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1. 发明专利

TWI524384B 薄膜層之高產能結晶化失效
简体标题：薄膜层之高产能结晶化
公开(公告)号：TWI524384B
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW095130162
申请日：2006-08-16
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 , THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S , IM, JAMES S.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L27/1285 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/02686 , H01L21/02691 , H01L27/1296

2. 发明专利

TW200800930A 用以預防及治療涉及RYR受體調節失調症之藥劑 AGENTS FOR PREVENTING AND TREATING DISORDERS INVOLVING MODULATION OF THE RYR RECEPTORS 审中-公开
简体标题：用以预防及治疗涉及RYR受体调节失调症之药剂 AGENTS FOR PREVENTING AND TREATING DISORDERS INVOLVING MODULATION OF THE RYR RECEPTORS
公开(公告)号：TW200800930A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW095131037
申请日：2006-08-23
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：馬克安德魯羅伯特 MARKS, ANDREW ROBERT , 蘭德瑞多納多W LANDRY, DONALD W. , 丁席賢 DENG, SHIXIAN , 沈正莊 CHENG, ZHEN ZHUANG , 雷納特史蒂分E LEHNART, STEPHEN E.
IPC分类号： C07D
CPC分类号： C07D281/10 , C07D417/12 , C07D417/14
摘要：本發明提供式Ⅰ化合物
095131037P01.bmp
及其鹽類、水合物、溶劑合物、複合物和前驅藥。本發明進一步提供合成式Ⅰ化合物的方法。本發明另外提供含式Ⅰ化合物的藥學組合物以及利用該式Ⅰ之藥學組合物治療和預防與細胞內調節鈣通道功能之RyR受體有關之失調和疾病的方法。
简体摘要：本发明提供式Ⅰ化合物 095131037P01.bmp 及其盐类、水合物、溶剂合物、复合物和前驱药。本发明进一步提供合成式Ⅰ化合物的方法。本发明另外提供含式Ⅰ化合物的药学组合物以及利用该式Ⅰ之药学组合物治疗和预防与细胞内调节钙信道功能之RyR受体有关之失调和疾病的方法。

3. 发明专利

TW200733239A 薄膜之線性掃描連續橫向固化 LINE SCAN SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION OF THIN FILMS 失效
简体标题：薄膜之线性扫描连续横向固化 LINE SCAN SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION OF THIN FILMS
公开(公告)号：TW200733239A
公开(公告)日：2007-09-01
申请号：TW095143569
申请日：2006-11-24
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S. , 偉特保羅C 凡迪爾 WILT, PAUL C. VAN DER
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0738 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008
摘要：一多結晶膜係藉由下述步驟來製備:(a)提供一基材,該基材具有一設置於其上之薄膜,該膜可以進行雷射誘發熔化;(b)產生一連串雷射脈衝,該些脈衝具有足以在一被輻射區域中穿透膜厚度而熔化該膜之通量,每一脈衝形成一具有預定長度與寬度之線束,該寬度足以避免在一部分被雷射脈衝所輻射之薄膜中的固體成核;(c)以一第一雷射脈衝來輻射該膜之一第一區域,以形成一第一熔化區,該第一熔化區沿著其長度顯示出寬度變化,藉此界定一最大寬度(Wmax)與一最小寬度(Wmin),其中該第一熔化區冷卻時係結晶化以形成一或多個橫向成長結晶;(d)在橫向成長方向上橫向移動該膜一距離,其中該距離大於約一半的Wmax且小於Wmin;以及(e)以一第二雷射脈衝來輻射該膜之一第二區域,以形成一第二熔化區,該第二熔化區具有實質上相同於該第一熔化區之形狀,其中該第二熔化區在冷卻時係結晶化以形成一或多個橫向成長結晶,該第二熔化區中橫向成長結晶係為該第一熔化區中橫向成長結晶之延長部分。
简体摘要：一多结晶膜系借由下述步骤来制备:(a)提供一基材,该基材具有一设置于其上之薄膜,该膜可以进行激光诱发熔化;(b)产生一连串激光脉冲,该些脉冲具有足以在一被辐射区域中穿透膜厚度而熔化该膜之通量,每一脉冲形成一具有预定长度与宽度之线束,该宽度足以避免在一部分被激光脉冲所辐射之薄膜中的固体成核;(c)以一第一激光脉冲来辐射该膜之一第一区域,以形成一第一熔化区,该第一熔化区沿着其长度显示出宽度变化,借此界定一最大宽度(Wmax)与一最小宽度(Wmin),其中该第一熔化区冷却时系结晶化以形成一或多个横向成长结晶;(d)在横向成长方向上横向移动该膜一距离,其中该距离大于约一半的Wmax且小于Wmin;以及(e)以一第二激光脉冲来辐射该膜之一第二区域,以形成一第二熔化区,该第二熔化区具有实质上相同于该第一熔化区之形状,其中该第二熔化区在冷却时系结晶化以形成一或多个横向成长结晶,该第二熔化区中横向成长结晶系为该第一熔化区中横向成长结晶之延长部分。

