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1. 发明专利

TW202003533A 阻劑下層膜形成用組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：阻剂下层膜形成用组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW202003533A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108114750
申请日：2019-04-26
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：佐藤 , SATO, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI
IPC分类号： C07F11/00 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明係一種阻劑下層膜形成用組成物，其係含有下述式(1)表示之化合物。 [LxTe(OR1)y] (1) (上述式(1)中，L為OR1以外之配位基，R1為氫原子、取代或無取代之碳數1~20之直鏈狀或碳數3~20之分枝狀或環狀之烷基、取代或無取代之碳數6~20之芳基、及取代或無取代之碳數2~20之烯基之任一者，x為0~6之整數，y為0~6之整數，x與y之合計為1~6，x為2以上時，複數之L可相同或相異，y為2以上時，複數之R1可相同或相異)。
简体摘要：本发明系一种阻剂下层膜形成用组成物，其系含有下述式(1)表示之化合物。 [LxTe(OR1)y] (1) (上述式(1)中，L为OR1以外之配位基，R1为氢原子、取代或无取代之碳数1~20之直链状或碳数3~20之分枝状或环状之烷基、取代或无取代之碳数6~20之芳基、及取代或无取代之碳数2~20之烯基之任一者，x为0~6之整数，y为0~6之整数，x与y之合计为1~6，x为2以上时，复数之L可相同或相异，y为2以上时，复数之R1可相同或相异)。

2. 发明专利

TW201833068A 化合物、樹脂、組成物以及光阻圖型形成方法及迴路圖型形成方法审中-公开
简体标题：化合物、树脂、组成物以及光阻图型形成方法及回路图型形成方法
公开(公告)号：TW201833068A
公开(公告)日：2018-09-16
申请号：TW106141860
申请日：2017-11-30
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07C39/12 , C07C39/15 , C07D311/78 , C08G8/20 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/20 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要：本發明為一種具有下述式(0)所表示特定之結構之化合物、具有來自該化合物之構成單位之樹脂、含有該化合物及/或該樹脂之各種組成物、以及使用該組成物之各種方法。
简体摘要：本发明为一种具有下述式(0)所表示特定之结构之化合物、具有来自该化合物之构成单位之树脂、含有该化合物及/或该树脂之各种组成物、以及使用该组成物之各种方法。

3. 发明专利

TW201827389A 化合物、樹脂、組成物，以及阻劑圖型形成方法及電路圖型形成方法审中-公开
简体标题：化合物、树脂、组成物，以及阻剂图型形成方法及电路图型形成方法
公开(公告)号：TW201827389A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106132279
申请日：2017-09-20
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07C39/18 , C08G61/12 , G03F7/004 , H01L21/027
摘要：本發明提供以下述式(0)表示之化合物。(式(0)中，RY為氫原子、碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基，　　RZ為碳數1~60之N價基或單鍵，　　RT為氫原子，　　RS各自獨立地為可具有取代基之碳數1~30之烷基、可具有取代基之碳數6~30之芳基、可具有取代基之碳數2~30之烯基、可具有取代基之碳數1~30之烷氧基、鹵素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羥基，前述烷基、前述芳基、前述烯基及前述烷氧基，亦可包含醚鍵、酮鍵或酯鍵，　　m各自獨立地為0~7之整數，　　N為1~4之整數，此處，N為2以上之整數時，N個[ ]內之結構式可相同亦可相異)。
简体摘要：本发明提供以下述式(0)表示之化合物。(式(0)中，RY为氢原子、碳数1~30之烷基或碳数6~30之芳基，　　RZ为碳数1~60之N价基或单键，　　RT为氢原子，　　RS各自独立地为可具有取代基之碳数1~30之烷基、可具有取代基之碳数6~30之芳基、可具有取代基之碳数2~30之烯基、可具有取代基之碳数1~30之烷氧基、卤素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羟基，前述烷基、前述芳基、前述烯基及前述烷氧基，亦可包含醚键、酮键或酯键，　　m各自独立地为0~7之整数，　　N为1~4之整数，此处，N为2以上之整数时，N个[ ]内之结构式可相同亦可相异)。

