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1. 发明专利

TWI587358B 處理腔室氣體流動的裝置、系統及方法有权
简体标题：处理腔室气体流动的设备、系统及方法
公开(公告)号：TWI587358B
公开(公告)日：2017-06-11
申请号：TW102143863
申请日：2013-11-29
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬利尼爾 , MERRY, NIR , 賽帕寇錢德肯特M , SAPKALE, CHANDRAKANT M. , 慕蘇坎齊卡瑞普賽彌 , MUTHUKAMTCHI, KARUPPASAMY , 休根斯傑佛瑞C , HUDGENS, JEFFREY C. , 肯可那潘契拉N , KANKANLA, PENCHALA N.
IPC分类号： H01L21/02 , G05D16/10 , G05D16/16 , H01L21/205 , H01L21/3063
CPC分类号： F16K51/00 , C23C16/4412 , F16K1/24 , F16K31/00 , F16K51/02 , Y10T137/0318 , Y10T137/8593

2. 发明专利

TW201442137A 具有單一及成雙處理腔室之半導體裝置製造平台审中-公开
简体标题：具有单一及成双处理腔室之半导体设备制造平台
公开(公告)号：TW201442137A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103108694
申请日：2014-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬利尼爾 , MERRY, NIR , 萊斯麥可羅伯特 , RICE, MICHAEL ROBERT , 柯西堤蘇珊特S , KOSHTI, SUSHANT S. , 休根斯傑佛瑞C , HUDGENS, JEFFREY C.
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67196
摘要：一種用於半導體裝置製造的移送室包含(1)複數個側邊、(2)一第一基材處理器、(3)一第二基材處理器與(4)一交接位置；該複數個側邊定義一區域，該區域經配置以維持一真空程度，並允許在多數處理腔室之間運送多數基材，該複數個側邊定義該移送室之一第一部分與一第二部分，並包含(a)一第一側邊，該第一側邊連接至兩個成雙的處理腔室，以及(b)一第二側邊，該第二側邊連接至一單一處理腔室；該第一基材處理器位於該移送室之該第一部分中；該第二基材處理器位於該移送室之該第二部分中；該交接位置經配置以利用該第一與第二基材處理器，允許多數基材於該移送室之該第一位置與該第二位置之間傳遞。也提供多數方法態樣。
简体摘要：一种用于半导体设备制造的移送室包含(1)复数个侧边、(2)一第一基材处理器、(3)一第二基材处理器与(4)一交接位置；该复数个侧边定义一区域，该区域经配置以维持一真空程度，并允许在多数处理腔室之间运送多数基材，该复数个侧边定义该移送室之一第一部分与一第二部分，并包含(a)一第一侧边，该第一侧边连接至两个成双的处理腔室，以及(b)一第二侧边，该第二侧边连接至一单一处理腔室；该第一基材处理器位于该移送室之该第一部分中；该第二基材处理器位于该移送室之该第二部分中；该交接位置经配置以利用该第一与第二基材处理器，允许多数基材于该移送室之该第一位置与该第二位置之间传递。也提供多数方法态样。

3. 发明专利

TW201525182A 用於控制氣流模式的處理腔室設備、系統及方法审中-公开
简体标题：用于控制气流模式的处理腔室设备、系统及方法
公开(公告)号：TW201525182A
公开(公告)日：2015-07-01
申请号：TW103140860
申请日：2014-11-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬利尼爾 , MERRY, NIR , 賽帕寇錢德肯特M , SAPKALE, CHANDRAKANT M. , 克瑞摩曼易茲亞 , KREMERMAN, IZYA , 休根斯傑佛瑞C , HUDGENS, JEFFREY C.
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32449 , F16K1/24 , F16K31/00 , F16K51/00 , F16K51/02 , Y10T137/0318 , Y10T137/8593
摘要：處理腔室氣流控制設備可包含，或被包含於，經配置以在其中處理基板的處理腔室。該氣流控制設備可包含閥，該閥經配置以密封該處理腔室中的排氣口。該閥可在該X、Y及Z方向中相對於該排氣口而移動，以調整該處理腔室內的氣流模式(包含，例如，流動速率及/或流動均勻性)。在處理腔室內調整處理氣體之流動的方法亦被提供，如同其他態樣。
简体摘要：处理腔室气流控制设备可包含，或被包含于，经配置以在其中处理基板的处理腔室。该气流控制设备可包含阀，该阀经配置以密封该处理腔室中的排气口。该阀可在该X、Y及Z方向中相对于该排气口而移动，以调整该处理腔室内的气流模式(包含，例如，流动速率及/或流动均匀性)。在处理腔室内调整处理气体之流动的方法亦被提供，如同其他态样。

4. 发明专利

TWI421945B 含有微定位系統之快速熱處理腔室與處理基材之方法有权
简体标题：含有微定位系统之快速热处理腔室与处理基材之方法
公开(公告)号：TWI421945B
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：TW098137624
申请日：2009-11-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：索拉基庫謝 , SORABJI, KHURSHED , 拉尼思喬瑟分M , RANISH, JOSEPH M. , 亞德霍德沃夫剛 , ADERHOLD, WOLFGANG , 杭特亞倫M , HUNTER, AARON M. , 克麥爾布拉克R , KOELMEL, BLAKE R. , 雷奈亞歷山大N , LERNER, ALEXANDER N. , 馬利尼爾 , MERRY, NIR
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/68

