基本信息:
- 专利标题： 影像感測器及其製造方法
- 专利标题（英）：IMAGE SENSOR AND METHOD OF MAKING
- 专利标题（中）：影像传感器及其制造方法
- 申请号：TW108138891 申请日：2019-10-28
- 公开(公告)号：TW202027263A 公开(公告)日：2020-07-16
- 发明人： 陳柏瀚 , CHEN, PO HAN , 陳貞君 , CHEN, CHEN CHUN , 張復誠 , CHANG, FU CHENG , 李國政 , LEE, KUO CHENG
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 李世章; 秦建譜
- 优先权： 62/753,562 20181031;16/595,092 20191007
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L21/8238 ; H01L21/20 ; H01L21/28
摘要：
一種影像感測器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光電二極體。影像感測器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光電二極體，其中第一尺寸與第二尺寸不同。影像感測器更包含在基板上的第一緩衝層。影像感測器更包含在第一緩衝器上的遮罩層，其中第一緩衝層和遮罩層定義與第一光電二極體對準的第一凹陷和與第二光電二極體對準的第二凹陷。影像感測器更包含在第一凹陷中的閃爍減弱層，其中第二凹陷沒有閃爍減弱層。
摘要（中）：
一种影像传感器包含基板和在基板中的具有第一尺寸的第一光电二极管。影像传感器更包含在基板中具有第二尺寸的第二光电二极管，其中第一尺寸与第二尺寸不同。影像传感器更包含在基板上的第一缓冲层。影像传感器更包含在第一缓冲器上的遮罩层，其中第一缓冲层和遮罩层定义与第一光电二极管对准的第一凹陷和与第二光电二极管对准的第二凹陷。影像传感器更包含在第一凹陷中的闪烁减弱层，其中第二凹陷没有闪烁减弱层。
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |