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1. 发明专利

TW201809885A 硬遮罩用組合物审中-公开
简体标题：硬遮罩用组合物
公开(公告)号：TW201809885A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106112187
申请日：2017-04-12
申请人：東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：崔漢永 , CHOI, HAN YOUNG , 梁敦植 , YANG, DON SIK
IPC分类号： G03F7/11 , C08G8/04 , C08G12/26 , H01L21/027
摘要：本發明提供一種硬遮罩用組合物，其包含含有選自由下述化學式1-1及1-2組成的組中的至少一種重複單元的共聚物及溶劑。下述化學式1-1中，Ar1與Ar2各自獨立地為碳原子數6至30的二價芳烴二基，R1為碳原子數1至6的烷基或碳原子數6至35的芳基，Ar1、Ar2與R1各自獨立地可被碳原子數1至6的烷基、羥基、甲氧基或苯基進一步取代，n為1至190的整數；下述化學式1-2中，Ar1與Ar2各自獨立地為碳原子數6至30的二價芳烴二基，R2為氫原子或碳原子數1至6的烷基，Ar1與Ar2各自獨立地可被碳原子數1至6的烷基、羥基、甲氧基或苯基進一步取代，n為1至190的整數。
简体摘要：本发明提供一种硬遮罩用组合物，其包含含有选自由下述化学式1-1及1-2组成的组中的至少一种重复单元的共聚物及溶剂。下述化学式1-1中，Ar1与Ar2各自独立地为碳原子数6至30的二价芳烃二基，R1为碳原子数1至6的烷基或碳原子数6至35的芳基，Ar1、Ar2与R1各自独立地可被碳原子数1至6的烷基、羟基、甲氧基或苯基进一步取代，n为1至190的整数；下述化学式1-2中，Ar1与Ar2各自独立地为碳原子数6至30的二价芳烃二基，R2为氢原子或碳原子数1至6的烷基，Ar1与Ar2各自独立地可被碳原子数1至6的烷基、羟基、甲氧基或苯基进一步取代，n为1至190的整数。

2. 发明专利

TW201727375A 有機層組成物及圖案的形成方法审中-公开
简体标题：有机层组成物及图案的形成方法
公开(公告)号：TW201727375A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105136172
申请日：2016-11-08
申请人：三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：朴裕信 , PARK, YUSHIN , 權孝英 , KWON, HYO YOUNG , 金兌鎬 , KIM, TAEHO , 朴惟廷 , PARK, YOUJUNG , 裵信孝 , BAE, SHINHYO , 李忠憲 , LEE, CHUNGHEON , 李賢洙 , LEE, HYUNSOO , 張慧珍 , JANG, HYEJIN
IPC分类号： G03F7/11 , C08G12/26 , C08G61/12 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/308
CPC分类号： C08G61/12 , C08L65/00 , G03F7/00 , G03F7/09 , G03F7/11
摘要：本發明揭露一種有機層組成物及使用所述有機層組成物的圖案的形成方法，所述有機層組成物包含含有由化學式1表示的結構單元的聚合物、由化學式2表示的單體以及溶劑。化學式1及化學式2與在實施方式中所定義的相同。
简体摘要：本发明揭露一种有机层组成物及使用所述有机层组成物的图案的形成方法，所述有机层组成物包含含有由化学式1表示的结构单元的聚合物、由化学式2表示的单体以及溶剂。化学式1及化学式2与在实施方式中所定义的相同。

3. 发明专利

TW201333057A 二芳基胺酚醛清漆樹脂审中-公开
简体标题：二芳基胺酚醛清漆树脂
公开(公告)号：TW201333057A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101135906
申请日：2012-09-28
申请人：日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：阪本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU , 染谷安信 , SOMEYA, YASUNOBU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 西卷裕和 , NISHIMAKI, HIROKAZU
IPC分类号： C08G12/08 , C08G12/26 , G03F7/11 , H01L21/027
CPC分类号： H01L21/3081 , C08G12/08 , C08G73/026 , C08G73/0273 , C08G73/0672 , C08L61/22 , C08L79/02 , C08L79/04 , C09D161/22 , C09D179/02 , C09D179/04 , G03F7/091 , G03F7/094
摘要：〔課題〕提供新穎之苯基萘基胺酚醛清漆樹脂等之二芳基胺酚醛清漆樹脂、進而用於使用該樹脂之半導體裝置製造的微影術製程之阻劑底層膜形成組成物。〔解決手段〕含有下述式(1)： (式(1)中，Ar1、及Ar2各自表示苯環、或萘環)所示之單位構造(A)之聚合物。含有在半導體基板以阻劑底層膜形成組成物形成底層膜之步驟、於其上形成硬遮罩之步驟、再於其上形成阻劑膜之步驟、經光或電子線之照射與顯影形成阻劑圖型之步驟、以阻劑圖型蝕刻硬遮罩之步驟、以經圖型化的硬遮罩蝕刻該底層膜之步驟、及以經圖型化的底層膜加工半導體基板之步驟的半導體裝置之製造方法。
简体摘要：〔课题〕提供新颖之苯基萘基胺酚醛清漆树脂等之二芳基胺酚醛清漆树脂、进而用于使用该树脂之半导体设备制造的微影术制程之阻剂底层膜形成组成物。〔解决手段〕含有下述式(1)： (式(1)中，Ar1、及Ar2各自表示苯环、或萘环)所示之单位构造(A)之聚合物。含有在半导体基板以阻剂底层膜形成组成物形成底层膜之步骤、于其上形成硬遮罩之步骤、再于其上形成阻剂膜之步骤、经光或电子线之照射与显影形成阻剂图型之步骤、以阻剂图型蚀刻硬遮罩之步骤、以经图型化的硬遮罩蚀刻该底层膜之步骤、及以经图型化的底层膜加工半导体基板之步骤的半导体设备之制造方法。

