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1. 发明专利

TW201716757A 光纖溫度感測器、溫度監測裝置及製造方法审中-公开
简体标题：光纤温度传感器、温度监测设备及制造方法
公开(公告)号：TW201716757A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105133191
申请日：2016-10-14
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：布薛馬修 , BUSCHE, MATTHEW
IPC分类号： G01J5/28 , G01J5/08 , G02B6/255 , G02B6/02
CPC分类号： G01K11/32 , C03C25/1063 , C03C25/1068 , C03C25/16 , G01K11/00 , G01K11/3206 , G02B6/262
摘要：一種光纖溫度感測器包括引入光纖和黑體發射器。引入光纖包含光纖端部，及黑體發射器熔接於該光纖端部上，其中該黑體發射器由熔融的高發射率材料製成，該熔融的高發射率材料整體包含於熔融的氧化矽中。進一步的實施例包括溫度監測裝置及電子元件處理裝置，該溫度監測裝置具有一或多個光纖溫度感測器，電子元件處理裝置包含光纖溫度監測。本說明書包含其他許多的態樣及實施例。
简体摘要：一种光纤温度传感器包括引入光纤和黑体发射器。引入光纤包含光纤端部，及黑体发射器熔接于该光纤端部上，其中该黑体发射器由熔融的高发射率材料制成，该熔融的高发射率材料整体包含于熔融的氧化硅中。进一步的实施例包括温度监测设备及电子组件处理设备，该温度监测设备具有一或多个光纤温度传感器，电子组件处理设备包含光纤温度监测。本说明书包含其他许多的态样及实施例。

2. 发明专利

TW201441985A 具有透鏡陣列的熱感測器模組审中-公开
简体标题：具有透镜数组的热传感器模块
公开(公告)号：TW201441985A
公开(公告)日：2014-11-01
申请号：TW103104446
申请日：2014-02-11
申请人：艾索勒塔什科技股份有限公司 , EXCELITAS TECHNOLOGIES GMBH & CO KG
发明人：沙契喬更 , SCHILZ, JUERGEN , 沙敏特沃夫岡 , SCHMIDT, WOLFGANG , 巴洛亞瑟約翰 , BARLOW, ARTHUR JOHN
IPC分类号： G08B21/22 , G08B13/191 , G01J5/08
CPC分类号： G01K1/16 , G08B13/193
摘要：一種經設置以感測監控區中存在及動作之設備包括一或更多個熱感測裝置及透鏡陣列。各熱感測裝置經設置以產生直流輸出，該直流輸出維持在實質上與在該熱感測裝置處接收之熱能的量成比例的位準上。透鏡陣列耦接至一或更多個熱感測裝置，且透鏡陣列包括多個透鏡，該等透鏡之每一者經設置將來自位於監控區內之多個不同物理區域之至少個別一者的入射熱能導向至一或更多個熱感測裝置上。
简体摘要：一种经设置以传感监控区中存在及动作之设备包括一或更多个热传感设备及透镜数组。各热传感设备经设置以产生直流输出，该直流输出维持在实质上与在该热传感设备处接收之热能的量成比例的位准上。透镜数组耦接至一或更多个热传感设备，且透镜数组包括多个透镜，该等透镜之每一者经设置将来自位于监控区内之多个不同物理区域之至少个别一者的入射热能导向至一或更多个热传感设备上。

