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1. 发明专利

TW201629665A 用於氮化鎵電路負載之氮化鎵電路驅動器审中-公开
简体标题：用于氮化镓电路负载之氮化镓电路驱动器
公开(公告)号：TW201629665A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104130660
申请日：2015-09-16
申请人：納維達斯半導體公司 , NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：金瑟丹尼爾M , KINZER, DANIEL M. , 夏瑪善桃喜 , SHARMA, SANTOSH , 張佑傑森 , ZHANG, JU JASON
IPC分类号： G05F1/66 , H01L27/04
CPC分类号： H02J7/0052 , H01L23/528 , H01L25/072 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02M1/088 , H02M3/155 , H02M3/157 , H02M3/1584 , H02M3/1588 , H02M2001/0048 , H03K3/012 , H03K3/356017 , H03K17/102 , H03K19/018507 , Y02B70/1466 , Y02B70/1483
摘要：本發明揭示一種電子電路。該電子電路包含具有GaN之一基板，及形成於該基板上且包含一第一控制閘極及一第一源極之一功率開關。該電子電路亦包含形成於該基板上且包含耦合至該第一控制閘極之一輸出之一驅動電路，及具有一供應電壓且耦合至該驅動電路之一電源供應器，其中該輸出可經驅動至該供應電壓。
简体摘要：本发明揭示一种电子电路。该电子电路包含具有GaN之一基板，及形成于该基板上且包含一第一控制闸极及一第一源极之一功率开关。该电子电路亦包含形成于该基板上且包含耦合至该第一控制闸极之一输出之一驱动电路，及具有一供应电压且耦合至该驱动电路之一电源供应器，其中该输出可经驱动至该供应电压。

2. 发明专利

TW201547200A 位準轉換電路审中-公开
简体标题：位准转换电路
公开(公告)号：TW201547200A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104106501
申请日：2015-03-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：上妻宗広 , KOZUMA, MUNEHIRO
IPC分类号： H03K3/012 , H03K3/356
CPC分类号： H03K3/012 , H03K3/356017
摘要：本發明降低在能夠以低電壓工作的位準轉換器待機時發生的洩漏電流。本發明的一個方式是一種位準轉換電路，其中在輸出信號線與低電位電源線之間串聯設置n通道型矽電晶體和氧化物半導體電晶體，並且藉由電容耦合使該氧化物半導體電晶體的閘極電極的電位上升到比輸入信號電壓高的電位，從而增大氧化物半導體電晶體的通態電流。
简体摘要：本发明降低在能够以低电压工作的位准转换器待机时发生的泄漏电流。本发明的一个方式是一种位准转换电路，其中在输出信号线与低电位电源线之间串联设置n信道型硅晶体管和氧化物半导体晶体管，并且借由电容耦合使该氧化物半导体晶体管的闸极电极的电位上升到比输入信号电压高的电位，从而增大氧化物半导体晶体管的通态电流。

3. 发明专利

TW200814523A 多用途與細緻直流耦合的電流模式邏輯緩衝器 VERSATILE AND COMPACT DC-COUPLED CML BUFFER 审中-公开
简体标题：多用途与细致直流耦合的电流模式逻辑缓冲器 VERSATILE AND COMPACT DC-COUPLED CML BUFFER
公开(公告)号：TW200814523A
公开(公告)日：2008-03-16
申请号：TW096123551
申请日：2007-06-28
申请人：高通公司 QUALCOMM INCORPORATED
发明人：加恰恩那拉森 NARATHONG, CHIEWCHARN , 蘇文俊 SU, WENJUN
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K19/01721 , H03K3/356017 , H03K19/018514
摘要：一種新穎電流模式邏輯(CML)緩衝器之差動信號輸出節點藉由相連導體而DC耦合至一負載(例如,一CML邏輯元件)之差動信號輸入節點。該CML緩衝器包括一下拉負載鎖存器,該下拉負載鎖存器增大緩衝器跨導且越過該等導體提供一直流(DC)偏電壓並提供該DC偏電壓至該負載之該等輸入節點上,藉此排除該負載具有DC偏壓電路之需要。緩衝器與負載之間的一習知交流(AC)耦合之電容器係不需要的,藉此減小所需實現電路之晶粒面積之量且藉此減小緩衝器至負載連接之電容。切換功率消耗歸因於該低電容緩衝器至負載連接而係較低的。差動信號可在一自小於五千赫至大於一千兆赫之寬頻率範圍內,以小於百分之五十之信號衰減自緩衝器傳達至負載。
简体摘要：一种新颖电流模式逻辑(CML)缓冲器之差动信号输出节点借由相连导体而DC耦合至一负载(例如,一CML逻辑组件)之差动信号输入节点。该CML缓冲器包括一下拉负载锁存器,该下拉负载锁存器增大缓冲器跨导且越过该等导体提供一直流(DC)偏电压并提供该DC偏电压至该负载之该等输入节点上,借此排除该负载具有DC偏压电路之需要。缓冲器与负载之间的一习知交流(AC)耦合之电容器系不需要的,借此减小所需实现电路之晶粒面积之量且借此减小缓冲器至负载连接之电容。切换功率消耗归因于该低电容缓冲器至负载连接而系较低的。差动信号可在一自小于五千赫至大于一千兆赫之宽带率范围内,以小于百分之五十之信号衰减自缓冲器传达至负载。

