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    • 5. 发明专利
    • 對過氧化氫水溶液之保護膜形成組成物
    • 对过氧化氢水溶液之保护膜形成组成物
    • TW201906921A
    • 2019-02-16
    • TW107113446
    • 2018-04-20
    • 日商日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 德永光TOKUNAGA, HIKARU橋本雄人HASHIMOTO, YUTO橋本圭祐HASHIMOTO, KEISUKE坂本力丸SAKAMOTO, RIKIMARU
    • C08L61/20C08G12/08C08L61/34C08G14/06C08L79/02C08G73/02C08L67/00C08G63/688C08L33/06C08L33/14C08F220/18C08F220/28C08F220/32C08K5/13C08K5/21C08K5/42G03F7/11G03F7/16H01L21/027
    • 提供一種對過氧化氫水溶液之保護膜形成組成物。   本發明之對過氧化氫水溶液之保護膜形成組成物,其包含樹脂、下述式(1a)、式(1b)或式(1c)所表示之化合物、交聯劑、交聯觸媒及溶劑,相對於前述樹脂,含有上限為80質量%的前述式(1a)、式(1b)或式(1c)所表示之化合物,並含有5質量%至40質量%的前述交聯劑。(式中,X為表示羰基或亞甲基,l及m為分別獨立表示滿足3≦l+m≦10之關係式之0至5之整數,n為表示2至5之整數,u及v為分別獨立表示滿足3≦u+v≦8之關係式之0至4之整數,R1、R2、R3及R4為分別獨立表示氫原子、羥基、可具有至少1個作為取代基之羥基且可於主鏈具有至少1個雙鍵之碳原子數1至10之烴基、或可具有至少1個作為取代基之羥基之碳原子數6至20之芳基,若R1、R2、R3及R4為表示該碳原子數1至10之烴基時,R1及R2、R3及R4可與該等所鍵結的環碳原子一起來形成苯環,該苯環可具有至少1個作為取代基之羥基,j及k為分別獨立表示0或1)。
    • 提供一种对过氧化氢水溶液之保护膜形成组成物。   本发明之对过氧化氢水溶液之保护膜形成组成物,其包含树脂、下述式(1a)、式(1b)或式(1c)所表示之化合物、交联剂、交联触媒及溶剂,相对于前述树脂,含有上限为80质量%的前述式(1a)、式(1b)或式(1c)所表示之化合物,并含有5质量%至40质量%的前述交联剂。(式中,X为表示羰基或亚甲基,l及m为分别独立表示满足3≦l+m≦10之关系式之0至5之整数,n为表示2至5之整数,u及v为分别独立表示满足3≦u+v≦8之关系式之0至4之整数,R1、R2、R3及R4为分别独立表示氢原子、羟基、可具有至少1个作为取代基之羟基且可于主链具有至少1个双键之碳原子数1至10之烃基、或可具有至少1个作为取代基之羟基之碳原子数6至20之芳基,若R1、R2、R3及R4为表示该碳原子数1至10之烃基时,R1及R2、R3及R4可与该等所键结的环碳原子一起来形成苯环,该苯环可具有至少1个作为取代基之羟基,j及k为分别独立表示0或1)。
    • 6. 发明专利
    • 使用茀化合物之阻劑下層膜形成組成物
    • 使用茀化合物之阻剂下层膜形成组成物
    • TW201906885A
    • 2019-02-16
    • TW107113447
    • 2018-04-20
    • 日商日產化學工業股份有限公司NISSAN CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 德永光TOKUNAGA, HIKARU橋本圭祐HASHIMOTO, KEISUKE坂本力丸SAKAMOTO, RIKIMARU
    • C08G12/00C08G12/26C08L61/20C08L61/26C08G61/12C08L65/00G03F7/11G03F7/16G03F7/40H01L21/027
    • 本發明係提供兼具高蝕刻耐性、高耐熱性與良好塗佈性的阻劑下層膜形成組成物,使用該阻劑下層膜形成組成物之阻劑下層膜及其製造方法、阻劑圖型之形成方法、及半導體裝置之製造方法。   本發明之阻劑下層膜形成組成物,其特徵係包含   下述式(1) [式(1)中,表示單鍵或雙鍵,X1表示-N(R1)-、X2表示-N(R2)-、X3表示-CH(R3)-、X4表示-CH(R4)-等,R1、R2、R3及R4表示氫原子、C1~20之直鏈、支鏈或環狀之烷基等,R5、R6、R9及R10表示氫原子、羥基、烷基等,R7及R8表示苯環或萘環,n及o為0或1]表示之化合物或式(1)表示之化合物所衍生之聚合物。將該組成物塗佈於半導體基板上,進行燒成形成阻劑下層膜,其上任意選擇經由無機阻劑下層膜,形成阻劑膜,藉由光或電子束之照射與顯影,形成阻劑圖型,以阻劑圖型蝕刻下層膜,藉由圖型化後之下層膜,對半導體基板進行加工製造半導體裝置。
    • 本发明系提供兼具高蚀刻耐性、高耐热性与良好涂布性的阻剂下层膜形成组成物,使用该阻剂下层膜形成组成物之阻剂下层膜及其制造方法、阻剂图型之形成方法、及半导体设备之制造方法。   本发明之阻剂下层膜形成组成物,其特征系包含   下述式(1) [式(1)中,表示单键或双键,X1表示-N(R1)-、X2表示-N(R2)-、X3表示-CH(R3)-、X4表示-CH(R4)-等,R1、R2、R3及R4表示氢原子、C1~20之直链、支链或环状之烷基等,R5、R6、R9及R10表示氢原子、羟基、烷基等,R7及R8表示苯环或萘环,n及o为0或1]表示之化合物或式(1)表示之化合物所衍生之聚合物。将该组成物涂布于半导体基板上,进行烧成形成阻剂下层膜,其上任意选择经由无机阻剂下层膜,形成阻剂膜,借由光或电子束之照射与显影,形成阻剂图型,以阻剂图型蚀刻下层膜,借由图型化后之下层膜,对半导体基板进行加工制造半导体设备。