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1. 发明专利

TW201741350A 光硬化方法，及用於該光硬化方法之化合物和組成物审中-公开
简体标题：光硬化方法，及用于该光硬化方法之化合物和组成物
公开(公告)号：TW201741350A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW106102623
申请日：2017-01-24
申请人：和光純藥工業股份有限公司 , WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. , 學校法人東京理科大學 , TOKYO UNIVERSITY OF SCIENCE FOUNDATION
发明人：酒井信彦 , SAKAI, NOBUHIKO , 簗場康佑 , YANABA, KOSUKE , 今關重明 , IMAZEKI, SHIGEAKI , 有光晃二 , ARIMITSU, KOJI
IPC分类号： C08F2/50 , C07D311/86 , C07C59/84 , C07D335/16 , C07C279/26 , C08F299/08 , C08G75/045 , G03F7/031
CPC分类号： C07C59/84 , C07D311/86 , C07D335/16 , C08F2/50 , C08F299/08 , C08G75/045 , G03F7/004
摘要：本發明的課題是提供迅速並且有效率地得到交聯物(樹脂)的光硬化方法，及於該光硬化方法中所使用的化合物和含有該化合物之光硬化性樹脂組成物。本發明是有關在進行第1步驟之後進行第2步驟的光硬化方法、在該光硬化方法中所使用的化合物和含有該化合物的光硬化性樹脂組成物。第1步驟：在(A)具有藉由光照射產生自由基的羰基與去碳酸的羧基之化合物存在下，使(B)具有巰基或是(甲基)丙烯醯基之矽烷偶合劑與(C)水於酸性條件下反應，而得到(D)具有巰基或是(甲基)丙烯醯基及至少1個矽醇基之矽烷化合物的步驟。第2步驟：在上述化合物(A)以及(E)具有藉由光照射產生自由基的羰基與去碳酸產生鹼基的基之化合物存在下，藉由將光照射到上述化合物(A)以及上述化合物(E)，使上述化合物(A)的羧基去碳酸，並且從上述化合物(E)產生鹼基，使反應系統內變成鹼性條件，並且藉由自上述化合物(A)與上述化合物(E)產生自由基，從上述矽烷化合物(D)，以及依所需之(F)具有2個以上的聚合性不飽和基之化合物，產生含有源自上述矽烷化合物(D)的結構單元之交聯物的步驟。
简体摘要：本发明的课题是提供迅速并且有效率地得到交联物(树脂)的光硬化方法，及于该光硬化方法中所使用的化合物和含有该化合物之光硬化性树脂组成物。本发明是有关在进行第1步骤之后进行第2步骤的光硬化方法、在该光硬化方法中所使用的化合物和含有该化合物的光硬化性树脂组成物。第1步骤：在(A)具有借由光照射产生自由基的羰基与去碳酸的羧基之化合物存在下，使(B)具有巯基或是(甲基)丙烯酰基之硅烷偶合剂与(C)水于酸性条件下反应，而得到(D)具有巯基或是(甲基)丙烯酰基及至少1个硅醇基之硅烷化合物的步骤。第2步骤：在上述化合物(A)以及(E)具有借由光照射产生自由基的羰基与去碳酸产生碱基的基之化合物存在下，借由将光照射到上述化合物(A)以及上述化合物(E)，使上述化合物(A)的羧基去碳酸，并且从上述化合物(E)产生碱基，使反应系统内变成碱性条件，并且借由自上述化合物(A)与上述化合物(E)产生自由基，从上述硅烷化合物(D)，以及依所需之(F)具有2个以上的聚合性不饱和基之化合物，产生含有源自上述硅烷化合物(D)的结构单元之交联物的步骤。

2. 发明专利

TWI632231B 化學放大阻劑組成物和製造裝置之方法有权
简体标题：化学放大阻剂组成物和制造设备之方法
公开(公告)号：TWI632231B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW103116796
申请日：2014-05-13
申请人：東洋合成工業股份有限公司 , TOYO GOSEI CO., LTD. , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY
发明人：榎本智至 , ENOMOTO, SATOSHI
IPC分类号： C09K3/00 , C07D309/12 , C07C35/42 , C07C39/12 , C07D219/06 , C07D311/86 , C07D335/16 , C07C49/245 , C07C33/24 , G03F7/039 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/26 , H01L21/306 , H01L21/027