4. 发明专利

TW201804277A 用於氮化鎵電路負載之氮化鎵電路驅動器审中-公开
简体标题：用于氮化镓电路负载之氮化镓电路驱动器
公开(公告)号：TW201804277A
公开(公告)日：2018-02-01
申请号：TW106138274
申请日：2015-09-16
申请人：納維達斯半導體公司 , NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：金瑟丹尼爾 M , KINZER,DANIEL M. , 夏瑪善桃喜 , SHARMA,SANTOSH , 張佑傑森 , ZHANG,JU JASON
IPC分类号： G05F1/66 , H01L27/04
CPC分类号： H02J7/0052 , H01L23/528 , H01L25/072 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02M1/088 , H02M3/155 , H02M3/157 , H02M3/1584 , H02M3/1588 , H02M2001/0048 , H03K3/012 , H03K3/356017 , H03K17/102 , H03K19/018507 , Y02B70/1466 , Y02B70/1483
摘要：本發明揭示一種電子電路。該電子電路包含具有GaN之一基板，及形成於該基板上且包含一第一控制閘極及一第一源極之一功率開關。該電子電路亦包含形成於該基板上且包含耦合至該第一控制閘極之一輸出之一驅動電路，及具有一供應電壓且耦合至該驅動電路之一電源供應器，其中該輸出可經驅動至該供應電壓。
简体摘要：本发明揭示一种电子电路。该电子电路包含具有GaN之一基板，及形成于该基板上且包含一第一控制闸极及一第一源极之一功率开关。该电子电路亦包含形成于该基板上且包含耦合至该第一控制闸极之一输出之一驱动电路，及具有一供应电压且耦合至该驱动电路之一电源供应器，其中该输出可经驱动至该供应电压。

5. 发明专利

TWI337007B 具電壓提升之位準偏移電路及其電壓提升電路 LEVEL SHIFT CIRCUIT WITH VOLTAGE PULLING AND VOLTAGE-PULLING CIRCUIT THEREOF 失效
简体标题：具电压提升之位准偏移电路及其电压提升电路 LEVEL SHIFT CIRCUIT WITH VOLTAGE PULLING AND VOLTAGE-PULLING CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TWI337007B
公开(公告)日：2011-02-01
申请号：TW096107111
申请日：2007-03-02
申请人：奇景光電股份有限公司
发明人：張育瑞
IPC分类号： H03K , G09G
CPC分类号： H03K3/356017
摘要：本發明係關於一種具電壓提升之位準偏移電路(level shift circuit)及其電壓提升電路，該具電壓提升之位準偏移電路包括一電壓提升電路及至少一個反相器。該電壓提升電路包含：一電容元件；一第一開關，其根據一第一控制信號接收一第一電壓且充電該電容元件；一第二開關，其根據一第二控制信號將該電容元件放電且能夠產生一第一輸入信號；及一第三開關，其根據該第一控制信號接收一第二電壓且能夠產生該第一輸入信號。該至少一個反相器調節該第一輸入信號且耦接至該電壓提升電路。
简体摘要：本发明系关于一种具电压提升之位准偏移电路(level shift circuit)及其电压提升电路，该具电压提升之位准偏移电路包括一电压提升电路及至少一个反相器。该电压提升电路包含：一电容组件；一第一开关，其根据一第一控制信号接收一第一电压且充电该电容组件；一第二开关，其根据一第二控制信号将该电容组件放电且能够产生一第一输入信号；及一第三开关，其根据该第一控制信号接收一第二电压且能够产生该第一输入信号。该至少一个反相器调节该第一输入信号且耦接至该电压提升电路。

