专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW202026469A 矽單晶長晶設備审中-公开
简体标题：硅单晶长晶设备
公开(公告)号：TW202026469A
公开(公告)日：2020-07-16
申请号：TW107147818
申请日：2018-12-28
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：陳俊宏 , CHEN, CHUN HUNG , 王興邦 , WANG, HSING PANG , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 李依晴 , LI, I CHING
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , C30B15/24 , C30B15/10 , C30B35/00
摘要：一種矽單晶長晶設備，包括爐體、支撐座、坩堝、位於坩堝外側的加熱模組、及位於坩堝上方的熱能調節模組。熱能調節模組包括一導流筒、多個保溫片、及一硬軸。導流筒包含有一管體及連接於管體的承載體。每個保溫片套設於管體，並且多個保溫片堆疊地設置於承載體。硬軸穿設於管體內，並且硬軸不會轉動，其中，硬軸內部設有一水流通道，並且硬軸包含有一夾持端部用來夾持一晶種，藉由水流通道內注入流體，以帶走夾持端部處的熱能。此外，本發明另外提供一種矽單晶長晶設備的熱能調節模組、以及一種矽單晶長晶設備的硬軸。
简体摘要：一种硅单晶长晶设备，包括炉体、支撑座、坩埚、位于坩埚外侧的加热模块、及位于坩埚上方的热能调节模块。热能调节模块包括一导流筒、多个保温片、及一硬轴。导流筒包含有一管体及连接于管体的承载体。每个保温片套设于管体，并且多个保温片堆栈地设置于承载体。硬轴穿设于管体内，并且硬轴不会转动，其中，硬轴内部设有一水流信道，并且硬轴包含有一夹持端部用来夹持一晶种，借由水流信道内注入流体，以带走夹持端部处的热能。此外，本发明另外提供一种硅单晶长晶设备的热能调节模块、以及一种硅单晶长晶设备的硬轴。

2. 发明专利

TW202023053A 碳化矽晶體及其製造方法审中-公开
简体标题：碳化硅晶体及其制造方法
公开(公告)号：TW202023053A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW107145264
申请日：2018-12-14
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：林欽山 , LIN, CHING SHAN , 呂建興 , LU, JIAN HSIN , 劉建成 , LIOU, CHIEN CHENG , 李依晴 , LI, I CHING
IPC分类号： H01L29/12 , H01L21/20
摘要：本發明公開一種碳化矽晶體及其製造方法，碳化矽晶體包括材質為碳化矽且依序堆疊的N型晶種層、阻障層、及半絕緣塊體。N型晶種層具有介於0.01~0.03Ω．cm的電阻率。阻障層包含有於所述N型晶種層上依序磊晶形成的多個磊晶膜，並且每個磊晶膜的一碳矽比是沿著自鄰近所述N型晶種層朝向遠離所述N型晶種層的一成形方向漸增。碳化矽晶體的氮濃度是自所述N型晶種層朝向半絕緣塊體擴散且呈遞減分佈，以使所述半絕緣塊體具有大於107Ω．cm的電阻率。
简体摘要：本发明公开一种碳化硅晶体及其制造方法，碳化硅晶体包括材质为碳化硅且依序堆栈的N型晶种层、阻障层、及半绝缘块体。N型晶种层具有介于0.01~0.03Ω．cm的电阻率。阻障层包含有于所述N型晶种层上依序磊晶形成的多个磊晶膜，并且每个磊晶膜的一碳硅比是沿着自邻近所述N型晶种层朝向远离所述N型晶种层的一成形方向渐增。碳化硅晶体的氮浓度是自所述N型晶种层朝向半绝缘块体扩散且呈递减分布，以使所述半绝缘块体具有大于107Ω．cm的电阻率。

3. 实用新型

TWM546407U 長晶爐的下料裝置有权
简体标题：长晶炉的下料设备
公开(公告)号：TWM546407U
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW106205969
申请日：2017-04-28
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：李岱柏 , LEE, TAI-PO , 陳俊宏 , CHEN, CHUN-HUNG , 王興邦 , WANG, HSING-PANG , 李依晴 , LI, I-CHING
IPC分类号： C30B35/00

4. 发明专利

TW201713806A 摻雜器、長晶爐以及使用長晶爐的方法审中-公开
简体标题：掺杂器、长晶炉以及使用长晶炉的方法
公开(公告)号：TW201713806A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW104133425
申请日：2015-10-12
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：陳俊宏 , CHEN, CHUN-HUNG , 藍文杰 , LAN, WEN-CHIEH , 中西正美 , NAKANISHI, MASAMI , 李依晴 , LI, I-CHING , 徐文慶 , HSU, WEN-CHING
IPC分类号： C30B35/00
摘要：一種長晶爐，用以熔化一固態之原料，該長晶爐包括：一爐體；一坩堝設置於該爐體內，用以容置該原料；一加熱裝置用以加熱該坩堝，使該原料熔化而形成一熔融原料；一儲料桶供容置一摻雜物，且該儲料桶具有一出口；一阻料器設置於該儲料桶且位於該出口處，該阻料器係受控制而開啟或封閉該出口；一第一進料管穿設該爐體，且具有一入料口與一出料口，該入料口連通該儲料桶的出口；一冷卻裝置設置於該第一進料管，用以對該第一進料管內部進行冷卻。
简体摘要：一种长晶炉，用以熔化一固态之原料，该长晶炉包括：一炉体；一坩埚设置于该炉体内，用以容置该原料；一加热设备用以加热该坩埚，使该原料熔化而形成一熔融原料；一储料桶供容置一掺杂物，且该储料桶具有一出口；一阻料器设置于该储料桶且位于该出口处，该阻料器系受控制而打开或封闭该出口；一第一进料管穿设该炉体，且具有一入料口与一出料口，该入料口连通该储料桶的出口；一冷却设备设置于该第一进料管，用以对该第一进料管内部进行冷却。

