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1. 发明专利

TW200301929A 半導體晶圓表面保護用黏著膜及使用該黏著膜之半導體晶圓之背面加工方法审中-公开
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着膜及使用该黏着膜之半导体晶圆之背面加工方法
公开(公告)号：TW200301929A
公开(公告)日：2003-07-16
申请号：TW091135933
申请日：2002-12-12
申请人：三井化學股份有限公司 MITSUI CHEMICALS, INC.
发明人：福本英樹 , 小清水孝信 , 片岡真 , 才本芳久
IPC分类号： H01L , C09J
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/22 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
摘要：【課題】本發明提供一種半導體晶圓表面保護用黏著膜，即使將半導體晶圓厚度薄層化到150μm以下，也能防止晶圓翹曲，能在晶圓不破損的前提下輕易地予以剝離。【解決手段】一種半導體晶圓表面保護用黏著膜，是在基材膜之一表面上形成有黏著劑層者；其特徵在於，基材膜係至少含有一層備有下述要件A、以及要件B或C中至少一要件之層：要件A：於50℃之膜軟硬度值介於0.08~1.50N範圍內的高剛性特性(A)；要件B：於90℃之膜軟硬度值為50℃之膜軟硬度值的三分之一以下的特性(B)；件C：於23℃、90%RH經過4小時吸水後的尺寸變化率為0.05~0.5%的吸水膨脹性高彈性模數特性(C)。
简体摘要：【课题】本发明提供一种半导体晶圆表面保护用黏着膜，即使将半导体晶圆厚度薄层化到150μm以下，也能防止晶圆翘曲，能在晶圆不破损的前提下轻易地予以剥离。【解决手段】一种半导体晶圆表面保护用黏着膜，是在基材膜之一表面上形成有黏着剂层者；其特征在于，基材膜系至少含有一层备有下述要件A、以及要件B或C中至少一要件之层：要件A：于50℃之膜软硬度值介于0.08~1.50N范围内的高刚性特性(A)；要件B：于90℃之膜软硬度值为50℃之膜软硬度值的三分之一以下的特性(B)；件C：于23℃、90%RH经过4小时吸水后的尺寸变化率为0.05~0.5%的吸水膨胀性高弹性模数特性(C)。

2. 发明专利

TW507285B 半導體晶圓保護方法及利用該方法之半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜有权
简体标题：半导体晶圆保护方法及利用该方法之半导体晶圆用之表面保护黏着薄膜
公开(公告)号：TW507285B
公开(公告)日：2002-10-21
申请号：TW090130780
申请日：2001-12-12
申请人：三井化學股份有限公司
发明人：才本芳久 , 藤井靖久 , 片岡真 , 平井健太郎 , 福本英樹 , 小清水孝信
IPC分类号： H01L , C09J
CPC分类号： H01L21/6835 , C09J7/22 , C09J7/38 , C09J2203/326 , H01L21/6836 , H01L24/27 , H01L24/83 , H01L2221/68327 , H01L2221/6834 , H01L2224/274 , H01L2224/2919 , H01L2224/8319 , H01L2224/8385 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01011 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01027 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01056 , H01L2924/01075 , H01L2924/01082 , H01L2924/0665 , H01L2924/07802 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/3512
摘要：本發明之目的為提供一種半導體晶圓保護方法，即使當將半導體晶圓弄薄至200微米以下之厚度時，其仍可防止半導體晶圓之破裂，及一種使用於此保護方法中之半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜。根據本發明，提供一種半導體晶圓保護方法，其包括將半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜黏著至半導體晶圓之電路形成表面之第一步驟，加工半導體晶圓之非電路形成表面之第二步驟，及將晶粒黏合用之黏合薄膜黏著至半導體晶圓之非電路形成表面之第三步驟，其特徵在於該第三步驟係未將半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜剝離而進行，及使用將黏著層形成於至少一層係由具有200℃以上熔點之樹脂製成之基材薄膜之一表面上之黏著薄膜；及一種使用於此保護方法中之半導體晶圓用之表面保護黏著薄膜。
简体摘要：本发明之目的为提供一种半导体晶圆保护方法，即使当将半导体晶圆弄薄至200微米以下之厚度时，其仍可防止半导体晶圆之破裂，及一种使用于此保护方法中之半导体晶圆用之表面保护黏着薄膜。根据本发明，提供一种半导体晶圆保护方法，其包括将半导体晶圆用之表面保护黏着薄膜黏着至半导体晶圆之电路形成表面之第一步骤，加工半导体晶圆之非电路形成表面之第二步骤，及将晶粒黏合用之黏合薄膜黏着至半导体晶圆之非电路形成表面之第三步骤，其特征在于该第三步骤系未将半导体晶圆用之表面保护黏着薄膜剥离而进行，及使用将黏着层形成于至少一层系由具有200℃以上熔点之树脂制成之基材薄膜之一表面上之黏着薄膜；及一种使用于此保护方法中之半导体晶圆用之表面保护黏着薄膜。

