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1. 发明专利

TW272306B 用於形成至一摻雜區之通孔的方法失效
简体标题：用于形成至一掺杂区之通孔的方法
公开(公告)号：TW272306B
公开(公告)日：1996-03-11
申请号：TW082103327
申请日：1993-04-29
申请人：西門斯股份有限公司
发明人：約瑟夫威納爾 , 華爾特紐慕勒
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/32134 , H01L21/76802 , Y10S438/924
摘要：一摻雜區(2)形成在一基體(1)內，使其受限於至少在此基體(1)表面的絕緣區(5)。一未摻雜矽層(6)全表面地沉積。確定疊置於通孔 (10) 區域的摻雜區 (61) 選擇性地形成在此矽層(6)內。相對於此摻雜區(61)，矽層(6)的未摻雜部分選擇性地去除。一絕緣層(9)全表面地形成，選擇性地相對於矽層(6)的摻雜區 (61) 以異方性蝕刻在此絕緣層(9)內開通一通孔(10)。此方法是適合在晶格場內具有Ｐ型通道MOSFETs的DRAMs內的節省空間的位元線接觸點的製造。
简体摘要：一掺杂区(2)形成在一基体(1)内，使其受限于至少在此基体(1)表面的绝缘区(5)。一未掺杂硅层(6)全表面地沉积。确定叠置于通孔 (10) 区域的掺杂区 (61) 选择性地形成在此硅层(6)内。相对于此掺杂区(61)，硅层(6)的未掺杂部分选择性地去除。一绝缘层(9)全表面地形成，选择性地相对于硅层(6)的掺杂区 (61) 以异方性蚀刻在此绝缘层(9)内开通一通孔(10)。此方法是适合在晶格场内具有Ｐ型信道MOSFETs的DRAMs内的节省空间的比特线接触点的制造。

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