6. 发明专利

TW200826499A 具電壓提升之位準偏移電路及其電壓提升電路 LEVEL SHIFT CIRCUIT WITH VOLTAGE PULLING AND VOLTAGE-PULLING CIRCUIT THEREOF 失效
简体标题：具电压提升之位准偏移电路及其电压提升电路 LEVEL SHIFT CIRCUIT WITH VOLTAGE PULLING AND VOLTAGE-PULLING CIRCUIT THEREOF
公开(公告)号：TW200826499A
公开(公告)日：2008-06-16
申请号：TW096107111
申请日：2007-03-02
申请人：奇景光電股份有限公司 HIMAX TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：張育瑞 CHANG, YU JUI
IPC分类号： H03K , G09G
CPC分类号： H03K3/356017
摘要：本發明係關於一種具電壓提升之位準偏移電路(level shift circuit)及其電壓提升電路,該具電壓提升之位準偏移電路包括一電壓提升電路及至少一個反相器。該電壓提升電路包含:一電容元件;一第一開關,其根據一第一控制信號接收一第一電壓且充電該電容元件;一第二開關,其根據一第二控制信號將該電容元件放電且能夠產生一第一輸入信號;及一第三開關,其根據該第一控制信號接收一第二電壓且能夠產生該第一輸入信號。該至少一個反相器調節該第一輸入信號且耦接至該電壓提升電路。
简体摘要：本发明系关于一种具电压提升之位准偏移电路(level shift circuit)及其电压提升电路,该具电压提升之位准偏移电路包括一电压提升电路及至少一个反相器。该电压提升电路包含:一电容组件;一第一开关,其根据一第一控制信号接收一第一电压且充电该电容组件;一第二开关,其根据一第二控制信号将该电容组件放电且能够产生一第一输入信号;及一第三开关,其根据该第一控制信号接收一第二电压且能够产生该第一输入信号。该至少一个反相器调节该第一输入信号且耦接至该电压提升电路。

7. 发明专利

TWI615699B 用於氮化鎵電路負載之氮化鎵電路驅動器有权
简体标题：用于氮化镓电路负载之氮化镓电路驱动器
公开(公告)号：TWI615699B
公开(公告)日：2018-02-21
申请号：TW104130660
申请日：2015-09-16
申请人：納維達斯半導體公司 , NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：金瑟丹尼爾M , KINZER, DANIEL M. , 夏瑪善桃喜 , SHARMA, SANTOSH , 張佑傑森 , ZHANG, JU JASON
IPC分类号： G05F1/66 , H01L27/04
CPC分类号： H02J7/0052 , H01L23/528 , H01L25/072 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02M1/088 , H02M3/155 , H02M3/157 , H02M3/1584 , H02M3/1588 , H02M2001/0048 , H03K3/012 , H03K3/356017 , H03K17/102 , H03K19/018507 , Y02B70/1466 , Y02B70/1483

8. 发明专利

TW201622327A 用於氮化鎵裝置之位準移位電路及反相器電路审中-公开
简体标题：用于氮化镓设备之位准移位电路及反相器电路
公开(公告)号：TW201622327A
公开(公告)日：2016-06-16
申请号：TW104130695
申请日：2015-09-16
申请人：納維達斯半導體公司 , NAVITAS SEMICONDUCTOR, INC.
发明人：金瑟丹尼爾M , KINZER, DANIEL M. , 夏瑪善桃喜 , SHARMA, SANTOSH , 張佑傑森 , ZHANG, JU JASON
IPC分类号： H02M3/155 , H02M7/48
CPC分类号： H02J7/0052 , H01L23/528 , H01L25/072 , H01L27/088 , H01L27/0883 , H01L29/1033 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41758 , H01L2924/00 , H01L2924/0002 , H02M1/088 , H02M3/155 , H02M3/157 , H02M3/1584 , H02M3/1588 , H02M2001/0048 , H03K3/012 , H03K3/356017 , H03K17/102 , H03K19/018507 , Y02B70/1466 , Y02B70/1483
摘要：基於氮化鎵(GaN)之半橋功率轉換電路採用控制、支援與邏輯功能，該等功能以單片方式整合於與功率電晶體相同的裝置上。在某些實施例中，一低側GaN裝置透過一或多個位準移位電路與一高側GaN裝置連通。該高側裝置及該低側裝置兩者皆可具有一或多個整合之控制、支援與邏輯功能。某些裝置採用形成在該等基於GaN之裝置內之靜電放電電路及特徵來改良該等半橋功率轉換電路之可靠性及效能。
简体摘要：基于氮化镓(GaN)之半桥功率转换电路采用控制、支持与逻辑功能，该等功能以单片方式集成于与功率晶体管相同的设备上。在某些实施例中，一低侧GaN设备透过一或多个位准移位电路与一高侧GaN设备连通。该高侧设备及该低侧设备两者皆可具有一或多个集成之控制、支持与逻辑功能。某些设备采用形成在该等基于GaN之设备内之静电放电电路及特征来改良该等半桥功率转换电路之可靠性及性能。