4. 发明专利

TW200637830A 愛拉斯汀(erastin)和愛拉斯汀結合蛋白質,及其用途 ERASTIN AND ERASTIN BINDING PROTEINS, AND USES THEREOF 失效
简体标题：爱拉斯汀(erastin)和爱拉斯汀结合蛋白质,及其用途 ERASTIN AND ERASTIN BINDING PROTEINS, AND USES THEREOF
公开(公告)号：TW200637830A
公开(公告)日：2006-11-01
申请号：TW095102803
申请日：2006-01-25
申请人：普羅雷克西斯製藥公司 PROLEXYS PHARMACEUTICALS, INC. , 懷海德生物醫學研究社 WHITEHEAD INSTITUTE FOR BIOMEDICAL RESEARCH , 紐約哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：蘇德西爾沙哈斯拉布德 SAHASRABUDHE, SUDHIR , 羅伯特R 貝克林 BECKLIN, ROBERT R. , 辛蒂露雀潘諾斯克 CHEPANOSKE, CINDY LOU , 約翰M 沛堤爾 PELTIER, JOHN M. , 保羅B 羅賓斯 ROBBINS, PAUL B. , 羅伯特賽利亞 SELLIAH, ROBERT , 基斯賽門 SIMMONS, KEITH , 布朗特R 史塔克威爾 STOCKWELL, BRENT R. , 莫利茲馮雷玄貝爾格 VON RECHENBERG, MORITZ , 甄月軍 ZHEN, YUEJUN , 瑞伊歌頗溫卡特 VENKAT, RAJ GOPAL , 齊龍武 QI, LONGWU
IPC分类号： C07D , A61K , A61P
摘要：本發明係關於篩選結合搭檔的方法，尤其是愛拉斯汀(例如VDAC如VDAC3)生物活性所必要之結合搭檔。本發明也提供了用愛拉斯汀及相關的化合物或衍生物之試劑和方法來有效殺死癌細胞。095102803-p01.bmp
简体摘要：本发明系关于筛选结合搭档的方法，尤其是爱拉斯汀(例如VDAC如VDAC3)生物活性所必要之结合搭档。本发明也提供了用爱拉斯汀及相关的化合物或衍生物之试剂和方法来有效杀死癌细胞。095102803-p01.bmp