4. 发明专利

TW202030229A 微影用膜形成材料、微影用膜形成用組成物、微影用下層膜及圖型形成方法审中-公开
简体标题：微影用膜形成材料、微影用膜形成用组成物、微影用下层膜及图型形成方法
公开(公告)号：TW202030229A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW108142385
申请日：2019-11-21
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：山田弘一 , YAMADA, KOUICHI , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C08G73/10 , G03F7/11 , H01L21/027
摘要：本發明係一種微影用膜形成材料，其係包含下述式(1A)表示的馬來醯亞胺樹脂。
简体摘要：本发明系一种微影用膜形成材料，其系包含下述式(1A)表示的马来酰亚胺树脂。

5. 发明专利

TWI694063B 化合物、樹脂、以及此等之純化方法、微影蝕刻用下層膜形成材料、下層膜形成用組成物、及下層膜以及光阻圖型形成方法及電路圖型形成方法有权
简体标题：化合物、树脂、以及此等之纯化方法、微影蚀刻用下层膜形成材料、下层膜形成用组成物、及下层膜以及光阻图型形成方法及电路图型形成方法
公开(公告)号：TWI694063B
公开(公告)日：2020-05-21
申请号：TW105109865
申请日：2016-03-29
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：樋田匠 , TOIDA, TAKUMI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI
IPC分类号： C07C39/367 , C07C43/23 , C08G8/20 , G03F7/11 , H01L21/027 , C07C37/72 , C07C41/38

6. 发明专利

TW201921121A 半導體微影膜形成組成物，以及阻劑圖型形成方法及裝置审中-公开
简体标题：半导体微影膜形成组成物，以及阻剂图型形成方法及设备
公开(公告)号：TW201921121A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107133019
申请日：2018-09-19
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI
IPC分类号： G03F7/11 , C07C255/54 , G03F7/26 , H01L21/027
摘要：本發明為提供一種半導體微影膜形成組成物，其係包含腈化合物。
简体摘要：本发明为提供一种半导体微影膜形成组成物，其系包含腈化合物。

