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    • 5. 发明专利
    • 晶片電阻器之製造方法
    • 芯片电阻器之制造方法
    • TW201513141A
    • 2015-04-01
    • TW103121515
    • 2014-06-23
    • KOA股份有限公司KOA CORPORATION
    • 竹上裕也TAKEUE, YUYA上兼藤太郎UEGAE, TOTARO松本健太郎MATSUMOTO, KENTARO
    • H01C17/245
    • H01C17/28H01C17/006H01C17/06H01C17/22H01C17/242
    • 本發明之課題在於提供一種能抑制於1次分割槽與2次分割槽的交叉部分產生缺損的晶片電阻器之製造方法。 於大塊基板20之單面形成具有凹凸深度的1次分割槽21,且形成橫跨該1次分割槽21之複數對表面電極3、或橫跨成對的表面電極3之電阻體5等之後,以使該形成面側裂開的方式沿1次分割槽21對大塊基板20進行1次分割,藉此,可由大塊基板20獲得複數個短條狀基板30。於該1次分割時,1次分割槽21係自槽深度小且具有強度的電極形成區域起開始分裂,之後是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割,故而,於強度低的交叉部分無法承受大的負載而可進行1次分割,且能防止於交叉部分產生缺損(碎屑)。
    • 本发明之课题在于提供一种能抑制于1次分区与2次分区的交叉部分产生缺损的芯片电阻器之制造方法。 于大块基板20之单面形成具有凹凸深度的1次分区21,且形成横跨该1次分区21之复数对表面电极3、或横跨成对的表面电极3之电阻体5等之后,以使该形成面侧裂开的方式沿1次分区21对大块基板20进行1次分割,借此,可由大块基板20获得复数个短条状基板30。于该1次分割时,1次分区21系自槽深度小且具有强度的电极形成区域起开始分裂,之后是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割,故而,于强度低的交叉部分无法承受大的负载而可进行1次分割,且能防止于交叉部分产生缺损(碎屑)。