3. 发明专利

TW201907142A 用於透射式高溫量測的脈衝輻射源审中-公开
简体标题：用于透射式高温量测的脉冲辐射源
公开(公告)号：TW201907142A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116413
申请日：2018-05-15
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：赫威爾斯山謬C , HOWELLS, SAMUEL C.
IPC分类号： G01J5/08 , G01J5/20 , H01L21/67 , H05B3/00
摘要：本文所述的實例大致上關於用於基板之快速熱處理(RTP)的設備及方法。本揭示案揭示脈衝輻射源，用以量測RTP腔室中低溫至高溫之寬範圍。在一個實例中，使用兩個或更多個雷射，該等雷射中之一個雷射發射1030 nm的輻射脈衝，並且該等雷射中之一個雷射發射1080 nm的輻射脈衝，此舉量測低於約200°C的溫度。在另一個實例中，使用兩個或更多個LED，該等LED中之一個LED發射1030 nm的輻射脈衝，並且該等LED中之一個LED發射1080 nm的輻射脈衝。在又另一個實例中，使用寬帶輻射源來發射至少為1030 nm及1080 nm的輻射脈衝。這些輻射源對於在RTP腔室中低溫至高溫之寬範圍之偵測為有用的。
简体摘要：本文所述的实例大致上关于用于基板之快速热处理(RTP)的设备及方法。本揭示案揭示脉冲辐射源，用以量测RTP腔室中低温至高温之宽范围。在一个实例中，使用两个或更多个激光，该等激光中之一个激光发射1030 nm的辐射脉冲，并且该等激光中之一个激光发射1080 nm的辐射脉冲，此举量测低于约200°C的温度。在另一个实例中，使用两个或更多个LED，该等LED中之一个LED发射1030 nm的辐射脉冲，并且该等LED中之一个LED发射1080 nm的辐射脉冲。在又另一个实例中，使用宽带辐射源来发射至少为1030 nm及1080 nm的辐射脉冲。这些辐射源对于在RTP腔室中低温至高温之宽范围之侦测为有用的。

4. 发明专利

TW201832329A 熱處理裝置及熱處理方法审中-公开
简体标题：热处理设备及热处理方法
公开(公告)号：TW201832329A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106138938
申请日：2017-11-10
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：北澤貴宏 , KITAZAWA, TAKAHIRO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/66 , G01J5/08
摘要：本發明提供一種可準確地測定基板之上表面之溫度之熱處理裝置及熱處理方法。本發明於對面方位為(100)面之單晶矽之半導體晶圓W照射閃光時，半導體晶圓W以沿著＜100＞方向之直徑為軸而翹曲。以半導體晶圓W之沿著＜100＞方向之直徑與上部輻射溫度計25之光軸一致之方式調整半導體晶圓W之朝向而載置於基座74，藉此沿著於閃光照射時半導體晶圓W之翹曲成為最小之方向之直徑與上部輻射溫度計25之光軸一致。其結果，於閃光照射時，在上部輻射溫度計25之光軸方向上亦幾乎不會於半導體晶圓W產生翹曲，因此，輻射率亦幾乎未變化，而可準確地測定半導體晶圓W之上表面之溫度。
简体摘要：本发明提供一种可准确地测定基板之上表面之温度之热处理设备及热处理方法。本发明于对面方位为(100)面之单晶硅之半导体晶圆W照射闪光时，半导体晶圆W以沿着＜100＞方向之直径为轴而翘曲。以半导体晶圆W之沿着＜100＞方向之直径与上部辐射温度计25之光轴一致之方式调整半导体晶圆W之朝向而载置于基座74，借此沿着于闪光照射时半导体晶圆W之翘曲成为最小之方向之直径与上部辐射温度计25之光轴一致。其结果，于闪光照射时，在上部辐射温度计25之光轴方向上亦几乎不会于半导体晶圆W产生翘曲，因此，辐射率亦几乎未变化，而可准确地测定半导体晶圆W之上表面之温度。

5. 发明专利

TWI575231B 具有真空密封透鏡蓋的熱成像系統和相關的晶圓級製造方法有权
简体标题：具有真空密封透镜盖的热成像系统和相关的晶圆级制造方法
公开(公告)号：TWI575231B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW104122283
申请日：2015-07-09
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：馬賽堤多明尼克 , MASSETTI, DOMINIC
IPC分类号： G01J5/08 , G01J5/10 , H04N5/33 , H05K3/30
CPC分类号： G01J5/0806 , G01J5/045 , G01J5/08 , G01J5/10 , G01J5/20 , G01J2005/0081 , G01J2005/106 , H01L27/14618 , H01L27/14625 , H01L27/14632 , H01L27/14634 , H01L27/14649 , H04N5/33

6. 发明专利

TWI495858B 焦電型感測器、焦電型感測裝置及電子機器有权
简体标题：焦电型传感器、焦电型传感设备及电子机器
公开(公告)号：TWI495858B
公开(公告)日：2015-08-11
申请号：TW100121878
申请日：2011-06-22
申请人：精工愛普生股份有限公司 , SEIKO EPSON CORPORATION
发明人：野田貴史 , NODA, TAKAFUMI
IPC分类号： G01J5/02 , G01J5/08 , G01J5/34
CPC分类号： G01J5/02 , G01J5/023 , G01J5/024 , G01J5/04 , G01J5/046 , G01J5/08 , G01J5/0853 , G01J5/34 , H01L37/02

