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1. 发明专利

TWI442418B 熱阻器有权
简体标题：热阻器
公开(公告)号：TWI442418B
公开(公告)日：2014-06-21
申请号：TW101127500
申请日：2012-07-30
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：勝木隆與 , KATSUKI, TAKAYO
IPC分类号： H01C17/245 , H01C17/02 , H01C7/02

2. 发明专利

TWI446372B 金屬板低電阻晶片電阻器及其製造方法有权
简体标题：金属板低电阻芯片电阻器及其制造方法
公开(公告)号：TWI446372B
公开(公告)日：2014-07-21
申请号：TW101103092
申请日：2012-01-31
申请人：釜屋電機股份有限公司 , KAMAYA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：平野立樹 , HIRANO, TATSUKI
IPC分类号： H01C17/00 , H01C17/245
CPC分类号： H01C17/006 , H01C17/245

3. 发明专利

TWI534841B 晶片電阻器之製造方法有权
简体标题：芯片电阻器之制造方法
公开(公告)号：TWI534841B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103121515
申请日：2014-06-23
申请人： KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：竹上裕也 , TAKEUE, YUYA , 上兼藤太郎 , UEGAE, TOTARO , 松本健太郎 , MATSUMOTO, KENTARO
IPC分类号： H01C17/245
CPC分类号： H01C17/28 , H01C17/006 , H01C17/06 , H01C17/22 , H01C17/242

4. 发明专利

TWI431642B 金屬板晶片電阻器之製造方法及製造裝置有权
简体标题：金属板芯片电阻器之制造方法及制造设备
公开(公告)号：TWI431642B
公开(公告)日：2014-03-21
申请号：TW097101235
申请日：2008-01-11
申请人：釜屋電機股份有限公司 , KAMAYA ELECTRIC CO., LTD.
发明人：平野立樹 , HIRANO, TATSUKI , 田中一夫 , TANAKA, KAZUO
IPC分类号： H01C17/245
CPC分类号： H01C17/006 , H01C17/245

5. 发明专利

TW201513141A 晶片電阻器之製造方法审中-公开
简体标题：芯片电阻器之制造方法
公开(公告)号：TW201513141A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103121515
申请日：2014-06-23
申请人： KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：竹上裕也 , TAKEUE, YUYA , 上兼藤太郎 , UEGAE, TOTARO , 松本健太郎 , MATSUMOTO, KENTARO
IPC分类号： H01C17/245
CPC分类号： H01C17/28 , H01C17/006 , H01C17/06 , H01C17/22 , H01C17/242
摘要：本發明之課題在於提供一種能抑制於1次分割槽與2次分割槽的交叉部分產生缺損的晶片電阻器之製造方法。於大塊基板20之單面形成具有凹凸深度的1次分割槽21，且形成橫跨該1次分割槽21之複數對表面電極3、或橫跨成對的表面電極3之電阻體5等之後，以使該形成面側裂開的方式沿1次分割槽21對大塊基板20進行1次分割，藉此，可由大塊基板20獲得複數個短條狀基板30。於該1次分割時，1次分割槽21係自槽深度小且具有強度的電極形成區域起開始分裂，之後是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割，故而，於強度低的交叉部分無法承受大的負載而可進行1次分割，且能防止於交叉部分產生缺損(碎屑)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种能抑制于1次分区与2次分区的交叉部分产生缺损的芯片电阻器之制造方法。于大块基板20之单面形成具有凹凸深度的1次分区21，且形成横跨该1次分区21之复数对表面电极3、或横跨成对的表面电极3之电阻体5等之后，以使该形成面侧裂开的方式沿1次分区21对大块基板20进行1次分割，借此，可由大块基板20获得复数个短条状基板30。于该1次分割时，1次分区21系自槽深度小且具有强度的电极形成区域起开始分裂，之后是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割，故而，于强度低的交叉部分无法承受大的负载而可进行1次分割，且能防止于交叉部分产生缺损(碎屑)。

6. 发明专利

TW201440983A 微型被動元件之製造方法审中-公开
简体标题：微型被动组件之制造方法
公开(公告)号：TW201440983A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW102114657
申请日：2013-04-24
申请人：蔚華科技股份有限公司 , SPIROX CORPORATION
发明人：林錫炫 , 李英杰
IPC分类号： B26D3/06 , H01C17/245 , B23H7/00
摘要：本發明係關於一種微型被動元件之製造方法，其在製備微型被動元件所需的基板時，係使用切割件對尚未燒結的生坯板做線切割，以架構出複數個切割槽，得以在燒結為熟坯板後，透過撓折的方式將之分離，並做進一步之加工。
简体摘要：本发明系关于一种微型被动组件之制造方法，其在制备微型被动组件所需的基板时，系使用切割件对尚未烧结的生坯板做线切割，以架构出复数个切割槽，得以在烧结为熟坯板后，透过挠折的方式将之分离，并做进一步之加工。

7. 发明专利

TW201312602A 熱阻器审中-公开
简体标题：热阻器
公开(公告)号：TW201312602A
公开(公告)日：2013-03-16
申请号：TW101127500
申请日：2012-07-30
申请人：村田製作所股份有限公司 , MURATA MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：勝木隆與 , KATSUKI, TAKAYO
IPC分类号： H01C17/245 , H01C17/02 , H01C7/02
摘要：本發明提供一種可抑制龜裂產生之長方體狀之熱阻器。本發明之熱阻器基體12具有相互對向之2個端面S1、S2，且呈長方體狀。外部電極14a、14b分別設置於端面S1、S2。外部電極14a、14b分別包含Cr層、Ni/Cu層、Ag層及Sn層。Cr層歐姆接觸於熱阻器基體12。Ni/Cu層設置於Cr層上。Ag層設置於Ni/Cu層上，且具有0.7μm以上且2μm以下之平均厚度。對熱阻器基體12、外部電極14a、14b實施有倒角加工。
简体摘要：本发明提供一种可抑制龟裂产生之长方体状之热阻器。本发明之热阻器基体12具有相互对向之2个端面S1、S2，且呈长方体状。外部电极14a、14b分别设置于端面S1、S2。外部电极14a、14b分别包含Cr层、Ni/Cu层、Ag层及Sn层。Cr层欧姆接触于热阻器基体12。Ni/Cu层设置于Cr层上。Ag层设置于Ni/Cu层上，且具有0.7μm以上且2μm以下之平均厚度。对热阻器基体12、外部电极14a、14b实施有倒角加工。

8. 实用新型

TWM444589U 多用途切溝機有权
简体标题：多用途切沟机
公开(公告)号：TWM444589U
公开(公告)日：2013-01-01
申请号：TW101213928
申请日：2012-07-19
申请人：邱福財
发明人：邱福財
IPC分类号： H01C17/245

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