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1. 发明专利

TW201606812A 過電流保護元件审中-公开
简体标题：过电流保护组件
公开(公告)号：TW201606812A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW103126753
申请日：2014-08-05
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：陳國勳 , CHEN, KUO HSUN , 曾于軒 , TSENG, YU HSUAN , 沙益安 , SHA, YI AN
IPC分类号： H01C7/02
CPC分类号： H02H9/026 , H01C7/008 , H01C7/021 , H01C7/027 , H01C7/028 , H01C17/0652 , H01C17/06553 , H01C17/06566 , H01C17/06586
摘要：本發明一實施例之過電流保護元件包含二金屬箔片及一PTC材料層。PTC材料層係疊設於該二金屬箔片之間，且其體積電阻值在0.07至0.45Ω-cm的範圍。PTC材料層包含至少一結晶性高分子聚合物、第一導電填料和第二導電填料。第一導電填料係碳黑粉末。第二導電填料之體積電阻值小於0.1Ω-cm，可選自至少一種以上之金屬粉末、導電陶瓷粉末或其組合。該第一和第二導電填料係均勻分散於該結晶性高分子聚合物之中，且第二導電填料除以第一導電填料之重量比值小於4。該過電流保護元件之電阻再現性R300/Ri比值係在1.5~5，其中Ri為起始電阻值，R300為觸發300次後之電阻值。
简体摘要：本发明一实施例之过电流保护组件包含二金属箔片及一PTC材料层。PTC材料层系叠设于该二金属箔片之间，且其体积电阻值在0.07至0.45Ω-cm的范围。PTC材料层包含至少一结晶性高分子聚合物、第一导电填料和第二导电填料。第一导电填料系碳黑粉末。第二导电填料之体积电阻值小于0.1Ω-cm，可选自至少一种以上之金属粉末、导电陶瓷粉末或其组合。该第一和第二导电填料系均匀分散于该结晶性高分子聚合物之中，且第二导电填料除以第一导电填料之重量比值小于4。该过电流保护组件之电阻再现性R300/Ri比值系在1.5~5，其中Ri为起始电阻值，R300为触发300次后之电阻值。

2. 发明专利

TW201413756A 表面黏著型過電流保護元件审中-公开
简体标题：表面黏着型过电流保护组件
公开(公告)号：TW201413756A
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW101136132
申请日：2012-09-28
申请人：聚鼎科技股份有限公司 , POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：王紹裘 , WANG, DAVID SHAU CHEW , 朱復華 , CHU, FU HUA , 曾郡騰 , TSENG, CHUN TENG
IPC分类号： H01C1/08 , H01C1/028 , H01C7/02 , H01C7/12
CPC分类号： H01C7/021 , H01C1/08 , H01C1/1406 , H01C7/027 , H01C17/0652 , H01C17/06526 , H01C17/06566
摘要：一表面黏著型過電流保護元件包含PTC材料層、第一及第二連結電路、第一及第二電極及絕緣層。PTC材料層之體積電阻值小於0.2Ω-cm，且包含結晶性高分子聚合物及散佈於其中之體積電阻值小於500μΩ-cm之導電填料。第一及第二連結電路具備有效逸散該PTC材料層產生之熱之功能。第一電極透過該第一連結電路電氣連接該PTC材料層之第一表面。第二電極透過該第二連結電路電氣連接該PTC材料層之第二表面。絕緣層係作為第一及第二電極間隔離之用。上述電極和連結電路之面積總和除以PTC材料層之面積及其個數之值大於等於0.6。過電流保護元件於25℃時，其維持電流除以PTC材料層之面積及其個數之值大於1A/mm2。
简体摘要：一表面黏着型过电流保护组件包含PTC材料层、第一及第二链接电路、第一及第二电极及绝缘层。PTC材料层之体积电阻值小于0.2Ω-cm，且包含结晶性高分子聚合物及散布于其中之体积电阻值小于500μΩ-cm之导电填料。第一及第二链接电路具备有效逸散该PTC材料层产生之热之功能。第一电极透过该第一链接电路电气连接该PTC材料层之第一表面。第二电极透过该第二链接电路电气连接该PTC材料层之第二表面。绝缘层系作为第一及第二电极间隔离之用。上述电极和链接电路之面积总和除以PTC材料层之面积及其个数之值大于等于0.6。过电流保护组件于25℃时，其维持电流除以PTC材料层之面积及其个数之值大于1A/mm2。

