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1. 发明专利

TW201920001A 厚膜電阻體用組成物、厚膜電阻糊及厚膜電阻體审中-公开
简体标题：厚膜电阻体用组成物、厚膜电阻煳及厚膜电阻体
公开(公告)号：TW201920001A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107133122
申请日：2018-09-20
申请人：日商住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：永野崇仁 , NAGANO, TAKAHITO
IPC分类号： C01G55/00 , C03C3/00 , H01B1/08 , H01B1/14 , H01B1/20 , H01C17/065 , H01C7/00 , H01C17/26
摘要：本發明課題在於提供一種電阻體形成時使用透過脈衝修整之調整手法，而可調整之電阻值的變化量，即電阻值的降低率較大的厚膜電阻體用組成物、厚膜電阻糊及厚膜電阻體。　　解決手段為，在含有由氧化釕與釕酸鉛之混合粉末所構成的氧化釕系導電物粉末與玻璃料的厚膜電阻體用組成物中，進一步含有16質量%以上33質量%以下的銀粉末，而使將添加有機媒液而成之厚膜電阻糊進行燒結而形成厚膜電阻體時，厚膜電阻體中使用透過脈衝修整之調整手法，而可調整之電阻值的降低率大於5%。
简体摘要：本发明课题在于提供一种电阻体形成时使用透过脉冲修整之调整手法，而可调整之电阻值的变化量，即电阻值的降低率较大的厚膜电阻体用组成物、厚膜电阻煳及厚膜电阻体。　　解决手段为，在含有由氧化钌与钌酸铅之混合粉末所构成的氧化钌系导电物粉末与玻璃料的厚膜电阻体用组成物中，进一步含有16质量%以上33质量%以下的银粉末，而使将添加有机媒液而成之厚膜电阻煳进行烧结而形成厚膜电阻体时，厚膜电阻体中使用透过脉冲修整之调整手法，而可调整之电阻值的降低率大于5%。

2. 发明专利

TW201837927A 高導電卑金屬電極或合金低歐姆晶片電阻器之製作方法审中-公开
简体标题：高导电卑金属电极或合金低欧姆芯片电阻器之制作方法
公开(公告)号：TW201837927A
公开(公告)日：2018-10-16
申请号：TW106111649
申请日：2017-04-07
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：李文熙 , WEN-HSI, LEE
IPC分类号： H01C17/065
摘要：一種高導電卑金屬電極或合金低歐姆晶片電阻器之製作方法，係以厚膜印刷且在低溫與空氣中燒結下製作出卑金屬電極或是合金電極與電阻，其利用一便宜低還原電位金屬製作成厚膜膏（如鋁或錫等），透過網版印刷成型燒結，然後將此便宜低還原電位金屬層當犧牲層，將此犧牲層浸入較高還原電位金屬溶液中進行濕式化學替代反應，如此可以得到較高還原電位之金屬電極。另外也可以將此犧牲層浸入由幾種不同較高還原電位金屬溶液混合之溶液進行濕式化學替代反應而得到不同組成之合金。藉此，本發明所提製作方式可排除傳統必須在高溫還原氣氛下熱處理才能產生卑金屬電極或是卑金屬合金之特性，可以大幅改善目前市面上之卑金屬或合金之製造成本，並可進一步結合國內厚膜印刷產業製作方式，大幅提高技術層面之效率。
简体摘要：一种高导电卑金属电极或合金低欧姆芯片电阻器之制作方法，系以厚膜印刷且在低温与空气中烧结下制作出卑金属电极或是合金电极与电阻，其利用一便宜低还原电位金属制作成厚膜膏（如铝或锡等），透过网版印刷成型烧结，然后将此便宜低还原电位金属层当牺牲层，将此牺牲层浸入较高还原电位金属溶液中进行湿式化学替代反应，如此可以得到较高还原电位之金属电极。另外也可以将此牺牲层浸入由几种不同较高还原电位金属溶液混合之溶液进行湿式化学替代反应而得到不同组成之合金。借此，本发明所提制作方式可排除传统必须在高温还原气氛下热处理才能产生卑金属电极或是卑金属合金之特性，可以大幅改善目前市面上之卑金属或合金之制造成本，并可进一步结合国内厚膜印刷产业制作方式，大幅提高技术层面之效率。

3. 发明专利

TWI686358B 厚膜電阻組成物及含有其之厚膜電阻糊有权
简体标题：厚膜电阻组成物及含有其之厚膜电阻煳
公开(公告)号：TWI686358B
公开(公告)日：2020-03-01
申请号：TW107115451
申请日：2018-05-07
申请人：日商住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：向井哲也 , MUKAI, TETSUYA , 川久保勝弘 , KAWAKUBO, KATSUHIRO
IPC分类号： C01G55/00 , H01C7/00 , H01C17/065 , B05D5/12

4. 发明专利

TWI591653B 高導電率厚膜鋁膏之製造方法有权
简体标题：高导电率厚膜铝膏之制造方法
公开(公告)号：TWI591653B
公开(公告)日：2017-07-11
申请号：TW104137774
申请日：2015-11-16
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：李文熙 , WEN-HSI, LEE
IPC分类号： H01B13/00 , H01B1/16 , H01C17/065 , H01L23/15 , H01L27/01