4. 发明专利

TWI694092B 聚合物、有機層組成物及形成圖案的方法有权
简体标题：聚合物、有机层组成物及形成图案的方法
公开(公告)号：TWI694092B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW107146112
申请日：2018-12-20
申请人：南韓商三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：鄭鉉日 , JUNG, HYEONIL , 金瑆煥 , KIM, SUNGHWAN , 金昇炫 , KIM, SEUNGHYUN , 朴裕信 , PARK, YUSHIN , 朴惟廷 , PARK, YOUJUNG , 辛乘旭 , SHIN, SEUNG-WOOK , 林栽範 , LIM, JAEBUM
IPC分类号： C08G12/00 , C08G12/26 , C09D161/20 , C09D161/26 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027

5. 发明专利

TWI691795B 硬遮罩之組合物有权
简体标题：硬遮罩之组合物
公开(公告)号：TWI691795B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW106112430
申请日：2017-04-13
申请人：南韓商東友精細化工有限公司 , DONGWOO FINE-CHEM CO., LTD.
发明人：崔漢永 , CHOI, HAN YOUNG , 梁敦植 , YANG, DON SIK , 金相泰 , KIM, SANG TAE , 成始震 , SUNG, SHI JIN
IPC分类号： G03F7/11 , C08G12/00 , C08G12/26

6. 发明专利

TW201906891A 微影用膜形成材料、微影用膜形成用組成物、微影用下層膜及圖型形成方法审中-公开
简体标题：微影用膜形成材料、微影用膜形成用组成物、微影用下层膜及图型形成方法
公开(公告)号：TW201906891A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116317
申请日：2018-05-14
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：岡田佳奈 , OKADA, KANA , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C08G61/12 , C08F22/40 , C08G8/28 , C08G12/26 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明係提供一種微影用膜形成材料，其特徵係包含具有下述式(0)之基的化合物，。
简体摘要：本发明系提供一种微影用膜形成材料，其特征系包含具有下述式(0)之基的化合物，。

7. 发明专利

TWI634390B 有機層組成物及圖案的形成方法有权
简体标题：有机层组成物及图案的形成方法
公开(公告)号：TWI634390B
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW105136172
申请日：2016-11-08
申请人：三星SDI股份有限公司 , SAMSUNG SDI CO., LTD.
发明人：朴裕信 , PARK, YUSHIN , 權孝英 , KWON, HYO YOUNG , 金兌鎬 , KIM, TAEHO , 朴惟廷 , PARK, YOUJUNG , 裵信孝 , BAE, SHINHYO , 李忠憲 , LEE, CHUNGHEON , 李賢洙 , LEE, HYUNSOO , 張慧珍 , JANG, HYEJIN
IPC分类号： G03F7/11 , C08G12/26 , C08G61/12 , G03F7/40 , H01L21/027 , H01L21/308