3. 发明专利

TW201133518A 過電流保護元件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 失效
简体标题：过电流保护组件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TW201133518A
公开(公告)日：2011-10-01
申请号：TW099109813
申请日：2010-03-31
申请人：聚鼎科技股份有限公司
发明人：沙益安 , 羅國彰 , 楊金標
IPC分类号： H01C , B32B
CPC分类号： H01C7/027 , H01C17/06553 , H01C17/06586
摘要：一過電流保護元件包含二金屬箔片、一PTC材料層以及一包覆材料層。PTC材料層係疊設於該二金屬箔片之間，且體積電阻值小於0.1Ω-cm。PTC材料層包含(i)複數個結晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔點低於115℃之結晶性高分子聚合物；(ii)一導電鎳金屬填料，體積電阻值小於500μΩ-cm；及(iii)一非導電氮化金屬填料。導電鎳金屬填料及非導電氮化金屬填料散佈於該複數個結晶性高分子聚合物之中。該包覆材料層包覆PTC材料層與二金屬箔片構成之晶片。包覆材料層由環氧樹脂與具氨基化合物(amide)官能基之硬化劑反應而成。
简体摘要：一过电流保护组件包含二金属箔片、一PTC材料层以及一包覆材料层。PTC材料层系叠设于该二金属箔片之间，且体积电阻值小于0.1Ω-cm。PTC材料层包含(i)复数个结晶性高分子聚合物，其包含至少一具熔点低于115℃之结晶性高分子聚合物；(ii)一导电镍金属填料，体积电阻值小于500μΩ-cm；及(iii)一非导电氮化金属填料。导电镍金属填料及非导电氮化金属填料散布于该复数个结晶性高分子聚合物之中。该包覆材料层包覆PTC材料层与二金属箔片构成之芯片。包覆材料层由环氧树脂与具氨基化合物(amide)官能基之硬化剂反应而成。

4. 发明专利

TWI295307B 熱阻器原料體形成用樹脂組合物及熱阻器失效
简体标题：热阻器原料体形成用树脂组合物及热阻器
公开(公告)号：TWI295307B
公开(公告)日：2008-04-01
申请号：TW094121985
申请日：2005-06-29
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：森由紀江 MORI, YUKIE , 白井智士 SHIRAI, SATOSHI
IPC分类号： C08L , H01C
CPC分类号： C08L63/00 , C08G59/24 , H01C7/008 , H01C7/027 , H01C17/06586
摘要：本發明提供一種熱阻器，其具備一對相對的電極與配置在該對電極之間的熱阻器原料體，此熱阻器原料體係由含有包括脂環族環氧樹脂之環氧樹脂、固化劑、導電性粒子的樹脂組合物的固化物所構成。
简体摘要：本发明提供一种热阻器，其具备一对相对的电极与配置在该对电极之间的热阻器原料体，此热阻器原料体系由含有包括脂环族环氧树脂之环氧树脂、固化剂、导电性粒子的树脂组合物的固化物所构成。