7. 发明专利

TWI673482B 用於藉由布儒斯特角下的雙波長偏移進行的非接觸式溫度測量的系統、處理腔室與方法有权
简体标题：用于借由布儒斯特角下的双波长偏移进行的非接触式温度测量的系统、处理腔室与方法
公开(公告)号：TWI673482B
公开(公告)日：2019-10-01
申请号：TW106116870
申请日：2017-05-22
申请人：美商應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬菲特舍朵瑞P , MOFFITT, THEODORE P. , 阿普瓦南滿 , APURVA, NAMAN
IPC分类号： G01J5/08 , G01J3/10 , G01J3/28

8. 发明专利

TWI647801B 熱處理方法有权
简体标题：热处理方法
公开(公告)号：TWI647801B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW106138938
申请日：2017-11-10
申请人：日商斯庫林集團股份有限公司 , SCREEN HOLDINGS CO., LTD.
发明人：北澤貴宏 , KITAZAWA, TAKAHIRO , 布施和彦 , FUSE, KAZUHIKO
IPC分类号： H01L23/34 , H01L21/66 , G01J5/08

9. 发明专利

TW201805604A 藉由布儒斯特角下的雙波長偏移進行的非接觸式溫度測量审中-公开
简体标题：借由布儒斯特角下的双波长偏移进行的非接触式温度测量
公开(公告)号：TW201805604A
公开(公告)日：2018-02-16
申请号：TW106116870
申请日：2017-05-22
申请人：應用材料股份有限公司 , APPLIED MATERIALS, INC.
发明人：馬菲特舍朵瑞P , MOFFITT, THEODORE P. , 阿普瓦南滿 , APURVA, NAMAN
IPC分类号： G01J5/08 , G01J3/10 , G01J3/28
CPC分类号： G01K11/125
摘要：本文中所揭露的實施例關於具有一基板監測系統的一熱處理腔室。在一個實施例中，本文中揭露了一種溫度監測系統。該溫度監測系統包括：一外殼及一窗口，該外殼及該窗口定義一內部容積；一或更多個光源；一攝影機；一偏振器；一準直器；一第一鏡；及一第二鏡。該一或更多個光源安置在該內部容積中。該攝影機被配置為捕捉一或更多個光束的複數個訊框。該偏振器安置在該一或更多個光束的一光路徑中。該第一鏡被配置為反射由該準直器朝一基板的一底面引導的光，使得該光束產生等於一布儒斯特角的一入射角。該第二鏡被配置為向該攝影機引導該一或更多個光束。
简体摘要：本文中所揭露的实施例关于具有一基板监测系统的一热处理腔室。在一个实施例中，本文中揭露了一种温度监测系统。该温度监测系统包括：一外壳及一窗口，该外壳及该窗口定义一内部容积；一或更多个光源；一摄影机；一偏振器；一准直器；一第一镜；及一第二镜。该一或更多个光源安置在该内部容积中。该摄影机被配置为捕捉一或更多个光束的复数个讯框。该偏振器安置在该一或更多个光束的一光路径中。该第一镜被配置为反射由该准直器朝一基板的一底面引导的光，使得该光束产生等于一布儒斯特角的一入射角。该第二镜被配置为向该摄影机引导该一或更多个光束。

10. 发明专利

TWI603108B 熱線感測器裝置有权
简体标题：热线传感器设备
公开(公告)号：TWI603108B
公开(公告)日：2017-10-21
申请号：TW104106441
申请日：2015-03-02
申请人：松下知識產權經營股份有限公司 , PANASONIC INTELLECTUAL PROPERTY MANAGEMENT CO., LTD.
发明人：古谷祐二 , FURUYA, YUJI , 園孝浩 , SONO, TAKAHIRO , 上津智宏 , KAMITSU, TOMOHIRO , 柴田究 , SHIBATA, KIWAMU
IPC分类号： G01V8/10 , G01J5/02 , G01J5/06 , G01J5/08 , H05B37/02
CPC分类号： G01J1/04 , G01V8/12

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