8. 发明专利

TW201722850A 用於鋰離子電池之添加劑配方、電極漿料組成物及鋰離子電池审中-公开
简体标题：用于锂离子电池之添加剂配方、电极浆料组成物及锂离子电池
公开(公告)号：TW201722850A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW104143336
申请日：2015-12-23
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李昱翰 , LI, JOHN , 陳立群 , CHEN, EDWARD , 呂明怡 , LU, ELAINE , 羅仁志 , LO, ROBERT , 賴冠霖 , LAI, GUAN LIN , 楊長榮 , YANG, CHANG RUNG , 許榮木 , HSU, JUNG MU
IPC分类号： C01B25/45 , C07D403/10 , C07D403/02 , C08G12/26 , H01M4/62 , H01M10/052
CPC分类号： H01M10/4235 , C07D207/452 , H01M4/13 , H01M4/525 , H01M4/62 , H01M10/0525
摘要：一種用於鋰離子電池之添加劑配方，包括離子導體及具有馬來醯亞胺結構之化合物。一種電極漿料組成物，包括活性物質、導電添加劑、黏著劑以及含有離子導體及具有馬來醯亞胺結構之化合物之添加劑配方。
简体摘要：一种用于锂离子电池之添加剂配方，包括离子导体及具有马来酰亚胺结构之化合物。一种电极浆料组成物，包括活性物质、导电添加剂、黏着剂以及含有离子导体及具有马来酰亚胺结构之化合物之添加剂配方。

9. 发明专利

TWI675880B 有機膜形成用組成物、半導體裝置製造用基板、有機膜之形成方法、圖案形成方法及聚合物有权
简体标题：有机膜形成用组成物、半导体设备制造用基板、有机膜之形成方法、图案形成方法及聚合物
公开(公告)号：TWI675880B
公开(公告)日：2019-11-01
申请号：TW107129711
申请日：2018-08-27
申请人：日商信越化學工業股份有限公司 , SHIN-ETSU CHEMICAL CO., LTD.
发明人：郡大佑 , KORI, DAISUKE , 荻原勤 , OGIHARA, TSUTOMU , 渡邊武 , WATANABE, TAKERU , 新井田惠介 , NIIDA, KEISUKE , 澤村昂志 , SAWAMURA, TAKASHI
IPC分类号： C08L61/20 , C08L61/22 , C08L61/26 , C08G12/00 , C08G12/08 , C08G12/26 , G03F7/11 , H01L21/027

10. 发明专利

TW201906885A 使用茀化合物之阻劑下層膜形成組成物审中-公开
简体标题：使用茀化合物之阻剂下层膜形成组成物
公开(公告)号：TW201906885A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107113447
申请日：2018-04-20
申请人：日商日產化學工業股份有限公司 , NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
发明人：德永光 , TOKUNAGA, HIKARU , 橋本圭祐 , HASHIMOTO, KEISUKE , 坂本力丸 , SAKAMOTO, RIKIMARU
IPC分类号： C08G12/00 , C08G12/26 , C08L61/20 , C08L61/26 , C08G61/12 , C08L65/00 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明係提供兼具高蝕刻耐性、高耐熱性與良好塗佈性的阻劑下層膜形成組成物，使用該阻劑下層膜形成組成物之阻劑下層膜及其製造方法、阻劑圖型之形成方法、及半導體裝置之製造方法。　　本發明之阻劑下層膜形成組成物，其特徵係包含　　下述式(1) [式(1)中，表示單鍵或雙鍵，X1表示-N(R1)-、X2表示-N(R2)-、X3表示-CH(R3)-、X4表示-CH(R4)-等，R1、R2、R3及R4表示氫原子、C1~20之直鏈、支鏈或環狀之烷基等，R5、R6、R9及R10表示氫原子、羥基、烷基等，R7及R8表示苯環或萘環，n及o為0或1]表示之化合物或式(1)表示之化合物所衍生之聚合物。將該組成物塗佈於半導體基板上，進行燒成形成阻劑下層膜，其上任意選擇經由無機阻劑下層膜，形成阻劑膜，藉由光或電子束之照射與顯影，形成阻劑圖型，以阻劑圖型蝕刻下層膜，藉由圖型化後之下層膜，對半導體基板進行加工製造半導體裝置。
简体摘要：本发明系提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性与良好涂布性的阻剂下层膜形成组成物，使用该阻剂下层膜形成组成物之阻剂下层膜及其制造方法、阻剂图型之形成方法、及半导体设备之制造方法。　　本发明之阻剂下层膜形成组成物，其特征系包含　　下述式(1) [式(1)中，表示单键或双键，X1表示-N(R1)-、X2表示-N(R2)-、X3表示-CH(R3)-、X4表示-CH(R4)-等，R1、R2、R3及R4表示氢原子、C1~20之直链、支链或环状之烷基等，R5、R6、R9及R10表示氢原子、羟基、烷基等，R7及R8表示苯环或萘环，n及o为0或1]表示之化合物或式(1)表示之化合物所衍生之聚合物。将该组成物涂布于半导体基板上，进行烧成形成阻剂下层膜，其上任意选择经由无机阻剂下层膜，形成阻剂膜，借由光或电子束之照射与显影，形成阻剂图型，以阻剂图型蚀刻下层膜，借由图型化后之下层膜，对半导体基板进行加工制造半导体设备。

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