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    • 4. 发明专利
    • 酸及自由基產生劑,以及酸及自由基產生方法
    • 酸及自由基产生剂,以及酸及自由基产生方法
    • TW201605780A
    • 2016-02-16
    • TW103140751
    • 2014-11-25
    • 和光純藥工業股份有限公司WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 酒井信彦SAKAI, NOBUHIKO簗場康佑YANABA, KOSUKE
    • C07C317/24C07C317/44C07D335/16
    • G03F7/0045C07C317/14C07C317/24C07C317/44C07C2603/24C07D335/16G03F7/029G03F7/031
    • 本發明之課題在於提供一種對波長300至450nm附近的活性能量射線具有高感度,且可發揮高的酸產生能力及自由基產生能力這兩種性能,又具備耐熱性之酸及自由基產生劑,以及酸及自由基產生方法。 本發明係關於通式(A)所示的化合物、包含該化合物之酸及自由基產生劑以及酸及自由基產生方法; (式中,n個R1分別獨立地表示鏈中可具有特定官能基且可被鹵原子取代之烷基;可被鹵原子取代之烷氧基;可被鹵原子、烷基或鹵烷基取代之芳香基或芳氧基;或可被鹵原子、烷基或鹵烷基取代之芳香基烷基或芳香基烷氧基;n個R2及R3分別獨立地表示氫原子、烷基或烷氧羰基;R4至R7分別獨立地表示氫原子、鹵原子、烷基、烷氧基、烯基、芳香基、烷氧羰基、二烷基胺基或硝基;Y表示氧原子、硫原子或羰基;n個Z分別獨立地表示磺醯基或烷氧基磷醯基;n表示1或2)。
    • 本发明之课题在于提供一种对波长300至450nm附近的活性能量射线具有高感度,且可发挥高的酸产生能力及自由基产生能力这两种性能,又具备耐热性之酸及自由基产生剂,以及酸及自由基产生方法。 本发明系关于通式(A)所示的化合物、包含该化合物之酸及自由基产生剂以及酸及自由基产生方法; (式中,n个R1分别独立地表示链中可具有特定官能基且可被卤原子取代之烷基;可被卤原子取代之烷氧基;可被卤原子、烷基或卤烷基取代之芳香基或芳氧基;或可被卤原子、烷基或卤烷基取代之芳香基烷基或芳香基烷氧基;n个R2及R3分别独立地表示氢原子、烷基或烷氧羰基;R4至R7分别独立地表示氢原子、卤原子、烷基、烷氧基、烯基、芳香基、烷氧羰基、二烷基胺基或硝基;Y表示氧原子、硫原子或羰基;n个Z分别独立地表示磺酰基或烷氧基磷酰基;n表示1或2)。
    • 5. 发明专利
    • 三芳基甲烷系著色組成物
    • 三芳基甲烷系着色组成物
    • TW201529741A
    • 2015-08-01
    • TW103145610
    • 2014-12-26
    • 和光純藥工業股份有限公司WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 堀江智章HORIE, TOMOAKI鈴木克史SUZUKI, KATSUFUMI信太幸彦SHIDA, YUKIHIKO
    • C09B11/00C09B69/10C08F220/02G02B5/20G02B5/22
    • C08F20/36C09B11/12C09B69/06C09B69/103C08F220/14C08F220/36