5. 实用新型

TWM530830U 坩堝有权
简体标题：坩埚
公开(公告)号：TWM530830U
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW105210241
申请日：2016-07-07
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：李岱柏 , LEE, TAI-PO , 陳俊宏 , CHEN, CHUN-HUNG , 王興邦 , WANG, HSING-PANG , 李依晴 , LI, I-CHING
IPC分类号： C30B15/10

6. 发明专利

TWI683042B 矽單晶長晶設備有权
简体标题：硅单晶长晶设备
公开(公告)号：TWI683042B
公开(公告)日：2020-01-21
申请号：TW107147818
申请日：2018-12-28
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：陳俊宏 , CHEN, CHUN HUNG , 王興邦 , WANG, HSING PANG , 徐文慶 , HSU, WEN CHING , 李依晴 , LI, I CHING
IPC分类号： C30B15/20 , C30B29/06 , C30B15/24 , C30B15/10 , C30B35/00

7. 发明专利

TWI680168B 碳化矽晶片有权
简体标题：碳化硅芯片
公开(公告)号：TWI680168B
公开(公告)日：2019-12-21
申请号：TW106135711
申请日：2017-10-18
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：林欽山 , LIN, CHING SHAN , 呂建興 , LU, JIAN HSIN , 劉建成 , LIOU, CHIEN CHENG , 李依晴 , LI, I CHING
IPC分类号： C09G1/02 , C23F11/00 , H01L21/304

8. 发明专利

TW201903224A 碳化矽晶片及其定位邊加工方法审中-公开
简体标题：碳化硅芯片及其定位边加工方法
公开(公告)号：TW201903224A
公开(公告)日：2019-01-16
申请号：TW106118979
申请日：2017-06-08
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：溫禪儒 , WEN, CHAN-JU , 黃慰國 , HUANG, WEI-KUO , 李依晴 , LI, I-CHING , 謝啟祥 , HSIEH, CHI-HSIANG
IPC分类号： C30B29/36 , C30B33/00
摘要：本發明提出一種碳化矽晶片及其定位邊加工方法。所述碳化矽晶片具有第一平口與第二平口。第一平口的兩端與碳化矽晶片的邊緣銜接處分別為第一R角，且第一R角的半徑為1mm~10mm。第二平口的兩端與碳化矽晶片的邊緣銜接處分別為第二R角，且第二R角的半徑為1mm~10mm。由於平口兩端與碳化矽晶片的邊緣銜接處設有最佳半徑範圍的R角，所以能提高晶片加工量率與品質。
简体摘要：本发明提出一种碳化硅芯片及其定位边加工方法。所述碳化硅芯片具有第一平口与第二平口。第一平口的两端与碳化硅芯片的边缘衔接处分别为第一R角，且第一R角的半径为1mm~10mm。第二平口的两端与碳化硅芯片的边缘衔接处分别为第二R角，且第二R角的半径为1mm~10mm。由于平口两端与碳化硅芯片的边缘衔接处设有最佳半径范围的R角，所以能提高芯片加工量率与品质。

9. 发明专利

TW201826441A 晶體固定治具及其操作方法审中-公开
简体标题：晶体固定治具及其操作方法
公开(公告)号：TW201826441A
公开(公告)日：2018-07-16
申请号：TW106101217
申请日：2017-01-13
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：呂建興 , LU, JIAN-HSIN , 劉建成 , LIOU, CHIEN CHENG , 林欽山 , LIN, CHING-SHAN , 李依晴 , LI, I-CHING
IPC分类号： H01L21/687
摘要：一種晶體固定治具，包括有一承載筒與一定位板，其中，該承載筒一端為一開放端，另一端具有一載板，承載筒內環面設有內螺紋段；定位板為圓形且其外環面設有外螺紋段，定位板具有一定位孔。定位板與載板之至少一者具有一開孔與定位孔的同心。晶體固定治具的操作方法包含，將晶體置入承載筒內部，並將定位板鎖入承載筒，令定位板定位孔的孔壁抵壓並推動晶體，使晶體表面的中心移至開孔的中心。藉此，可固定晶體且讓晶體表面的中心定位至開孔的中心。
简体摘要：一种晶体固定治具，包括有一承载筒与一定位板，其中，该承载筒一端为一开放端，另一端具有一载板，承载筒内环面设有内螺纹段；定位板为圆形且其外环面设有外螺纹段，定位板具有一定位孔。定位板与载板之至少一者具有一开孔与定位孔的同心。晶体固定治具的操作方法包含，将晶体置入承载筒内部，并将定位板锁入承载筒，令定位板定位孔的孔壁抵压并推动晶体，使晶体表面的中心移至开孔的中心。借此，可固定晶体且让晶体表面的中心定位至开孔的中心。

10. 实用新型

TWM535800U 長晶裝置之保護機構及長晶裝置有权
简体标题：长晶设备之保护机构及长晶设备
公开(公告)号：TWM535800U
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW105215170
申请日：2016-10-06
申请人：環球晶圓股份有限公司 , GLOBALWAFERS CO., LTD.
发明人：林永祥 , LIN, YUNG-HSIANG , 羅仕賓 , LO, SHIH-BIN , 李依晴 , LI, I-CHING
IPC分类号： F27B14/20 , C30B15/20

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式