7. 发明专利

TW201920125A 膜形成材料、微影用膜形成用組成物、光學零件形成用材料、阻劑組成物、阻劑圖型形成方法、阻劑用永久膜、感放射線性組成物、非晶膜之製造方法、微影用下層膜形成材料、微影用下層膜形成用組成物、微影用下層膜之製造方法及電路圖型形成方法审中-公开
简体标题：膜形成材料、微影用膜形成用组成物、光学零件形成用材料、阻剂组成物、阻剂图型形成方法、阻剂用永久膜、感放射线性组成物、非晶膜之制造方法、微影用下层膜形成材料、微影用下层膜形成用组成物、微影用下层膜之制造方法及电路图型形成方法
公开(公告)号：TW201920125A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107122207
申请日：2018-06-28
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：三樹泰 , MIKI, YASUSHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07D251/24 , G03F7/004 , G03F7/023 , G03F7/039 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：一種膜形成材料，其含有下述式(1)所示之三系化合物，(式(1)中，R1、R2及R3各自獨立，表示氫原子、可具有取代基之碳數1~30之直鏈狀烷基、可具有取代基之碳數1~30之分支狀烷基、可具有取代基之碳數3~30之環烷基、可具有取代基之碳數6~30之芳基、可具有取代基之碳數2~30之烯基、可具有取代基之碳數1~30之烷氧基、可具有取代基之碳數7~30之烷基芳基、可具有取代基之碳數7~30之芳基烷基、羥基或羥基之氫原子經酸解離性基或交聯性反應基所取代之基，前述烷基、前述環烷基、前述芳基、前述烯基、前述烷氧基、前述烷基芳基或前述芳基烷基，亦可含有醚鍵、酮鍵、酯鍵或交聯性反應基，S1、S2及S3各自獨立，表示氫原子、羥基、羥基之氫原子經酸解離性基或交聯性反應基所取代之基、碳數1~30之烷氧基，T1、T2及T3各自獨立，表示氫原子、羥基、碳數1~30之烷基或碳數2~30之烯基，Y1、Y2及Y3各自獨立，表示氫原子、羥基、羥基之氫原子經酸解離性基或交聯性反應基所取代之基、碳數1~30之烷基、烷氧基、烷氧基羰基、芳基烷基或碳數2~30之烯基，E1、E2及E3各自獨立，表示單鍵、-O-、 -CH2O-、-COO-或-NH-，P各自獨立表示0～1之整數)。
简体摘要：一种膜形成材料，其含有下述式(1)所示之三系化合物，(式(1)中，R1、R2及R3各自独立，表示氢原子、可具有取代基之碳数1~30之直链状烷基、可具有取代基之碳数1~30之分支状烷基、可具有取代基之碳数3~30之环烷基、可具有取代基之碳数6~30之芳基、可具有取代基之碳数2~30之烯基、可具有取代基之碳数1~30之烷氧基、可具有取代基之碳数7~30之烷基芳基、可具有取代基之碳数7~30之芳基烷基、羟基或羟基之氢原子经酸解离性基或交联性反应基所取代之基，前述烷基、前述环烷基、前述芳基、前述烯基、前述烷氧基、前述烷基芳基或前述芳基烷基，亦可含有醚键、酮键、酯键或交联性反应基，S1、S2及S3各自独立，表示氢原子、羟基、羟基之氢原子经酸解离性基或交联性反应基所取代之基、碳数1~30之烷氧基，T1、T2及T3各自独立，表示氢原子、羟基、碳数1~30之烷基或碳数2~30之烯基，Y1、Y2及Y3各自独立，表示氢原子、羟基、羟基之氢原子经酸解离性基或交联性反应基所取代之基、碳数1~30之烷基、烷氧基、烷氧基羰基、芳基烷基或碳数2~30之烯基，E1、E2及E3各自独立，表示单键、-O-、 -CH2O-、-COO-或-NH-，P各自独立表示0～1之整数)。

8. 发明专利

TW201920069A 新穎之（聚）胺化合物、樹脂及硬化物审中-公开
简体标题：新颖之（聚）胺化合物、树脂及硬化物
公开(公告)号：TW201920069A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126112
申请日：2018-07-27
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 松浦豊 , MATSUURA, YUTAKA , 志志見亨 , SHISHIMI, TORU
IPC分类号： C07C211/50 , C07C215/76 , C07C217/84 , C07D233/61 , C08G8/16 , C08G85/00
摘要：一種(聚)胺化合物，其係以下述式(0)表示： (上述式(0)中， RⅩ為碳數1～70之2nA價基或單鍵， R1A各自獨立為可具有取代基之碳數1～30之烷基、可具有取代基之碳數6～30之芳基、可具有取代基之碳數2～30之交聯基、可具有取代基之碳數1～30之烷氧基、鹵素原子、硝基、可具有取代基之碳數0～30之胺基、羧基、巰基及羥基之任一者，R1A為前述烷基、前述芳基、前述交聯基、前述烷氧基之任一者時，也可包含選自由醚鍵、酮鍵及酯鍵所組成之群組之至少1個鍵結，R1A之至少1個為可具有取代基之碳數0～30之胺基， X為氧原子或硫原子，X也可不存在， R各自獨立表示苯環、聯苯環、萘環、蒽環及芘環之任一者， m各自獨立為0～9之整數，在此，m之至少1個為1～9之整數， nA為1～4之整數)。
简体摘要：一种(聚)胺化合物，其系以下述式(0)表示： (上述式(0)中， RⅩ为碳数1～70之2nA价基或单键， R1A各自独立为可具有取代基之碳数1～30之烷基、可具有取代基之碳数6～30之芳基、可具有取代基之碳数2～30之交联基、可具有取代基之碳数1～30之烷氧基、卤素原子、硝基、可具有取代基之碳数0～30之胺基、羧基、巯基及羟基之任一者，R1A为前述烷基、前述芳基、前述交联基、前述烷氧基之任一者时，也可包含选自由醚键、酮键及酯键所组成之群组之至少1个键结，R1A之至少1个为可具有取代基之碳数0～30之胺基， X为氧原子或硫原子，X也可不存在， R各自独立表示苯环、联苯环、萘环、蒽环及芘环之任一者， m各自独立为0～9之整数，在此，m之至少1个为1～9之整数， nA为1～4之整数)。

