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1. 发明专利

TW201803969A 蝕刻液組成物及蝕刻方法审中-公开
简体标题：蚀刻液组成物及蚀刻方法
公开(公告)号：TW201803969A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106109726
申请日：2017-03-23
申请人： ADEKA股份有限公司 , ADEKA CORPORATION
发明人：大宮大輔 , OMIYA, DAISUKE , 青木珠美 , AOKI, TAMAMI
IPC分类号： C09K13/06 , C23F1/18
CPC分类号： C23F1/18 , H01L21/306 , H01L21/308 , H01L21/3205 , H01L21/3213 , H01L21/768 , H01L23/532
摘要：本發明係即便未含有氯化氫，仍可形成因蝕刻所造成的窄寬度少、直線性佳、且具有所需寬度的細線之對氧化銦系層蝕刻有用的蝕刻液組成物，其含有：(A)過氧化氫0.01~15質量%；(B)硫酸1~40質量%；(C)(C-1)下述一般式(1)(R1、R2、及R3：氫、碳原子數1~8之烷基等)所示醯胺化合物0.01~10質量%、或(C-2)胺基酸化合物0.01~20質量%；及水。
简体摘要：本发明系即便未含有氯化氢，仍可形成因蚀刻所造成的窄宽度少、直线性佳、且具有所需宽度的细线之对氧化铟系层蚀刻有用的蚀刻液组成物，其含有：(A)过氧化氢0.01~15质量%；(B)硫酸1~40质量%；(C)(C-1)下述一般式(1)(R1、R2、及R3：氢、碳原子数1~8之烷基等)所示酰胺化合物0.01~10质量%、或(C-2)氨基酸化合物0.01~20质量%；及水。

2. 发明专利

TWI546371B 研磨組成物有权
简体标题：研磨组成物
公开(公告)号：TWI546371B
公开(公告)日：2016-08-21
申请号：TW103138930
申请日：2014-11-10
申请人：盟智科技股份有限公司 , UWIZ TECHNOLOGY CO., LTD
发明人：何雲龍 , HO, YUN LUNG , 李圳傑 , LEE, CHUN CHIEH , 張松源 , CHANG, SONG YUAN , 陸明輝 , LU, MING HUI , 何明徹 , HO, MING CHE
IPC分类号： C09K3/14 , C09G1/02 , H01L21/304
CPC分类号： C09G1/02 , C09G1/00 , H01L21/3212 , H01L21/3213

3. 发明专利

TWI388896B 附有觸控面板之顯示裝置有权
简体标题：附有触摸皮肤之显示设备
公开(公告)号：TWI388896B
公开(公告)日：2013-03-11
申请号：TW098113171
申请日：2009-04-21
申请人：日立顯示器股份有限公司 , HITACHI DISPLAYS, LTD. , 松下液晶顯示器股份有限公司 , PANASONIC LIQUID CRYSTAL DISPLAY CO., LTD.
发明人：寺本雅博 , TERAMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： G02F1/13
CPC分类号： G06F3/0416 , G06F3/0412 , G06F3/044 , G06F3/047 , G06F2203/04103 , G06F2203/04111 , H01L21/0425 , H01L21/044 , H01L21/311 , H01L21/3213 , H05K3/0017

4. 发明专利

TW201250905A 圖案化基底特徵之後蝕刻處理的方法及其系統 METHOD AND SYSTEM FOR POST-ETCH TREATMENT OF PATTERNED SUBSTRATE FEATURES 审中-公开
简体标题：图案化基底特征之后蚀刻处理的方法及其系统 METHOD AND SYSTEM FOR POST-ETCH TREATMENT OF PATTERNED SUBSTRATE FEATURES
公开(公告)号：TW201250905A
公开(公告)日：2012-12-16
申请号：TW101111677
申请日：2012-04-02
申请人：瓦里安半導體設備公司
发明人：葛特盧多維克 , 漢特曼克里斯多夫 , 馬汀派崔克M , 米勒提摩太J
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/306 , H01L21/2658 , H01L21/26586 , H01L21/3105 , H01L21/311 , H01L21/31155 , H01L21/321 , H01L21/3213
摘要：一種圖案化基底的方法,包括:於基底上提供圖案化特徵組,將圖案化特徵組曝露於以多個角度入射到基底上的離子劑量,以及選擇性蝕刻圖案化特徵的經曝露部份。
简体摘要：一种图案化基底的方法,包括:于基底上提供图案化特征组,将图案化特征组曝露于以多个角度入射到基底上的离子剂量,以及选择性蚀刻图案化特征的经曝露部份。

