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1. 发明专利

TWI695397B 電阻裝置及反向器裝置有权
简体标题：电阻设备及反向器设备
公开(公告)号：TWI695397B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW108109038
申请日：2019-03-18
申请人：日商三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION , 日商KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：原田圭司 , HARADA, KEIJI , 景山正則 , KAGEYAMA, MASANORI , 中島浩二 , NAKAJIMA, KOJI , 白形雄二 , SHIRAKATA, YUJI , 野月善一 , NOZUKI, YOSHIKAZU , 内藤隆史 , NAITOH, TAKASHI , 吉村章 , YOSHIMURA, AKIRA , 有賀善紀 , ARUGA, YOSHINORI
IPC分类号： H01H13/02 , H01H1/08

2. 发明专利

TW201738906A 面安裝型電阻器审中-公开
简体标题：面安装型电阻器
公开(公告)号：TW201738906A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106109555
申请日：2017-03-22
申请人： KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：內藤隆史 , NAITO, TAKASHI
IPC分类号： H01C1/01 , H01C1/02
CPC分类号： H01C1/02 , H01C1/014 , H01C1/028 , H01C1/14 , H01C1/16 , H01C3/14 , H01C7/003 , H05K1/111 , H05K1/181 , H05K2201/10022
摘要：一種面安裝型電阻器，其沒有必要使導線平坦化就能夠進行穩定的安裝。面安裝型電阻器係具有並排配置的第一電阻元件及第二電阻元件，該第一電阻元件係在兩端設置有第一導線，該第二電阻元件係在兩端設置有第二導線；藉由外部構裝來被覆前述第一電阻元件和前述第二電阻元件而一體化；前述第一導線及前述第二導線係以從前述外部構裝沿著軸線方向往外側突出的方式所配置；前述第一導線及前述第二導線係沿著前述外部構裝的側面及下表面而折彎。
简体摘要：一种面安装型电阻器，其没有必要使导线平坦化就能够进行稳定的安装。面安装型电阻器系具有并排配置的第一电阻组件及第二电阻组件，该第一电阻组件系在两端设置有第一导线，该第二电阻组件系在两端设置有第二导线；借由外部构装来被覆前述第一电阻组件和前述第二电阻组件而一体化；前述第一导线及前述第二导线系以从前述外部构装沿着轴线方向往外侧突出的方式所配置；前述第一导线及前述第二导线系沿着前述外部构装的侧面及下表面而折弯。

3. 发明专利

TWI534841B 晶片電阻器之製造方法有权
简体标题：芯片电阻器之制造方法
公开(公告)号：TWI534841B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103121515
申请日：2014-06-23
申请人： KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：竹上裕也 , TAKEUE, YUYA , 上兼藤太郎 , UEGAE, TOTARO , 松本健太郎 , MATSUMOTO, KENTARO
IPC分类号： H01C17/245
CPC分类号： H01C17/28 , H01C17/006 , H01C17/06 , H01C17/22 , H01C17/242

4. 实用新型

TWM309345U 加熱蒸散裝置失效
简体标题：加热蒸散设备
公开(公告)号：TWM309345U
公开(公告)日：2007-04-11
申请号：TW095217960
申请日：2006-10-12
申请人： KOA股份有限公司 KOA CORPORATION
发明人：松原正弘
IPC分类号： A01M , A61L , H01C
摘要：本創作提供可藉簡單製程實現間接加熱方式及直接加熱方式的加熱蒸散裝置，該加熱蒸散裝置，係使收容於藥液瓶5內的殺蟲劑溶液或芳香劑溶液含浸自藥液瓶5內側突出至頂部上側的吸液芯4，並將該吸液芯4施以直接加熱或間接加熱，藉由採用兩側端子與導電線3連接、表面呈絕緣狀態的電阻元件3作為熱源，可減少製程。
简体摘要：本创作提供可藉简单制程实现间接加热方式及直接加热方式的加热蒸散设备，该加热蒸散设备，系使收容于药液瓶5内的杀虫剂溶液或芳香剂溶液含浸自药液瓶5内侧突出至顶部上侧的吸液芯4，并将该吸液芯4施以直接加热或间接加热，借由采用两侧端子与导电线3连接、表面呈绝缘状态的电阻组件3作为热源，可减少制程。

5. 发明专利

TW201947617A 晶片電阻器及晶片電阻器之製造方法审中-公开
简体标题：芯片电阻器及芯片电阻器之制造方法
公开(公告)号：TW201947617A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108113038
申请日：2019-04-15
申请人：日商KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：牛山和久 , USHIYAMA, KAZUHISA , 井口夏希 , IGUCHI, NATSUKI , 上條泰弘 , KAMIJO, YASUHIRO , 永田久和 , NAGATA, HISAKAZU
IPC分类号： H01C17/06 , H01C17/242 , H01C7/00 , H01C3/12
摘要：提供一種晶片電阻器，其可提高突波特性，且可高精度地微調整電阻值。晶片電阻器1具有電阻體5，其係以第1彎折部6與第2彎折部7隔著矩形狀之調整部8而連續之方式印刷形成；藉由在調整部8上形成第1修整槽9，而延長電阻體5之電流路徑來提高突波特性，並且以電阻體5之電阻值接近目標電阻值之方式進行粗調整。又，藉由在第2彎折部7中之電流分佈少之區域形成第2修整槽10，從而以隨著第2修整槽10之切入量，電阻體5之電阻值與目標電阻值一致之方式進行微調整。
简体摘要：提供一种芯片电阻器，其可提高突波特性，且可高精度地微调整电阻值。芯片电阻器1具有电阻体5，其系以第1弯折部6与第2弯折部7隔着矩形状之调整部8而连续之方式印刷形成；借由在调整部8上形成第1修整槽9，而延长电阻体5之电流路径来提高突波特性，并且以电阻体5之电阻值接近目标电阻值之方式进行粗调整。又，借由在第2弯折部7中之电流分布少之区域形成第2修整槽10，从而以随着第2修整槽10之切入量，电阻体5之电阻值与目标电阻值一致之方式进行微调整。