3. 发明专利

TW201512162A 用於增進化學物種之產生之試劑审中-公开
简体标题：用于增进化学物种之产生之试剂
公开(公告)号：TW201512162A
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：TW103121689
申请日：2014-06-24
申请人：東洋合成工業股份有限公司 , TOYO GOSEI CO., LTD.
发明人：榎本智至 , ENOMOTO, SATOSHI
IPC分类号： C07C43/23 , C07C35/38 , C07C39/12 , C07D219/06 , C07D311/86 , C07D335/16 , C07C49/782 , C07C33/24 , C07D309/12 , G03F7/028 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027
CPC分类号： C07D335/16 , C07C33/24 , C07C35/38 , C07C35/40 , C07C43/23 , C07C49/83 , C07C2603/18 , C07C2603/24 , C07D219/06 , C07D309/12 , C07D311/86 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/16 , G03F7/2051 , G03F7/36 , H01L21/0271 , H01L21/3081
摘要：本發明係揭示增進光酸產生劑的酸產生之試劑以及含有此種試劑之組成物。
简体摘要：本发明系揭示增进光酸产生剂的酸产生之试剂以及含有此种试剂之组成物。

4. 发明专利

TW201500528A 阻劑之試劑與組成物审中-公开
简体标题：阻剂之试剂与组成物
公开(公告)号：TW201500528A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103116796
申请日：2014-05-13
申请人：東洋合成工業股份有限公司 , TOYO GOSEI CO., LTD.
发明人：榎本智至 , ENOMOTO, SATOSHI
IPC分类号： C09K3/00 , C07D309/12 , C07C35/42 , C07C39/12 , C07D219/06 , C07D311/86 , C07D335/16 , C07C49/245 , C07C33/24 , G03F7/039 , G03F1/20 , G03F1/22 , G03F7/26 , H01L21/306 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0045 , C07C33/24 , C07C35/38 , C07C35/40 , C07C49/83 , C07C2603/18 , C07D219/06 , C07D309/12 , C07D311/86 , C07D335/16 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/16 , G03F7/20 , G03F7/2004 , G03F7/2037 , G03F7/2039 , G03F7/36
摘要：本發明描述促進光酸產生劑之酸產生之試劑及包含此試劑之組成物。
简体摘要：本发明描述促进光酸产生剂之酸产生之试剂及包含此试剂之组成物。

5. 发明专利

TWI642654B 組成物及製造器件之方法有权
简体标题：组成物及制造器件之方法
公开(公告)号：TWI642654B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW103121689
申请日：2014-06-24
申请人：東洋合成工業股份有限公司 , TOYO GOSEI CO., LTD. , 國立大學法人大阪大學 , OSAKA UNIVERSITY
发明人：榎本智至 , ENOMOTO, SATOSHI
IPC分类号： C07C43/23 , C07C35/38 , C07C39/12 , C07D219/06 , C07D311/86 , C07D335/16 , C07C49/782 , C07C33/24 , C07D309/12 , G03F7/028 , G03F7/004 , G03F7/20 , H01L21/027

6. 发明专利

TWI632139B 化合物，微影用下層膜形成材料，微影用下層膜及圖型之形成方法有权
简体标题：化合物，微影用下层膜形成材料，微影用下层膜及图型之形成方法
公开(公告)号：TWI632139B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW103104080
申请日：2014-02-07
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 內山直哉 , UCHIYAMA, NAOYA
IPC分类号： C07D311/86 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027

7. 发明专利

TW201500351A 化合物，微影用下層膜形成材料，微影用下層膜及圖型之形成方法审中-公开
简体标题：化合物，微影用下层膜形成材料，微影用下层膜及图型之形成方法
公开(公告)号：TW201500351A
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW103104080
申请日：2014-02-07
申请人：三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：越後雅敏 , ECHIGO, MASATOSHI , 牧野嶋高史 , MAKINOSHIMA, TAKASHI , 內山直哉 , UCHIYAMA, NAOYA
IPC分类号： C07D311/86 , G03F7/11 , G03F7/26 , G03F7/40 , H01L21/027
CPC分类号： C07D311/82 , C07D311/86 , G03F7/0752 , G03F7/094 , G03F7/11 , G03F7/26 , H01L21/31116 , H01L21/31144
摘要：本發明之微影用下層膜形成材料係含有下述一般式(1)表示之化合物。 (式(1)中，X各自獨立為氧原子或硫原子，R1為單鍵或碳數1~30之2n價烴基，該烴基可具有環式烴基、雙鍵、雜原子或碳數6~30之芳香族基，R2各自獨立為碳數1~10之直鏈狀、分支狀或環狀之烷基，碳數6~10之芳基，碳數2~10之烯基或羥基，其中R2之至少1個為羥基，m各自獨立為1~4之整數，n為1~4之整數，p為0或1)。
简体摘要：本发明之微影用下层膜形成材料系含有下述一般式(1)表示之化合物。 (式(1)中，X各自独立为氧原子或硫原子，R1为单键或碳数1~30之2n价烃基，该烃基可具有环式烃基、双键、杂原子或碳数6~30之芳香族基，R2各自独立为碳数1~10之直链状、分支状或环状之烷基，碳数6~10之芳基，碳数2~10之烯基或羟基，其中R2之至少1个为羟基，m各自独立为1~4之整数，n为1~4之整数，p为0或1)。

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