5. 发明专利

TW200814121A 保護元件 PROTECTION DEVICE 审中-公开
简体标题：保护组件 PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TW200814121A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096117319
申请日：2007-05-16
申请人：太科電子雷康公司 TYCO ELECTRONICS RAYCHEM K.K.
发明人：小山洋幸 KOYAMA, HIROYUKI
IPC分类号： H01H , H01C
CPC分类号： H01C7/027 , C22C14/00 , H01C1/1406 , H01C7/126 , H01H37/323 , H01H37/761 , H01H2037/768
摘要：本發明提供一種容量大,且能感測較低異常溫度,進而構造簡單,體積不大之新穎保護元件。保護元件係由(1)一聚合物PTC元件(18),兩側主表面具有金屬電極(14,16)、以及(2)一形狀記憶合金導線(20)所構成;該形狀記憶合金導線(20)係利用含有一熱可塑性樹脂及一導電性填料之一導電性接著劑(22),以連接於該聚合物PTC元件。
简体摘要：本发明提供一种容量大,且能传感较低异常温度,进而构造简单,体积不大之新颖保护组件。保护组件系由(1)一聚合物PTC组件(18),两侧主表面具有金属电极(14,16)、以及(2)一形状记忆合金导线(20)所构成;该形状记忆合金导线(20)系利用含有一热可塑性树脂及一导电性填料之一导电性接着剂(22),以连接于该聚合物PTC组件。

6. 发明专利

TWI292972B 過電流保護元件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 有权
简体标题：过电流保护组件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TWI292972B
公开(公告)日：2008-01-21
申请号：TW094127286
申请日：2005-08-11
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：王紹裘 WANG, DAVID SHAU CHEW , 朱復華 CHU, FU HUA , 羅國彰 LO, KUO CHANG
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H01C7/027
摘要：本發明揭示一種過電流保護元件，其包含二金屬箔片及一正溫度係數(Positive Temperature Coefficient；PTC)材料層。該PTC材料層係介於該二金屬箔片之間且包含複數個結晶性高分子聚合物、一導電陶瓷填材及一非導電填材。該導電填材之粒徑具一特定大小分佈且該PTC材料層之體積電阻值係小於0.1Ω-cm。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护组件，其包含二金属箔片及一正温度系数(Positive Temperature Coefficient；PTC)材料层。该PTC材料层系介于该二金属箔片之间且包含复数个结晶性高分子聚合物、一导电陶瓷填材及一非导电填材。该导电填材之粒径具一特定大小分布且该PTC材料层之体积电阻值系小于0.1Ω-cm。

7. 发明专利

TW200739621A 正溫度係數(PTC)裝置之製造方法 METHOD OF MANUFACTURING A PTC DEVICE 审中-公开
简体标题：正温度系数(PTC)设备之制造方法 METHOD OF MANUFACTURING A PTC DEVICE
公开(公告)号：TW200739621A
公开(公告)日：2007-10-16
申请号：TW095146041
申请日：2006-12-08
申请人：太科電子雷康公司 TYCO ELECTRONICS RAYCHEM K.K.
发明人：田中新 TANAKA, ARATA , 鈴木克彰 SUZUKI, KATSUAKI
IPC分类号： H01C
CPC分类号： H01C1/1406 , H01C7/027 , H01C17/281 , Y10T29/49085 , Y10T29/49107 , Y10T29/49179
摘要：本發明之目的在於提供一種包含具有更低電阻値之聚合物正溫度係數(PTC)元件之聚合物正溫度係數(PTC)裝置。本發明係提供一種正溫度係數(PTC)裝置之製造方法,該正溫度係數(PTC)裝置係包含:一正溫度係數(PTC)元件(102),該正溫度係數(PTC)元件具有一聚合物正溫度係數(PTC)組件(110)及配置於其兩側之一金屬電極(104);以及一導線(106),該導線係連接於至少一該金屬電極;該正溫度係數(PTC)裝置的製造方法之特徵在於,該聚合物正溫度係數(PTC)組件係由一導電性聚合物組成物所形成,該導電性聚合物組成物以含有一聚合物材料及分散於其中之一導電性填料而構成,且該導線對該金屬電極之連接係以較該聚合物材料熔點低之溫度來加以實施。
简体摘要：本发明之目的在于提供一种包含具有更低电阻値之聚合物正温度系数(PTC)组件之聚合物正温度系数(PTC)设备。本发明系提供一种正温度系数(PTC)设备之制造方法,该正温度系数(PTC)设备系包含:一正温度系数(PTC)组件(102),该正温度系数(PTC)组件具有一聚合物正温度系数(PTC)组件(110)及配置于其两侧之一金属电极(104);以及一导线(106),该导线系连接于至少一该金属电极;该正温度系数(PTC)设备的制造方法之特征在于,该聚合物正温度系数(PTC)组件系由一导电性聚合物组成物所形成,该导电性聚合物组成物以含有一聚合物材料及分散于其中之一导电性填料而构成,且该导线对该金属电极之连接系以较该聚合物材料熔点低之温度来加以实施。