6. 发明专利

TWI650536B 溫度感測器元件有权
简体标题：温度传感器组件
公开(公告)号：TWI650536B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW107106936
申请日：2018-03-02
申请人：日商KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：鈴木隆介 , SUZUKI, RYUSUKE
IPC分类号： G01K7/18 , H01C7/00

7. 发明专利

TW201833523A 溫度感測器元件审中-公开
简体标题：温度传感器组件
公开(公告)号：TW201833523A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW107104899
申请日：2018-02-12
申请人：日商KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：芦川匠 , ASHIKAWA, TAKUMI , 三浦克哉 , MIURA, KATSUYA , 下平正浩 , SHIMODAIRA, MASAHIRO
IPC分类号： G01K7/18 , H01C7/00
摘要：本發明提供一種溫度感測器元件，即便是於長方體形狀之絕緣基板上形成電阻圖案之平板型感測器元件，亦能減小因設置方向而導致之檢測誤差。本發明之溫度感測器元件1，係於長方體形狀之絕緣基板2之主面2a上形成有以鉑為主成分之電阻圖案3之平板型感測器元件，於覆蓋電阻圖案3之保護膜6上形成接著層7，且絕緣蓋8隔著此接著層7固定成與主面2a對向。絕緣蓋8係具有與絕緣基板2大致相同之平面形狀者，且絕緣基板2與絕緣蓋8係以將熱傳導率作成相同之材料形成。
简体摘要：本发明提供一种温度传感器组件，即便是于长方体形状之绝缘基板上形成电阻图案之平板型传感器组件，亦能减小因设置方向而导致之检测误差。本发明之温度传感器组件1，系于长方体形状之绝缘基板2之主面2a上形成有以铂为主成分之电阻图案3之平板型传感器组件，于覆盖电阻图案3之保护膜6上形成接着层7，且绝缘盖8隔着此接着层7固定成与主面2a对向。绝缘盖8系具有与绝缘基板2大致相同之平面形状者，且绝缘基板2与绝缘盖8系以将热传导率作成相同之材料形成。

8. 发明专利

TW201513141A 晶片電阻器之製造方法审中-公开
简体标题：芯片电阻器之制造方法
公开(公告)号：TW201513141A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103121515
申请日：2014-06-23
申请人： KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：竹上裕也 , TAKEUE, YUYA , 上兼藤太郎 , UEGAE, TOTARO , 松本健太郎 , MATSUMOTO, KENTARO
IPC分类号： H01C17/245
CPC分类号： H01C17/28 , H01C17/006 , H01C17/06 , H01C17/22 , H01C17/242
摘要：本發明之課題在於提供一種能抑制於1次分割槽與2次分割槽的交叉部分產生缺損的晶片電阻器之製造方法。於大塊基板20之單面形成具有凹凸深度的1次分割槽21，且形成橫跨該1次分割槽21之複數對表面電極3、或橫跨成對的表面電極3之電阻體5等之後，以使該形成面側裂開的方式沿1次分割槽21對大塊基板20進行1次分割，藉此，可由大塊基板20獲得複數個短條狀基板30。於該1次分割時，1次分割槽21係自槽深度小且具有強度的電極形成區域起開始分裂，之後是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割，故而，於強度低的交叉部分無法承受大的負載而可進行1次分割，且能防止於交叉部分產生缺損(碎屑)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种能抑制于1次分区与2次分区的交叉部分产生缺损的芯片电阻器之制造方法。于大块基板20之单面形成具有凹凸深度的1次分区21，且形成横跨该1次分区21之复数对表面电极3、或横跨成对的表面电极3之电阻体5等之后，以使该形成面侧裂开的方式沿1次分区21对大块基板20进行1次分割，借此，可由大块基板20获得复数个短条状基板30。于该1次分割时，1次分区21系自槽深度小且具有强度的电极形成区域起开始分裂，之后是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割，故而，于强度低的交叉部分无法承受大的负载而可进行1次分割，且能防止于交叉部分产生缺损(碎屑)。

9. 发明专利

TWI687942B 晶片電阻器及晶片電阻器之製造方法有权
简体标题：芯片电阻器及芯片电阻器之制造方法
公开(公告)号：TWI687942B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW108113038
申请日：2019-04-15
申请人：日商KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：牛山和久 , USHIYAMA, KAZUHISA , 井口夏希 , IGUCHI, NATSUKI , 上條泰弘 , KAMIJO, YASUHIRO , 永田久和 , NAGATA, HISAKAZU
IPC分类号： H01C17/06 , H01C17/242 , H01C7/00 , H01C3/12

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