9. 发明专利

TW201906891A 微影用膜形成材料、微影用膜形成用組成物、微影用下層膜及圖型形成方法审中-公开
简体标题：微影用膜形成材料、微影用膜形成用组成物、微影用下层膜及图型形成方法
公开(公告)号：TW201906891A
公开(公告)日：2019-02-16
申请号：TW107116317
申请日：2018-05-14
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：岡田佳奈 , OKADA, KANA , 堀內淳矢 , HORIUCHI, JUNYA , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C08G61/12 , C08F22/40 , C08G8/28 , C08G12/26 , G03F7/11 , G03F7/16 , G03F7/40 , H01L21/027
摘要：本發明係提供一種微影用膜形成材料，其特徵係包含具有下述式(0)之基的化合物，。
简体摘要：本发明系提供一种微影用膜形成材料，其特征系包含具有下述式(0)之基的化合物，。

10. 发明专利

TW201829362A 化合物、樹脂、組成物及圖型形成方法审中-公开
简体标题：化合物、树脂、组成物及图型形成方法
公开(公告)号：TW201829362A
公开(公告)日：2018-08-16
申请号：TW106131479
申请日：2017-09-13
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI
IPC分类号： C07C39/21 , C07D311/78 , C08G8/20 , G03F7/004 , G03F7/027 , G03F7/11 , G03F7/20 , H01L21/027
摘要：本發明係提供一種下述式(0)所示之化合物。 (式(0)中，RY為碳數1~30之烷基或碳數6~30之芳基，RZ為碳數1~60之N價的基或單鍵，RT各自獨立，為可具有取代基之碳數1~30之烷基、可具有取代基之碳數6~30之芳基、可具有取代基之碳數2~30之烯基、可具有取代基之碳數1~30之烷氧基、鹵素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羥基，前述烷基、前述芳基、前述烯基及前述烷氧基亦可含醚鍵、酮鍵或酯鍵，在此，RT的至少1個為羥基，又RT的至少1個為碳數2~30之烯基，X表示氧原子、硫原子、單鍵或無交聯，m各自獨立，為0~9之整數，在此，m的至少1個為2~9之整數或m的至少2個為1~9之整數，N為1~4之整數，在此，N為2以上之整數時，N個之[ ]內的構造式可相同或相異，r各自獨立，為0~2之整數)。
简体摘要：本发明系提供一种下述式(0)所示之化合物。 (式(0)中，RY为碳数1~30之烷基或碳数6~30之芳基，RZ为碳数1~60之N价的基或单键，RT各自独立，为可具有取代基之碳数1~30之烷基、可具有取代基之碳数6~30之芳基、可具有取代基之碳数2~30之烯基、可具有取代基之碳数1~30之烷氧基、卤素原子、硝基、胺基、羧酸基、硫醇基或羟基，前述烷基、前述芳基、前述烯基及前述烷氧基亦可含醚键、酮键或酯键，在此，RT的至少1个为羟基，又RT的至少1个为碳数2~30之烯基，X表示氧原子、硫原子、单键或无交联，m各自独立，为0~9之整数，在此，m的至少1个为2~9之整数或m的至少2个为1~9之整数，N为1~4之整数，在此，N为2以上之整数时，N个之[ ]内的构造式可相同或相异，r各自独立，为0~2之整数)。

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