8. 发明专利

TW200707874A 過電流保護元件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 审中-公开
简体标题：过电流保护组件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TW200707874A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW094127286
申请日：2005-08-11
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：王紹裘 WANG, DAVID SHAU-CHEW , 朱復華 CHU, FU HUA , 羅國彰 LO, KUO CHANG
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H01C7/027
摘要：本發明揭示一種過電流保護元件,其包含二金屬箔片及一正溫度係數(Positive Temperature Coefficient;PTC)材料層。該PTC材料層係介於該二金屬箔片之間且包含複數個結晶性高分子聚合物、一導電陶瓷填材及一非導電填材。該導電填材之粒徑具一特定大小分佈且該PTC材一料層之體積電阻値係小於0.1��–cm。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护组件,其包含二金属箔片及一正温度系数(Positive Temperature Coefficient;PTC)材料层。该PTC材料层系介于该二金属箔片之间且包含复数个结晶性高分子聚合物、一导电陶瓷填材及一非导电填材。该导电填材之粒径具一特定大小分布且该PTC材一料层之体积电阻値系小于0.1��–cm。

9. 发明专利

TW200613433A 熱阻器原料體形成用樹脂組合物及熱阻器失效
简体标题：热阻器原料体形成用树脂组合物及热阻器
公开(公告)号：TW200613433A
公开(公告)日：2006-05-01
申请号：TW094121985
申请日：2005-06-29
申请人： TDK股份有限公司 TDK CORPORATION
发明人：森由紀江 MORI, YUKIE , 白井智士 SHIRAI, SATOSHI
IPC分类号： C08L , H01C
CPC分类号： C08L63/00 , C08G59/24 , H01C7/008 , H01C7/027 , H01C17/06586
摘要：本發明提供一種熱阻器，其具備一對相對的電極與配置在該對電極之間的熱阻器原料體，此熱阻器原料體係由含有包括脂環族環氧樹脂之環氧樹脂、固化劑、導電性粒子的樹脂組合物的固化物所構成。094121985-p01.bmp
简体摘要：本发明提供一种热阻器，其具备一对相对的电极与配置在该对电极之间的热阻器原料体，此热阻器原料体系由含有包括脂环族环氧树脂之环氧树脂、固化剂、导电性粒子的树脂组合物的固化物所构成。094121985-p01.bmp

10. 发明专利

TWI229966B 過電流保護元件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE 失效
简体标题：过电流保护组件 OVER-CURRENT PROTECTION DEVICE
公开(公告)号：TWI229966B
公开(公告)日：2005-03-21
申请号：TW092123619
申请日：2003-08-27
申请人：聚鼎科技股份有限公司 POLYTRONICS TECHNOLOGY CORP.
发明人：馬雲晉 MA, YUN CHING , 蔡東成 TSAI, TONG CHENG
IPC分类号： H02H
CPC分类号： H01C7/027
摘要：本發明揭示一種過電流保護元件，其包含一第一電極層、一第二電極層及一疊設於該第一及第二電極層之間之高分子電流感測層。該高分子電流感測層包含重量百分比介於2％至4％之複數個矽酸鹽片，其係一種奈米材料，厚度約為1nm，而直徑則介於100至500nm之間。
简体摘要：本发明揭示一种过电流保护组件，其包含一第一电极层、一第二电极层及一叠设于该第一及第二电极层之间之高分子电流传感层。该高分子电流传感层包含重量百分比介于2％至4％之复数个硅酸盐片，其系一种奈米材料，厚度约为1nm，而直径则介于100至500nm之间。

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