5. 发明专利

TW493232B 耐火金屬上鋁層的電漿蝕刻失效
简体标题：耐火金属上铝层的等离子蚀刻
公开(公告)号：TW493232B
公开(公告)日：2002-07-01
申请号：TW089116573
申请日：2000-08-16
申请人：應用小松科技股份有限公司
发明人：哈魯漢羅漢瑞可多 , 王康安 , 珍妮 T 晨恩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32136 , C23F4/00 , H01L21/3213
摘要：一種用來蝕刻一多層金屬之被曝露出來的區域的製程及設備，該多層金屬具有至少兩層：一層鋁或鋁合金及一耐火金屬的底層。該蝕刻製程包括至少兩個步驟。在第一步驟中，該鋁層是藉由以一會蝕刻鋁之第一電漿化學物來處理該基材而被蝕刻的。選擇上地，該耐火金屬層的一部分，但非全部，亦被該第一蝕刻化學物所蝕刻。在一後續的第二步驟中，剩下來的耐火金屬層是以第二電漿化學物來加以蝕刻，該第二電漿化學物蝕刻底下的耐火金屬比其蝕刻鋁來得快。本發明將耐火金屬層被耗盡時之鋁側壁的側蝕刻(undercutting)最小化。
简体摘要：一种用来蚀刻一多层金属之被曝露出来的区域的制程及设备，该多层金属具有至少两层：一层铝或铝合金及一耐火金属的底层。该蚀刻制程包括至少两个步骤。在第一步骤中，该铝层是借由以一会蚀刻铝之第一等离子化学物来处理该基材而被蚀刻的。选择上地，该耐火金属层的一部分，但非全部，亦被该第一蚀刻化学物所蚀刻。在一后续的第二步骤中，剩下来的耐火金属层是以第二等离子化学物来加以蚀刻，该第二等离子化学物蚀刻底下的耐火金属比其蚀刻铝来得快。本发明将耐火金属层被耗尽时之铝侧壁的侧蚀刻(undercutting)最小化。

6. 发明专利

TW201642018A 光罩基底及轉印用光罩审中-公开
简体标题：光罩基底及转印用光罩
公开(公告)号：TW201642018A
公开(公告)日：2016-12-01
申请号：TW105125339
申请日：2011-12-23
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：酒井和也 , SAKAI, KAZUYA , 橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： G03F1/46 , G03F1/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/82 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3213 , H01L21/32136
摘要：本發明提供一種使對臭氧清洗等之耐清洗性提高、且可防止因清洗引起之光罩性能之劣化的光罩基底之製造方法。本發明之光罩基底之製造方法，係於基板上具有表面形成有由包含過渡金屬之材料構成之抗反射層的薄膜之光罩基底之製造方法，該方法係實施如下處理：藉由使濃度為50~100體積%之高濃度臭氧氣體作用於上述抗反射層，而於上述抗反射層之表面形成由包含上述過渡金屬之氧化物的強氧化膜構成之表面改質層。
简体摘要：本发明提供一种使对臭氧清洗等之耐清洗性提高、且可防止因清洗引起之光罩性能之劣化的光罩基底之制造方法。本发明之光罩基底之制造方法，系于基板上具有表面形成有由包含过渡金属之材料构成之抗反射层的薄膜之光罩基底之制造方法，该方法系实施如下处理：借由使浓度为50~100体积%之高浓度臭氧气体作用于上述抗反射层，而于上述抗反射层之表面形成由包含上述过渡金属之氧化物的强氧化膜构成之表面改质层。

7. 发明专利

TWI553398B 光罩基底及其製造方法、與轉印用光罩及其製造方法有权
简体标题：光罩基底及其制造方法、与转印用光罩及其制造方法
公开(公告)号：TWI553398B
公开(公告)日：2016-10-11
申请号：TW100148437
申请日：2011-12-23
申请人： HOYA股份有限公司 , HOYA CORPORATION
发明人：酒井和也 , SAKAI, KAZUYA , 橋本雅廣 , HASHIMOTO, MASAHIRO
IPC分类号： G03F1/46 , G03F1/38 , H01L21/027
CPC分类号： G03F1/50 , G03F1/46 , G03F1/82 , H01L21/3065 , H01L21/3081 , H01L21/3213 , H01L21/32136

