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1. 发明专利

TW200303944A 以外延方式塗覆半導體晶圓之方法及裝置,及以外延方式塗覆之半導體晶圓 PROCESS AND APPARATUS FOR EPITAXIALLY COATING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER 失效
简体标题：以外延方式涂覆半导体晶圆之方法及设备,及以外延方式涂覆之半导体晶圆 PROCESS AND APPARATUS FOR EPITAXIALLY COATING A SEMICONDUCTOR WAFER, AND EPITAXIALLY COATED SEMICONDUCTOR WAFER
公开(公告)号：TW200303944A
公开(公告)日：2003-09-16
申请号：TW092105524
申请日：2003-03-13
申请人：瓦克矽電子公司 WACKER SILTRONIC AG
发明人：維爾弗里德安孟 WILFRIED VON AMMON , 呂帝格西謀奇 RUEDIGER SCHMJOLKE , 彼特施陶爾克 PETER STORCK , 沃夫幹西伯特 WOLFGANG SIEBERT
IPC分类号： C23C , C30B , H01L
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/40 , H01L21/2205 , Y10S438/913 , Y10S438/928 , Y10S438/98 , Y10T117/10
摘要：本發明之內容係一種於CVD反應器內以外延方式塗覆半導體晶圓正面之方法，該半導體晶圓正面係暴露於一含有本源氣體及載體氣體之加工氣體，該半導體晶圓背面係暴露於一置換氣體，其特徵為該置換氣體所含氫氣不超過5%體積比（氫氣可強化該摻質之擴散作用），結果，可實質上避免摻質擴散至半導體晶圓背面之外。依照本發明之方法，可製得一半導體晶圓，其基片比電阻≦100毫歐姆公分、外延薄層比電阻＞l歐姆公分、無背面塗層、該半導體晶圓外延層之電阻不均勻性＜10%。
简体摘要：本发明之内容系一种于CVD反应器内以外延方式涂覆半导体晶圆正面之方法，该半导体晶圆正面系暴露于一含有本源气体及载体气体之加工气体，该半导体晶圆背面系暴露于一置换气体，其特征为该置换气体所含氢气不超过5%体积比（氢气可强化该掺质之扩散作用），结果，可实质上避免掺质扩散至半导体晶圆背面之外。依照本发明之方法，可制得一半导体晶圆，其基片比电阻≦100毫欧姆公分、外延薄层比电阻＞l欧姆公分、无背面涂层、该半导体晶圆外延层之电阻不均匀性＜10%。

2. 发明专利

TW459275B 半導體裝置及其製法有权
简体标题：半导体设备及其制法
公开(公告)号：TW459275B
公开(公告)日：2001-10-11
申请号：TW089112657
申请日：2000-06-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司
发明人：平形吉晴 , 後藤裕吾 , 小林優子 , 山崎舜平
IPC分类号： G02F , H01L
CPC分类号： G02F1/13394 , G02F1/13306 , G02F1/133345 , G02F1/13338 , G02F1/133512 , G02F1/1341 , G02F1/134309 , G02F1/13454 , G02F1/1368 , G02F2001/133302 , H01L27/12 , H01L27/1214 , H01L27/1222 , H01L27/124 , H01L27/1288 , H01L29/167 , H01L29/78621 , H01L29/78627 , H01L29/78669 , H01L2029/7863 , H01L2924/0002 , Y10S438/924 , Y10S438/98 , H01L2924/00
摘要：提供一種高品質的液晶顯示器，其設計上不需粒狀隔體，並依據液晶使用的範圍及驅動方法而自由的加以設計，並有關製作此液晶顯示器的方法。用以保持基底間隔的隔體為圓柱形，曲率半徑R小於等於2μm，高度H為0.5至10μm，直徑小於等於20μm，且夾角為65°至15°。藉此，可避免開關率的降低並防止因方向擾動而造成的光漏損。
简体摘要：提供一种高品质的液晶显示器，其设计上不需粒状隔体，并依据液晶使用的范围及驱动方法而自由的加以设计，并有关制作此液晶显示器的方法。用以保持基底间隔的隔体为圆柱形，曲率半径R小于等于2μm，高度H为0.5至10μm，直径小于等于20μm，且夹角为65°至15°。借此，可避免开关率的降低并防止因方向扰动而造成的光漏损。