3. 发明专利

TW201207925A 半導體晶圓表面保護片及使用該保護片的半導體晶圓保護方法與半導體裝置的製造方法 PROTECTIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE, PROTECTIVE METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER AND FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAID PROTECTIVE SHEET 审中-公开
简体标题：半导体晶圆表面保护片及使用该保护片的半导体晶圆保护方法与半导体设备的制造方法 PROTECTIVE SHEET FOR SEMICONDUCTOR WAFER SURFACE, PROTECTIVE METHOD OF SEMICONDUCTOR WAFER AND FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING SAID PROTECTIVE SHEET
公开(公告)号：TW201207925A
公开(公告)日：2012-02-16
申请号：TW100119404
申请日：2011-06-02
申请人：三井化學股份有限公司
发明人：林下英司 , 才本芳久 , 片岡真 , 尾崎勝敏 , 酒井充
IPC分类号： H01L , C09J
CPC分类号： H01L21/67132 , Y10T428/1471
摘要：本發明提供一種半導體晶圓表面保護片,其具有對於半導體晶圓的電路形成面的凹凸的良好密接性、及研磨後的良好剝離性。具體而言,提供如下的半導體晶圓表面保護片,其包括:基材層,25℃下的儲存彈性模數E(25)為1 GPa以上;樹脂層(A),25℃下的儲存彈性模數EA(25)及60℃下的儲存彈性模數EA(60)滿足EA(60)/EA(25)
简体摘要：本发明提供一种半导体晶圆表面保护片,其具有对于半导体晶圆的电路形成面的凹凸的良好密接性、及研磨后的良好剥离性。具体而言,提供如下的半导体晶圆表面保护片,其包括:基材层,25℃下的存储弹性模数E(25)为1 GPa以上;树脂层(A),25℃下的存储弹性模数EA(25)及60℃下的存储弹性模数EA(60)满足EA(60)/EA(25)<0.1的关系,且上述60℃下的拉伸弹性模数EA(60)为0.005 MPa-1 MPa;以及树脂层(B),60℃下的存储弹性模数EB(60)为1 MPa以上,比上述树脂层(A)的60℃下的存储弹性模数EA(60)更高,且其厚度为0.1 ��m以上、未满100 ��m。

4. 发明专利

TW425625B 半導體晶圓之製造方法有权
简体标题：半导体晶圆之制造方法
公开(公告)号：TW425625B
公开(公告)日：2001-03-11
申请号：TW087118984
申请日：1998-11-17
申请人：三井化學股份有限公司
发明人：片岡真 , 藤井靖久 , 平井健太郎 , 福本英樹
IPC分类号： H01L , B32B
CPC分类号： H01L21/6836 , B24B37/042 , H01L21/304 , H01L2221/68327
摘要：本發明之目的是提供一種半導體晶圓之製造方法，其中可以防止半導體晶圓因為背面研削之一連貫操作而發生晶圓破裂，和可以縮短作業時間，本發明亦提供一種半導體晶圓之製造方法，其中將粘著帶貼著在半導體晶圓之表面，使用研削機對半導體晶圓之背面進行研削之後，使粘著帶剝離，本發明更提供一種半導體晶圓之製造方法，其特徵是該粘著帶使用具有熱收縮性之粘著帶，和在半導體晶圓之背面之研削後，繼續在研削機內對粘著帶進行加熱用來使其剝離半導體晶圓之表面。
简体摘要：本发明之目的是提供一种半导体晶圆之制造方法，其中可以防止半导体晶圆因为背面研削之一连贯操作而发生晶圆破裂，和可以缩短作业时间，本发明亦提供一种半导体晶圆之制造方法，其中将粘着带贴着在半导体晶圆之表面，使用研削机对半导体晶圆之背面进行研削之后，使粘着带剥离，本发明更提供一种半导体晶圆之制造方法，其特征是该粘着带使用具有热收缩性之粘着带，和在半导体晶圆之背面之研削后，继续在研削机内对粘着带进行加热用来使其剥离半导体晶圆之表面。