8. 发明专利

TW201539648A 積體電路裝置的製造方法审中-公开
简体标题：集成电路设备的制造方法
公开(公告)号：TW201539648A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103146476
申请日：2014-12-31
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：劉文貴 , LIU, WEN KUEI , 蔡騰群 , TSAI, TENG CHUN , 廖高鋒 , LIAO, KAO FENG , 顏于婷 , YEN, YU TING , 蘇煜中 , SU, YU CHUNG
IPC分类号： H01L21/70
CPC分类号： H01L21/31055 , H01L21/0273 , H01L21/0274 , H01L21/28008 , H01L21/31058 , H01L21/31116 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/3213 , H01L21/32139 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/66545
摘要：用於對材料進行平面凹蝕的IC裝置製程，其中該材料最初在基板上具有不同的高度。該方法包含形成一聚合物層、化學機械研磨(CMP)以形成一平坦表面、接著電漿蝕刻導致對聚合物層之平面凹蝕。該材料層可與該聚合物一起被凹蝕，或是以該被凹蝕的聚合物層作為遮罩而接續被凹蝕。在某一特定高定下的任何材料係被移除。實質上低於該材料層某一特定高度的結構可實質被保持完整並被保護以不受污染。該聚合物層可為一光阻。藉由一兩步驟的烘烤製程以及在腔體中由基板之下進行排氣，可使得該聚合物層具有一合適的附著力，並以化學機械研磨時可被均勻地凹蝕。
简体摘要：用于对材料进行平面凹蚀的IC设备制程，其中该材料最初在基板上具有不同的高度。该方法包含形成一聚合物层、化学机械研磨(CMP)以形成一平坦表面、接着等离子蚀刻导致对聚合物层之平面凹蚀。该材料层可与该聚合物一起被凹蚀，或是以该被凹蚀的聚合物层作为遮罩而接续被凹蚀。在某一特定高定下的任何材料系被移除。实质上低于该材料层某一特定高度的结构可实质被保持完整并被保护以不受污染。该聚合物层可为一光阻。借由一两步骤的烘烤制程以及在腔体中由基板之下进行排气，可使得该聚合物层具有一合适的附着力，并以化学机械研磨时可被均匀地凹蚀。

9. 发明专利

TW201327760A 半導體裝置和製造其之方法审中-公开
简体标题：半导体设备和制造其之方法
公开(公告)号：TW201327760A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101145780
申请日：2012-12-06
申请人：愛思開海力士有限公司 , SK HYNIX INC.
发明人：李柄勳 , LEE, BYOUNG HOON , 林昌文 , LIM, CHANG MOON
IPC分类号： H01L23/52 , H01L21/768
CPC分类号： H01L27/10885 , H01L21/02532 , H01L21/02639 , H01L21/26586 , H01L21/30625 , H01L21/31111 , H01L21/31144 , H01L21/3213 , H01L27/0207 , H01L27/10873 , H01L27/10876 , H01L27/10888 , H01L29/66666 , H01L29/7827
摘要：在半導體裝置和用於製造其之方法中，以交替圖案形成支柱圖案，並且不使用傾斜離子佈植製程或遮罩來形成一個側接觸(OSC)而導致垂直閘極的形成。該半導體裝置包括形成在半導體基板上方的交替或蜿蜒型支柱圖案、形成在支柱圖案的支柱之間的第一孔、形成在第一孔的側壁上方的鈍化層、藉由部分地蝕刻第一孔的下部所形成的第二孔、形成在第二孔中的位元線以及在支柱圖案的下部處所形成的接觸。
简体摘要：在半导体设备和用于制造其之方法中，以交替图案形成支柱图案，并且不使用倾斜离子布植制程或遮罩来形成一个侧接触(OSC)而导致垂直闸极的形成。该半导体设备包括形成在半导体基板上方的交替或蜿蜒型支柱图案、形成在支柱图案的支柱之间的第一孔、形成在第一孔的侧壁上方的钝化层、借由部分地蚀刻第一孔的下部所形成的第二孔、形成在第二孔中的比特线以及在支柱图案的下部处所形成的接触。

10. 发明专利

TW201033746A 微影機台及其應用审中-公开
简体标题：微影机台及其应用
公开(公告)号：TW201033746A
公开(公告)日：2010-09-16
申请号：TW098107718
申请日：2009-03-10
申请人：財團法人國家實驗研究院
发明人：黃健朝 , 陳俊淇 , 施錫龍 , 吳政三 , 楊富量
IPC分类号： G03F , H01L
CPC分类号： G03F7/2022 , C23C14/048 , C23C16/047 , G03F7/20 , G03F7/203 , G03F7/2059 , H01L21/0337 , H01L21/31105 , H01L21/3213 , Y10T428/24612 , Y10T428/24802
摘要：本發明提供一種微影機台及其應用，其包含有一用以產生一電子束或離子束之電子束或離子束產生器；一用以承載一基材之基材承載台；以及一前驅氣體注入器，其係於基材上方注入一前驅氣體。本發明係利用電子束或離子束誘發位於基材上的前驅氣體反應、沉積於基材上，以達成單一步驟完成於基材上形成微影圖案層的製作，並有效利用電子束或離子束與前驅氣體之特性，達到高微影解析能力與避免污染物殘留。
简体摘要：本发明提供一种微影机台及其应用，其包含有一用以产生一电子束或离子束之电子束或离子束产生器；一用以承载一基材之基材承载台；以及一前驱气体注入器，其系于基材上方注入一前驱气体。本发明系利用电子束或离子束诱发位于基材上的前驱气体反应、沉积于基材上，以达成单一步骤完成于基材上形成微影图案层的制作，并有效利用电子束或离子束与前驱气体之特性，达到高微影解析能力与避免污染物残留。

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