3. 发明专利

TW559630B 一種用於CVD反應器內以外延方式塗覆半導體晶圓正面反應中避免晶圓摻質擴散的方法及裝置失效
简体标题：一种用于CVD反应器内以外延方式涂覆半导体晶圆正面反应中避免晶圆掺质扩散的方法及设备
公开(公告)号：TW559630B
公开(公告)日：2003-11-01
申请号：TW092105524
申请日：2003-03-13
申请人：瓦克矽電子公司
发明人：維爾弗里德安孟 , 呂帝格西謀奇 , 彼特施陶爾克 , 沃夫幹西伯特
IPC分类号： C23C
CPC分类号： C30B23/02 , C30B29/40 , H01L21/2205 , Y10S438/913 , Y10S438/928 , Y10S438/98 , Y10T117/10
摘要：本發明之內容係一種於CVD反應器內以外延方式塗覆半導體晶圓正面之方法，該半導體晶圓正面係暴露於一含有本源氣體及載體氣體之加工氣體，該半導體晶圓背面係暴露於一置換氣體，其特徵為該置換氣體所含氫氣不超過5%體積比(氫氣可強化該摻質之擴散作用)，結果，可實質上避免摻質擴散至半導體晶圓背面之外。
依照本發明之方法，可製得一半導體晶圓，其基片比電阻≦100毫歐姆公分、外延薄層比電阻>1歐姆公分、無背面塗層、該半導體晶圓外延層之電阻不均勻性
简体摘要：本发明之内容系一种于CVD反应器内以外延方式涂覆半导体晶圆正面之方法，该半导体晶圆正面系暴露于一含有本源气体及载体气体之加工气体，该半导体晶圆背面系暴露于一置换气体，其特征为该置换气体所含氢气不超过5%体积比(氢气可强化该掺质之扩散作用)，结果，可实质上避免掺质扩散至半导体晶圆背面之外。依照本发明之方法，可制得一半导体晶圆，其基片比电阻≦100毫欧姆公分、外延薄层比电阻>1欧姆公分、无背面涂层、该半导体晶圆外延层之电阻不均匀性<10%。伍、(一)、本案代表图为：第一图 (二)、本案代表图之组件代表符号简单说明： 1 晶圆； 2 承受器； 3 提升销；4 承受器支撑体； 5 晶圆提升器； 6 置换气体； 7 信道； 8 孔穴； 9 中央轴

4. 发明专利

TW278226B 接觸本體的絕緣層上矽場效電晶體失效
简体标题：接触本体的绝缘层上硅场效应管
公开(公告)号：TW278226B
公开(公告)日：1996-06-11
申请号：TW084109716
申请日：1995-09-16
申请人：萬國商業機器公司
发明人：布萊安.J.麥西尼 , 傑克.A.曼德曼 , 愛德華.J.諾華克
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/1203 , H01L2924/0002 , Y10S148/15 , Y10S438/98 , H01L2924/00
摘要：本發明提供了用來形成絕緣層上矽場效電晶體用的本體一基板連結器之結構及方法。此連結器大致上是和閘導體在不會干擾到源極和汲極之元件的某一側一致對齊而形成的。此本體和基板的電位很接近，而且連結器可提供多數載子能快速離開本體的通路。以一種不會干擾到閘極感應電荷的方式來接觸絕緣層上矽金氧半導體場效電晶體元件之本體，則可消除掉寄生的雙極效應，而能維持絕緣層上矽金氧半導體場效電晶體元件所要得到的特性，如基板偏壓的敏感性低、之臨界斜率陡峭。藉由形成和閘導體大體上一致對齊的連接器，使此種連接只用了一點點或是沒有用到表面區域。
简体摘要：本发明提供了用来形成绝缘层上硅场效应管用的本体一基板链接器之结构及方法。此链接器大致上是和闸导体在不會干擾到源极和汲极之组件的某一侧一致对齐而形成的。此本体和基板的电位很接近，而且链接器可提供多数载子能快速离开本体的通路。以一种不會干擾到闸极感应电荷的方式来接触绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应管组件之本体，则可消除掉寄生的双极效应，而能维持绝缘层上硅金属氧化物半导体场效应管组件所要得到的特性，如基板偏压的敏感性低、之临界斜率陡峭。借由形成和闸导体大体上一致对齐的连接器，使此种连接只用了一点点或是没有用到表面区域。

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