-12-08
申请人：愛發科股份有限公司 , ULVAC, INC.
发明人：鄰嘉津彦 , TONARI, KAZUHIKO , 中川明夫 , NAKAGAWA, AKIO , 横尾秀和 , YOKOO, HIDEKAZU , 鈴木英夫 , SUZUKI, HIDEO
IPC分类号： H01L29/73 , H01L21/8222
CPC分类号： H01L29/7397 , C30B15/00 , H01L21/265 , H01L21/26506 , H01L21/324 , H01L29/0638 , H01L29/1095 , H01L29/32 , H01L29/66348 , H01L29/78
摘要：本發明提供一種能實現元件的進一步細微化或高品質化之絕緣閘極雙極性電晶體的製造方法。本發明的實施形態之一的絕緣閘極雙極性電晶體的製造方法係包含有準備以MCZ法所製作的第一導電型的半導體基板。於上述半導體基板的第一表面形成第二導電型的基極層12、第一導電型的射極區域13、以及閘極電極14。加工上述半導體基板的第二表面藉此將上述半導體基板薄化，並於經過薄化的上述第二表面植入硼，藉此形成第二導電型的集極層15。在為上述半導體基板的內部且為與集極層15的鄰接區域植入氫，藉此形成雜質濃度比上述半導體基板還高之第一導電型的緩衝層16。
简体摘要：本发明提供一种能实现组件的进一步细微化或高品质化之绝缘闸极双极性晶体管的制造方法。本发明的实施形态之一的绝缘闸极双极性晶体管的制造方法系包含有准备以MCZ法所制作的第一导电型的半导体基板。于上述半导体基板的第一表面形成第二导电型的基极层12、第一导电型的射极区域13、以及闸极电极14。加工上述半导体基板的第二表面借此将上述半导体基板薄化，并于经过薄化的上述第二表面植入硼，借此形成第二导电型的集极层15。在为上述半导体基板的内部且为与集极层15的邻接区域植入氢，借此形成杂质浓度比上述半导体基板还高之第一导电型的缓冲层16。

9. 发明专利

TWI464830B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI464830B
公开(公告)日：2014-12-11
申请号：TW100146412
申请日：2011-12-15
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：貞松康史 , SADAMATSU, KOJI , 陳則 , CHEN, ZE , 中村勝光 , NAKAMURA, KATSUMI
IPC分类号： H01L21/8222 , H01L29/70
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L29/0619

10. 发明专利

TW202005050A 覆瓦狀側向雙極型接面電晶體审中-公开
简体标题：覆瓦状侧向双极型接面晶体管
公开(公告)号：TW202005050A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108110333
申请日：2019-03-25
申请人：新加坡商西拉娜亞洲私人有限公司 , SILANNA ASIA PTE LTD.
发明人：庫許納瓦迪姆 , KUSHNER, VADIM , 貝凱尼瑪 , BEIKAE, NIMA
IPC分类号： H01L27/02 , H01L27/082 , H01L29/66 , H01L29/73 , H01L21/8222
摘要：一種側向電晶體覆瓦係藉由以下各項形成：一第一及一第二集極區域，該等第一及第二集極區域縱向地跨越該電晶體覆瓦之一第一及一第二側；以及一基極區域及一射極區域，該基極區域及該射極區域位於該等第一及第二集極區域之間並且共同以該電晶體覆瓦之一縱向中線為中心。一基極-集極間電流、一集極-射極間電流以及一基極-射極間電流水平地流動，並且該基極-射極間電流之方向垂直於該基極-集極間電流及該集極-射極間電流之方向。具有各種佈置之側向BJT電晶體由複數個覆瓦形成並且共享其共用組件。
简体摘要：一种侧向晶体管覆瓦系借由以下各项形成：一第一及一第二集极区域，该等第一及第二集极区域纵向地跨越该晶体管覆瓦之一第一及一第二侧；以及一基极区域及一射极区域，该基极区域及该射极区域位于该等第一及第二集极区域之间并且共同以该晶体管覆瓦之一纵向中线为中心。一基极-集极间电流、一集极-射极间电流以及一基极-射极间电流水平地流动，并且该基极-射极间电流之方向垂直于该基极-集极间电流及该集极-射极间电流之方向。具有各种布置之侧向BJT晶体管由复数个覆瓦形成并且共享其共享组件。

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