5. 发明专利

TW201719686A 高導電率厚膜鋁膏之製造方法审中-公开
简体标题：高导电率厚膜铝膏之制造方法
公开(公告)号：TW201719686A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW104137774
申请日：2015-11-16
申请人：國立成功大學 , NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
发明人：李文熙 , WEN-HSI, LEE
IPC分类号： H01B13/00 , H01B1/16 , H01C17/065 , H01L23/15 , H01L27/01
摘要：一種高導電率厚膜鋁膏之製造方法，係利用較廣之粒徑分佈與提高固體含量來解決多孔洞之問題，並充分利用表面氧化鋁破裂機制搭配上足夠之玻璃粉抑制裸露之液態金屬鋁接觸空氣而氧化，進一步促使相鄰裸露之液態金屬鋁互相接觸，形成導電通路，徹底改善鋁膏低導電率之問題。接著提高固體含量，實現低成本、高導電率且可在空氣中燒結之厚膜導電鋁膏。
简体摘要：一种高导电率厚膜铝膏之制造方法，系利用较广之粒径分布与提高固体含量来解决多孔洞之问题，并充分利用表面氧化铝破裂机制搭配上足够之玻璃粉抑制裸露之液态金属铝接触空气而氧化，进一步促使相邻裸露之液态金属铝互相接触，形成导电通路，彻底改善铝膏低导电率之问题。接着提高固体含量，实现低成本、高导电率且可在空气中烧结之厚膜导电铝膏。

6. 发明专利

TWI555038B 利用具有低電阻率與高電阻溫度係數之厚膜材料製作高精準阻值之負溫度係數熱敏電阻製造方法有权
简体标题：利用具有低电阻率与高电阻温度系数之厚膜材料制作高精准阻值之负温度系数热敏电阻制造方法
公开(公告)号：TWI555038B
公开(公告)日：2016-10-21
申请号：TW104118670
申请日：2015-06-09
申请人：國立成功大學
发明人：李文熙
IPC分类号： H01C17/065 , H01C17/30 , H01C17/242 , H01C7/04

7. 发明专利

TWI394176B 一種晶片型熱敏電阻及其製法有权
简体标题：一种芯片型热敏电阻及其制法
公开(公告)号：TWI394176B
公开(公告)日：2013-04-21
申请号：TW098107308
申请日：2009-03-06
申请人：立昌先進科技股份有限公司 , SFI ELECTRONICS TECHNOLOGY INC.
发明人：鐘信吉 , CHUNG, HSIN CHI , 林居南 , LIN, JIU NAN , 連清宏 , LIEN, CHING HOHN
IPC分类号： H01C7/00 , H01C17/065

8. 发明专利

TW201840484A 氧化釕粉末、厚膜電阻器用組成物、厚膜電阻器用糊及厚膜電阻器审中-公开
简体标题：氧化钌粉末、厚膜电阻器用组成物、厚膜电阻器用煳及厚膜电阻器
公开(公告)号：TW201840484A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107110308
申请日：2018-03-26
申请人：日商住友金屬礦山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：川久保勝弘 , KAWAKUBO, KATSUHIRO
IPC分类号： C01G55/00 , C03C8/14 , H01C17/065 , H01C7/00 , H01B1/14 , H01B1/20
摘要：提供一種氧化釕粉末，其具有金紅石型晶體結構，根據藉由X射線繞射法測定的(110)面的峰值算出的微晶徑D1為25nm以上且80nm以下，根據比表面積算出的比表面積徑D2為25nm以上且114nm以下，並且，該微晶徑D1(nm)與該比表面積徑D2(nm)之比滿足下式(1)。
简体摘要：提供一种氧化钌粉末，其具有金红石型晶体结构，根据借由X射线绕射法测定的(110)面的峰值算出的微晶径D1为25nm以上且80nm以下，根据比表面积算出的比表面积径D2为25nm以上且114nm以下，并且，该微晶径D1(nm)与该比表面积径D2(nm)之比满足下式(1)。

9. 发明专利

TWI541841B 用於製造電性多層元件之方法及電性多層元件有权
简体标题：用于制造电性多层组件之方法及电性多层组件
公开(公告)号：TWI541841B
公开(公告)日：2016-07-11
申请号：TW100109832
申请日：2011-03-23
申请人： EPCOS AG集團股份公司 , EPCOS AG
发明人：泰斯提諾安德烈 , TESTINO, ANDREA
IPC分类号： H01C17/065 , H01C17/10
CPC分类号： H05K3/125 , H01C7/1006 , H01C17/065 , H05K1/0298 , H05K1/0306 , H05K1/167 , H05K2201/10196

10. 发明专利

TWI529135B 氧化釕粉末、使用其之厚膜電阻體用組成物及厚膜電阻體有权
简体标题：氧化钌粉末、使用其之厚膜电阻体用组成物及厚膜电阻体
公开(公告)号：TWI529135B
公开(公告)日：2016-04-11
申请号：TW101122033
申请日：2012-06-20
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：川久保勝弘 , KAWAKUBO, KATSUHIRO , 前田俊輝 , MAEDA, TOSHIKI , 進藤拓生 , SHINDO, TAKUO , 永野崇仁 , NAGANO, TAKAHITO
IPC分类号： C01G55/00 , H01C17/065
CPC分类号： C01G55/004 , H01C7/003

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