5. 发明专利

TW200523988A 用於提供單掃描連續移動之連續橫向結晶以增加雙向晶粒成長之方法及系統以及用於幫助前述雙向晶粒成長之罩幕 METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A SINGLE-SCAN, CONTINUOUS MOTION SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION FOR ENABLING A BI-DIRECTIONAL GRAIN GROWTH, AND A MASK FOR FACILITATING SUCH BI-DIRECTIONAL GRAIN GROWTH 失效
简体标题：用于提供单扫描连续移动之连续横向结晶以增加双向晶粒成长之方法及系统以及用于帮助前述双向晶粒成长之罩幕 METHOD AND SYSTEM FOR PROVIDING A SINGLE-SCAN, CONTINUOUS MOTION SEQUENTIAL LATERAL SOLIDIFICATION FOR ENABLING A BI-DIRECTIONAL GRAIN GROWTH, AND A MASK FOR FACILITATING SUCH BI-DIRECTIONAL GRAIN GROWTH
公开(公告)号：TW200523988A
公开(公告)日：2005-07-16
申请号：TW093128088
申请日：2004-09-16
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/02686 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
摘要：茲提供一種處理一基材上一薄膜樣本之至少一部份的系統及方法。前述薄膜樣本部分具有一第一晶粒邊界及一第二晶粒邊界。該樣本上之一或多個第一區域被一照射光束脈衝之第一封束連續地照射以使該第一區域之整個厚度完全地融化，並再固化及結晶以於其中成長晶粒。其後薄膜樣本之一或多個第二區域被第二射束照射以使該第二區域整個厚度完全地融化。至少兩第二區域係部分地重疊於該經再固化及結晶之第一區域之一特殊區域，以使此特殊區域中之晶粒藉由此再固化過程成長進入該至少兩第二區域之每一者。
简体摘要：兹提供一种处理一基材上一薄膜样本之至少一部份的系统及方法。前述薄膜样本部分具有一第一晶粒边界及一第二晶粒边界。该样本上之一或多个第一区域被一照射光束脉冲之第一封束连续地照射以使该第一区域之整个厚度完全地融化，并再固化及结晶以于其中成长晶粒。其后薄膜样本之一或多个第二区域被第二射束照射以使该第二区域整个厚度完全地融化。至少两第二区域系部分地重叠于该经再固化及结晶之第一区域之一特殊区域，以使此特殊区域中之晶粒借由此再固化过程成长进入该至少两第二区域之每一者。

6. 发明专利

TW200514127A 用於在基材上使用線型光束之薄膜區域雷射長晶處理之製桯及系統,以及此類薄膜區域之結構 PROCESSES AND SYSTEMS FOR LASER CRYSTALLIZATION PROCESSING OF FILM REGIONS ON A SUBSTRATE UTILIZING A LINE-TYPE BEAM, AND STRUCTURES OF SUCH FILM REGIONS 失效
简体标题：用于在基材上使用线型光束之薄膜区域激光长晶处理之制桯及系统,以及此类薄膜区域之结构 PROCESSES AND SYSTEMS FOR LASER CRYSTALLIZATION PROCESSING OF FILM REGIONS ON A SUBSTRATE UTILIZING A LINE-TYPE BEAM, AND STRUCTURES OF SUCH FILM REGIONS
公开(公告)号：TW200514127A
公开(公告)日：2005-04-16
申请号：TW093128076
申请日：2004-09-16
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S IM, JAMES S. , 威特保羅克里斯特安凡德 WILT, PAUL CHRISTIAAN VAN DER
IPC分类号： H01L , G02F
CPC分类号： H01L21/02686 , C30B13/24 , C30B35/00 , G21K5/02 , G21K5/10 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04
摘要：本發明提供一種處理薄膜樣本之製程與系統以及至少一部分之薄膜結構。照射光束脈衝可被塑造形狀以定義至少一線型光束脈衝，且此線型光束脈衝包含一前緣部分、一上部及一後緣部，其中至少一部分之強度足以至少部分融化一薄膜樣本。照射此薄膜樣本之一第一部份以至少部分地融化此第一部份並讓此第一部份再固化及結晶以在其上形成一約略均勻之區域。在薄膜樣本之第一部份照射之後以第二個線型光束脈衝照射一第二部分以至少部分融化此第二部份並使得此第二部份再固化及結晶以在其上形成一約略均勻之區域。由該第一線型光束脈衝之上部照射之第一部份的一區段係避免被第二線型光束脈衝之後緣部分照射。
简体摘要：本发明提供一种处理薄膜样本之制程与系统以及至少一部分之薄膜结构。照射光束脉冲可被塑造形状以定义至少一线型光束脉冲，且此线型光束脉冲包含一前缘部分、一上部及一后缘部，其中至少一部分之强度足以至少部分融化一薄膜样本。照射此薄膜样本之一第一部份以至少部分地融化此第一部份并让此第一部份再固化及结晶以在其上形成一约略均匀之区域。在薄膜样本之第一部份照射之后以第二个线型光束脉冲照射一第二部分以至少部分融化此第二部份并使得此第二部份再固化及结晶以在其上形成一约略均匀之区域。由该第一线型光束脉冲之上部照射之第一部份的一区段系避免被第二线型光束脉冲之后缘部分照射。