5. 发明专利

TW546728B 半導體晶圓表面保護用黏著薄膜及使用該黏著薄膜之半導體晶圓保護方法有权
简体标题：半导体晶圆表面保护用黏着薄膜及使用该黏着薄膜之半导体晶圆保护方法
公开(公告)号：TW546728B
公开(公告)日：2003-08-11
申请号：TW091122169
申请日：2002-09-26
申请人：三井化學股份有限公司
发明人：宮川誠史 , 片岡真 , 藤井靖久 , 才本芳久 , 早川慎一
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6836 , C09J7/29 , C09J2201/162 , C09J2203/326 , H01L2221/68327
摘要：提供具有優良密合性、防破損性、及非污染性之半導體晶圓表面保護用黏著薄膜為其目的，提供於基材薄膜之單一表面設置至少一層之中間層、及黏著劑層，且黏著劑層(B)於50~100℃中之貯藏彈性率(G’)的最小值(G’min)為0.07~5MPa，中間層之至少一層(C)於50℃中之貯藏彈性率為0.001MPa以上、未滿0.07MPa，且，黏著劑層(B)之厚度(tb、單位：μm)與具有該貯藏彈性率之中間層(C)之合計厚度(tc、單位：μm)為滿足下述數式(1)之關係為其特徵之半導體晶圓表面保護用黏著薄膜。
tc≧3tb …(1)
简体摘要：提供具有优良密合性、防破损性、及非污染性之半导体晶圆表面保护用黏着薄膜为其目的，提供于基材薄膜之单一表面设置至少一层之中间层、及黏着剂层，且黏着剂层(B)于50~100℃中之贮藏弹性率(G’)的最小值(G’min)为0.07~5MPa，中间层之至少一层(C)于50℃中之贮藏弹性率为0.001MPa以上、未满0.07MPa，且，黏着剂层(B)之厚度(tb、单位：μm)与具有该贮藏弹性率之中间层(C)之合计厚度(tc、单位：μm)为满足下述数式(1)之关系为其特征之半导体晶圆表面保护用黏着薄膜。 tc≧3tb …(1)

6. 发明专利

TW408356B 半導體晶圓之製造方法及保護其之黏著帶失效
简体标题：半导体晶圆之制造方法及保护其之黏着带
公开(公告)号：TW408356B
公开(公告)日：2000-10-11
申请号：TW088105576
申请日：1999-04-08
申请人：三井化學股份有限公司
发明人：片岡真 , 藤井靖久 , 平井健太郎 , 福本英樹 , 熊谷誠敏
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/6836 , H01L21/304 , H01L2221/68327 , Y10S156/941 , Y10S438/928 , Y10S438/974 , Y10S438/976 , Y10S438/977 , Y10T156/19
摘要：本發明之目的為提供半導體晶片(晶圓)之一種製法，其中防止在磨削晶片背面時及在剝離黏著帶時之晶片之損壞，而可減少操作時間。半導體晶片之上述製法包括:使一黏著帶黏著於半導體晶片之正面上之步驟；藉一磨床磨削半導體晶片之背面之步驟；剝離該黏著帶之步驟；以及清洗半導體晶片之正面之步驟，其中為該黏著帶使用一具有熱收縮性之黏著帶，而在磨削半導體晶片之背面後，在一晶片清洗機中澆注50至99℃溫度之溫水以剝離黏著帶，而在該晶片清洗機中清洗半導體晶片之正面。
简体摘要：本发明之目的为提供半导体芯片(晶圆)之一种制法，其中防止在磨削芯片背面时及在剥离黏着带时之芯片之损坏，而可减少操作时间。半导体芯片之上述制法包括:使一黏着带黏着于半导体芯片之正面上之步骤；藉一磨床磨削半导体芯片之背面之步骤；剥离该黏着带之步骤；以及清洗半导体芯片之正面之步骤，其中为该黏着带使用一具有热收缩性之黏着带，而在磨削半导体芯片之背面后，在一芯片清洗机中浇注50至99℃温度之温水以剥离黏着带，而在该芯片清洗机中清洗半导体芯片之正面。

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