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2. 发明专利

TW201513141A 晶片電阻器之製造方法审中-公开
简体标题：芯片电阻器之制造方法
公开(公告)号：TW201513141A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103121515
申请日：2014-06-23
申请人： KOA股份有限公司 , KOA CORPORATION
发明人：竹上裕也 , TAKEUE, YUYA , 上兼藤太郎 , UEGAE, TOTARO , 松本健太郎 , MATSUMOTO, KENTARO
IPC分类号： H01C17/245
CPC分类号： H01C17/28 , H01C17/006 , H01C17/06 , H01C17/22 , H01C17/242
摘要：本發明之課題在於提供一種能抑制於1次分割槽與2次分割槽的交叉部分產生缺損的晶片電阻器之製造方法。於大塊基板20之單面形成具有凹凸深度的1次分割槽21，且形成橫跨該1次分割槽21之複數對表面電極3、或橫跨成對的表面電極3之電阻體5等之後，以使該形成面側裂開的方式沿1次分割槽21對大塊基板20進行1次分割，藉此，可由大塊基板20獲得複數個短條狀基板30。於該1次分割時，1次分割槽21係自槽深度小且具有強度的電極形成區域起開始分裂，之後是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割，故而，於強度低的交叉部分無法承受大的負載而可進行1次分割，且能防止於交叉部分產生缺損(碎屑)。
简体摘要：本发明之课题在于提供一种能抑制于1次分区与2次分区的交叉部分产生缺损的芯片电阻器之制造方法。于大块基板20之单面形成具有凹凸深度的1次分区21，且形成横跨该1次分区21之复数对表面电极3、或横跨成对的表面电极3之电阻体5等之后，以使该形成面侧裂开的方式沿1次分区21对大块基板20进行1次分割，借此，可由大块基板20获得复数个短条状基板30。于该1次分割时，1次分区21系自槽深度小且具有强度的电极形成区域起开始分裂，之后是槽深度大且脆弱的交叉部分被分割，故而，于强度低的交叉部分无法承受大的负载而可进行1次分割，且能防止于交叉部分产生缺损(碎屑)。

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