7. 发明专利

TWI575571B 部分熔融膜之非週期性脈衝處理系統及方法有权
简体标题：部分熔融膜之非周期性脉冲处理系统及方法
公开(公告)号：TWI575571B
公开(公告)日：2017-03-21
申请号：TW099137825
申请日：2010-11-03
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 , THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S , IM, JAMES S. , 鄧宜康 , DENG, YIKANG , 胡瓊英 , HU, QIONGYING , 鄭于津 , CHUNG, UI-JIN , 利馬諾夫亞歷山大B , LIMANOV, ALEXANDER B.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0081 , B23K26/083 , B23K2201/40 , H01L21/02532 , H01L21/0268 , H01L21/02691 , H01L21/268 , H01L21/67115 , H01L21/707 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , H01L29/04 , H01L29/66765 , H01L29/78678

8. 发明专利

TWI512520B 偵測對數位電路之攻擊之系統與方法有权
简体标题：侦测对数字电路之攻击之系统与方法
公开(公告)号：TWI512520B
公开(公告)日：2015-12-11
申请号：TW100106696
申请日：2011-03-01
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 , THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：賽特瑪哈文雷克奇米納拉辛漢 , SETHUMADHAVAN, LAKSHMINARASIMHAN , 華克斯曼亞當 , WAKSMAN, ADAM
IPC分类号： G06F11/28
CPC分类号： G06F21/554 , G06F9/30145 , G06F9/3867 , G06F12/14 , G06F15/16 , G06F21/00 , G06F21/71 , G06F2221/2101

9. 发明专利

TWI435388B 薄膜之線性掃描連續橫向固化失效
简体标题：薄膜之线性扫描连续横向固化
公开(公告)号：TWI435388B
公开(公告)日：2014-04-21
申请号：TW095143569
申请日：2006-11-24
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 , THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：埃恩詹姆士S , IM, JAMES S. , 偉特保羅C 凡迪爾 , WILT, PAUL C. VAN DER
IPC分类号： H01L21/324
CPC分类号： H01L21/02686 , B23K26/0738 , C30B13/00 , C30B13/24 , C30B29/06 , H01L21/02532 , H01L21/02678 , H01L21/2026 , H01L27/1285 , H01L27/1296 , Y10T117/10 , Y10T117/1004 , Y10T117/1008

10. 发明专利

TW200825176A 祖細胞於三度空間內之複製及分化 PROGENITOR CELL REPLICATION AND DIFFERENTIATION IN 3D 审中-公开
简体标题：祖细胞于三度空间内之复制及分化 PROGENITOR CELL REPLICATION AND DIFFERENTIATION IN 3D
公开(公告)号：TW200825176A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096131123
申请日：2007-08-22
申请人：紐約市哥倫比亞大學理事會 THE TRUSTEES OF COLUMBIA UNIVERSITY IN THE CITY OF NEW YORK
发明人：傑瑞米毛 MAO, JEREMY J.
IPC分类号： C12N , C07K , A61K , C12M
CPC分类号： A61K35/28 , A61K38/1841 , A61L27/3834 , C12N5/0655 , C12N5/0663 , C12N2501/15 , C12N2533/40 , C12N2533/72
摘要：本發明關於一種組織祖細胞原位分化之新穎方法,該方法不需習用之數週細胞操作及處理。該方法令組織祖細胞在植入三度空間之生物相容性基質之前不需經二度空間之培養及分化,因此提供方便性、節省成本及節省時間。本發明之一方面提供工程化之組織組成物,其包含於雙相基質材料內之實質上未分化之組織祖細胞以及生長因子或包封之生長因子。本發明之另一方面包括用於製造此處所述之組成物之方法。本發明之另一方面包括利用此處所述之組成物進行治療性處理之方法。
简体摘要：本发明关于一种组织祖细胞原位分化之新颖方法,该方法不需习用之数周细胞操作及处理。该方法令组织祖细胞在植入三度空间之生物兼容性基质之前不需经二度空间之培养及分化,因此提供方便性、节省成本及节省时间。本发明之一方面提供工程化之组织组成物,其包含于双相基质材料内之实质上未分化之组织祖细胞以及生长因子或包封之生长因子。本发明之另一方面包括用于制造此处所述之组成物之方法。本发明之另一方面包括利用此处所述之组成物进行治疗性处理之方法。

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