    • 本發明的課題在於提供一種耐熱性較現有的著色組成物更高的著色組成物。即,本發明是有關於下述通式(1)所表示的化合物等。 (式中,R1~R4、R14分別獨立地表示氫原子、碳數1~30的烷基、具有取代基或未經取代的苯基、萘基或苄基,R5~R7分別獨立地表示氫原子或甲基,R8~R13分別獨立地表示碳數1~21的烷基、芳基、羥基、硝基、磺基或碳數1~3的烷氧基。A1表示:於鏈中具有-N(R15)-、-O-、-OCO-、-COO-或伸芳基的至少一個基團,且具有羥基作為取代基的碳數1~21的伸烷基;於鏈中具有-N(R15)-、-O-、-OCO-、-COO-或伸芳基的至少一個基團的碳數1 ~21的伸烷基;具有羥基作為取代基的碳數1~21的伸烷基;或者碳數1~21的伸烷基,A2表示-NH-或O-。R15表示氫原子、碳數1~30的烷基、具有取代基或未經取代的苯基、萘基或苄基。An-表示含有具有拉電子性取代基的芳基、具有拉電子性取代基的磺醯基或鹵化烷基的陰離子)
    • 本发明的课题在于提供一种耐热性较现有的着色组成物更高的着色组成物。即,本发明是有关于下述通式(1)所表示的化合物等。 (式中,R1~R4、R14分别独立地表示氢原子、碳数1~30的烷基、具有取代基或未经取代的苯基、萘基或苄基,R5~R7分别独立地表示氢原子或甲基,R8~R13分别独立地表示碳数1~21的烷基、芳基、羟基、硝基、磺基或碳数1~3的烷氧基。A1表示:于链中具有-N(R15)-、-O-、-OCO-、-COO-或伸芳基的至少一个基团,且具有羟基作为取代基的碳数1~21的伸烷基;于链中具有-N(R15)-、-O-、-OCO-、-COO-或伸芳基的至少一个基团的碳数1 ~21的伸烷基;具有羟基作为取代基的碳数1~21的伸烷基;或者碳数1~21的伸烷基,A2表示-NH-或O-。R15表示氢原子、碳数1~30的烷基、具有取代基或未经取代的苯基、萘基或苄基。An-表示含有具有拉电子性取代基的芳基、具有拉电子性取代基的磺酰基或卤化烷基的阴离子)
    • 6. 发明专利
    • 蝕刻劑、蝕刻方法及蝕刻劑調製液
    • 蚀刻剂、蚀刻方法及蚀刻剂调制液
    • TW201510283A
    • 2015-03-16
    • TW103123110
    • 2014-07-04
    • 和光純藥工業股份有限公司WAKO PURE CHEMICAL INDUSTRIES, LTD.
    • 橫溝貴宏YOKOMIZO, TAKAHIRO鶴本浩之TSURUMOTO, HIROYUKI柿澤政彥KAKIZAWA, MASAHIKO
    • C23F1/32C23F1/38C23F1/44H01L21/28H01L21/3213
    • C23F1/38H01L21/32134
    • 本發明之課題在於提供在對具有鈦系金屬與金屬銅或銅合金的半導體基板使用的情況下,會抑制過氧化氫的分解、溶液壽命長、控制蝕刻劑中過氧化氫的濃度之必要性少之半導體基板上的鈦系金屬用蝕刻劑及蝕刻方法,以及用於與過氧化氫混合使用的蝕刻劑調製液。 本發明係關於鈦系金屬用蝕刻劑、以使用該蝕刻劑之蝕刻方法、以及用於與過氧化氫混合使用的蝕刻劑調製液,該鈦系金屬用蝕刻劑係至少包含(A)過氧化氫、(B)構造中具有氮原子的膦酸系螫合劑、(C)鹼金屬氫氧化物、以及(D)具有至少1個羥基及至少3個羧基的有機酸之水溶液,為具有鈦系金屬以及於該鈦系金屬的上部之金屬銅或銅合金的半導體基板上的鈦系金屬用蝕刻劑。
    • 本发明之课题在于提供在对具有钛系金属与金属铜或铜合金的半导体基板使用的情况下,会抑制过氧化氢的分解、溶液寿命长、控制蚀刻剂中过氧化氢的浓度之必要性少之半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂及蚀刻方法,以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂调制液。 本发明系关于钛系金属用蚀刻剂、以使用该蚀刻剂之蚀刻方法、以及用于与过氧化氢混合使用的蚀刻剂调制液,该钛系金属用蚀刻剂系至少包含(A)过氧化氢、(B)构造中具有氮原子的膦酸系螫合剂、(C)碱金属氢氧化物、以及(D)具有至少1个羟基及至少3个羧基的有机酸之水溶液,为具有钛系金属以及于该钛系金属的上部之金属铜或铜合金的半导体基板上的钛系金属用蚀刻剂。