9. 发明专利

TW201037975A 高速條件性反偏壓虛擬接地回復電路 HIGH SPEED CONDITIONAL BACK BIAS VIRTUAL GROUND RESTORATION CIRCUIT 审中-公开
简体标题：高速条件性反偏压虚拟接地回复电路 HIGH SPEED CONDITIONAL BACK BIAS VIRTUAL GROUND RESTORATION CIRCUIT
公开(公告)号：TW201037975A
公开(公告)日：2010-10-16
申请号：TW098142571
申请日：2009-12-11
申请人：微晶片科技公司
发明人：杜查爾奈爾 , 陳金輝 , 瓊斯馬奎斯
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03K3/356017 , H03K19/0016
摘要：本發明揭示一種條件性位準移位器電路，其係用於大體上消除在具有於不同電壓域中之兩個或兩個以上邏輯電路模組之一積體電路元件中發生潛洩電流。當介於不同電壓域中之兩個或兩個以上邏輯電路模組之間的一信號為處於邏輯「0」且該等邏輯電路模組之一者經偏壓處於高於該積體電路元件之真實接地VSS之一電壓位準時，引起潛洩電流。該條件性接地回復電路移變虛擬接地邏輯「0」至真實接地位準。此消除潛洩電流及邏輯位準訛誤(corruption)。
简体摘要：本发明揭示一种条件性位准移位器电路，其系用于大体上消除在具有于不同电压域中之两个或两个以上逻辑电路模块之一集成电路组件中发生潜泄电流。当介于不同电压域中之两个或两个以上逻辑电路模块之间的一信号为处于逻辑“0”且该等逻辑电路模块之一者经偏压处于高于该集成电路组件之真实接地VSS之一电压位准时，引起潜泄电流。该条件性接地回复电路移变虚拟接地逻辑“0”至真实接地位准。此消除潜泄电流及逻辑位准讹误(corruption)。

10. 发明专利

TW275166B 感應放大器失效
简体标题：感应放大器
公开(公告)号：TW275166B
公开(公告)日：1996-05-01
申请号：TW084112361
申请日：1995-11-21
申请人：陶森.陶森.克魯有限合夥公司
发明人：勞柏J.普洛柏斯丁
IPC分类号： H03F
CPC分类号： H03K3/356017 , G11C7/062
摘要：一種差分感應放大器係被提供，其中，一第一放大器級係偏壓以減少所有放大器級的電流消耗，以及，提供第一級的輸出，其於電壓上係足夠高，以允許該放大器之第二級的適當操作，以及，係足夠低以允許一電流鏡被整合進入該放大器之第二級。該第三級電流鏡的整合進入該第二級放大器，減少了在第二級輸出之電容性負載，增加了速度，同時消除一般係有關於一分開電流鏡之額外之電源功率。這組合造成一個很快，非常低的功率放大器。
简体摘要：一种差分感应放大器系被提供，其中，一第一放大器级系偏压以减少所有放大器级的电流消耗，以及，提供第一级的输出，其于电压上系足够高，以允许该放大器之第二级的适当操作，以及，系足够低以允许一电流镜被集成进入该放大器之第二级。该第三级电流镜的集成进入该第二级放大器，减少了在第二级输出之电容性负载，增加了速度，同时消除一般系有关于一分开电流镜之额外之电源功率。这组合造成一个很快，非常低的功率放大器。

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