5. 发明专利

TW201342481A 含有微定位系統之快速熱處理腔室與處理基材之方法审中-公开
简体标题：含有微定位系统之快速热处理腔室与处理基材之方法
公开(公告)号：TW201342481A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102122200
申请日：2009-11-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：索拉基庫謝 , SORABJI, KHURSHED , 拉尼思喬瑟分M , RANISH, JOSEPH M. , 亞德霍德沃夫剛 , ADERHOLD, WOLFGANG , 杭特亞倫M , HUNTER, AARON M. , 克麥爾布拉克R , KOELMEL, BLAKE R. , 雷奈亞歷山大N , LERNER, ALEXANDER N. , 馬利尼爾 , MERRY, NIR
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/68
摘要：本發明描述用於快速熱處理一平坦基板之方法及裝置，其包括使該基板軸向地對準於一基板支撐件或對準於一依實驗判定之位置。該等方法及裝置包括判定該基板與該基板支撐件之相對定向的一感測器系統。
简体摘要：本发明描述用于快速热处理一平坦基板之方法及设备，其包括使该基板轴向地对准于一基板支撑件或对准于一依实验判定之位置。该等方法及设备包括判定该基板与该基板支撑件之相对定向的一传感器系统。

6. 发明专利

TWI506670B 使用以模型為基礎的控制處理基材的方法及設備有权
简体标题：使用以模型为基础的控制处理基材的方法及设备
公开(公告)号：TWI506670B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW101125399
申请日：2012-07-13
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：波托斯凱思布萊恩 , PORTHOUSE, KEITH BRIAN , 雷恩約翰W , LANE, JOHN W. , 格勒戈爾瑪路司柯 , GREGOR, MARIUSCH , 馬利尼爾 , MERRY, NIR , 萊斯麥可R , RICE, MICHAEL R. , 明柯維奇艾力克斯 , MINKOVICH, ALEX , 李宏賓 , LI, HONGBIN , 迪日諾狄米奇A , DZILNO, DMITRY A.
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/205 , H01L21/3065
CPC分类号： G05D16/2046 , G05B17/02 , H01L21/67017 , H01L21/67253

7. 发明专利

TWI505370B 含有微定位系統之快速熱處理腔室與處理基材之方法有权
简体标题：含有微定位系统之快速热处理腔室与处理基材之方法
公开(公告)号：TWI505370B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：TW102122200
申请日：2009-11-05
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：索拉基庫謝 , SORABJI, KHURSHED , 拉尼思喬瑟分M , RANISH, JOSEPH M. , 亞德霍德沃夫剛 , ADERHOLD, WOLFGANG , 杭特亞倫M , HUNTER, AARON M. , 克麥爾布拉克R , KOELMEL, BLAKE R. , 雷奈亞歷山大N , LERNER, ALEXANDER N. , 馬利尼爾 , MERRY, NIR
IPC分类号： H01L21/324 , H01L21/68

8. 发明专利

TW201429653A 振動控制的基板傳送機械臂、系統及方法审中-公开
简体标题：振动控制的基板发送机械臂、系统及方法
公开(公告)号：TW201429653A
公开(公告)日：2014-08-01
申请号：TW102142889
申请日：2013-11-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬利尼爾 , MERRY, NIR , 明柯維奇艾力克斯 , MINKOVICH, ALEX , 哈德俊傑佛利C , HUDGENS, JEFFREY C. , 堤爾布藍登 , TILL, BRENDAN
IPC分类号： B25J19/02 , B25J19/00 , B65G43/00
CPC分类号： B25J9/1653
摘要：本文之實施例揭示了振動控制的機械臂設備。設備包括機械臂，該機械臂具有可經操作以輸送基板之端效器；耦接至機械臂之感測器，該感測器可經操作以在機械臂輸送基板時感測振動，及操作該機械臂以減少支撐基板之端效器之振動。在一些實施例中，馬達驅動電路中提供一濾波器以過濾導致端效器不利振動之一或更多個頻率。本文亦提供振動控制系統及操作該系統之方法，及其他態樣。
简体摘要：本文之实施例揭示了振动控制的机械臂设备。设备包括机械臂，该机械臂具有可经操作以输送基板之端效器；耦接至机械臂之传感器，该传感器可经操作以在机械臂输送基板时传感振动，及操作该机械臂以减少支撑基板之端效器之振动。在一些实施例中，马达驱动电路中提供一滤波器以过滤导致端效器不利振动之一或更多个频率。本文亦提供振动控制系统及操作该系统之方法，及其他态样。

9. 发明专利

TWI610394B 具有單一及成雙處理腔室之半導體裝置製造平台有权
简体标题：具有单一及成双处理腔室之半导体设备制造平台
公开(公告)号：TWI610394B
公开(公告)日：2018-01-01
申请号：TW103108694
申请日：2014-03-12
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬利尼爾 , MERRY, NIR , 萊斯麥可羅伯特 , RICE, MICHAEL ROBERT , 柯西堤蘇珊特S , KOSHTI, SUSHANT S. , 休根斯傑佛瑞C , HUDGENS, JEFFREY C.
IPC分类号： H01L21/677
CPC分类号： H01L21/6719 , H01L21/67196

10. 发明专利

TWI602946B 用於控制氣流模式的處理腔室設備、系統及方法有权
简体标题：用于控制气流模式的处理腔室设备、系统及方法
公开(公告)号：TWI602946B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW103140860
申请日：2014-11-25
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬利尼爾 , MERRY, NIR , 賽帕寇錢德肯特M , SAPKALE, CHANDRAKANT M. , 克瑞摩曼易茲亞 , KREMERMAN, IZYA , 休根斯傑佛瑞C , HUDGENS, JEFFREY C.
IPC分类号： C23C16/455
CPC分类号： H01J37/32449 , F16K1/24 , F16K31/00 , F16K51/00 , F16K51/02 , Y10T137/0318 , Y10T137/8593

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