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1. 发明专利

TWI612771B 具有用於傳輸信號之可組態可變供應電壓之介面電路有权
简体标题：具有用于传输信号之可组态可变供应电压之界面电路
公开(公告)号：TWI612771B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105129218
申请日：2016-09-09
申请人：豪威科技股份有限公司 , OMNIVISION TECHNOLOGIES, INC.
发明人：劉慜 , LIU, MIN , 高潤鶴 , KOH, YUN HAK , 吳查理斯坤格 , WU, CHARLES QINGLE
IPC分类号： H03K5/003 , H03K19/0185
CPC分类号： H03K19/0013 , H03K19/018514

2. 发明专利

TWI519046B 具低漣波輸出信號的電荷泵電壓調整器與相關控制方法有权
简体标题：具低涟波输出信号的电荷泵电压调整器与相关控制方法
公开(公告)号：TWI519046B
公开(公告)日：2016-01-21
申请号：TW103145745
申请日：2014-12-26
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：邵啓意 , SHAO, CHI YI
IPC分类号： H02M1/14 , H02M3/07
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/16 , H02M1/14 , H02M3/07 , H03K19/018514

3. 发明专利

TW201539458A 非揮發性記憶體裝置及其抹除方法审中-公开
简体标题：非挥发性内存设备及其抹除方法
公开(公告)号：TW201539458A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103127075
申请日：2014-08-07
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：蔡裕雄 , TSAI, YU HSIUNG , 羅俊元 , LO, CHUN YUAN
IPC分类号： G11C16/14 , G11C16/24
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/16 , H02M1/14 , H02M3/07 , H03K19/018514
摘要：本發明提供一種非揮發性記憶體裝置及其抹除方法。非揮發性記憶體裝置包括多個記憶體區塊以及控制電壓提供器。記憶體區塊配置於相同的井區，其中，各記憶體區塊包括多個記憶體胞以分別接收多個控制線信號。控制電壓提供器提供控制線信號至各第一記憶體區塊的記憶體胞。當執行抹除操作，記憶體區塊的其中之一被選擇以進行抹除動作，且控制電壓提供器提供具有抹除控制電壓的控制線信號至被選擇的記憶體區塊，以及提供具有非抹除控制電壓的控制線信號至未被選擇的記憶體區塊，抹除控制電壓及非抹除控制電壓的電壓位準相異。
简体摘要：本发明提供一种非挥发性内存设备及其抹除方法。非挥发性内存设备包括多个内存区块以及控制电压提供器。内存区块配置于相同的井区，其中，各内存区块包括多个内存胞以分别接收多个控制线信号。控制电压提供器提供控制线信号至各第一内存区块的内存胞。当运行抹除操作，内存区块的其中之一被选择以进行抹除动作，且控制电压提供器提供具有抹除控制电压的控制线信号至被选择的内存区块，以及提供具有非抹除控制电压的控制线信号至未被选择的内存区块，抹除控制电压及非抹除控制电压的电压位准相异。

4. 发明专利

TW201440402A 電壓轉換裝置审中-公开
简体标题：电压转换设备
公开(公告)号：TW201440402A
公开(公告)日：2014-10-16
申请号：TW102112860
申请日：2013-04-11
申请人：奕力科技股份有限公司 , ILI TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：鄭維中 , CHENG, WEI CHUNG , 許世昕 , HSU, SHIH HSIN , 張倫愷 , CHANG, LUN KAI
IPC分类号： H02M3/155
CPC分类号： G05F3/08 , H03K19/018514
摘要：一種電壓轉換裝置，包含一第一級電路及一第二級電路。該第一級電路用以轉換一介於一第一高電壓與一第二高電壓間的差動電壓為一介於該第一高電壓與一第一低電壓間的第一級差動輸出訊號。該第二級電路用以轉換該第一級差動輸出訊號為一介於該第二高電壓與一第二低電壓間的輸出訊號，該第二級電路包括：一第一輸入電晶體、一第二輸入電晶體、一箝制模組、一第一輸出電晶體，及一第二輸出電晶體。藉由該箝制模組分別箝制該第一輸入電晶體及該第二輸入電晶體的跨壓，可以降低跨壓以避免被擊穿，能減少轉換級數，進而降低電路功率消耗。
简体摘要：一种电压转换设备，包含一第一级电路及一第二级电路。该第一级电路用以转换一介于一第一高电压与一第二高电压间的差动电压为一介于该第一高电压与一第一低电压间的第一级差动输出信号。该第二级电路用以转换该第一级差动输出信号为一介于该第二高电压与一第二低电压间的输出信号，该第二级电路包括：一第一输入晶体管、一第二输入晶体管、一箝制模块、一第一输出晶体管，及一第二输出晶体管。借由该箝制模块分别箝制该第一输入晶体管及该第二输入晶体管的跨压，可以降低跨压以避免被击穿，能减少转换级数，进而降低电路功率消耗。

5. 发明专利

TW201729538A 實現緩衝器電晶體之動態閘極偏壓之輸入/輸出(I/O)驅動器审中-公开
简体标题：实现缓冲器晶体管之动态闸极偏压之输入/输出(I/O)驱动器
公开(公告)号：TW201729538A
公开(公告)日：2017-08-16
申请号：TW106100646
申请日：2017-01-09
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：陳威爾森 , CHEN, WILSON , 潭秋關 , TAN, CHIEW-GUAN , 潔莉理賽娜麗瑞莎 , JALILIZEINALI, REZA
IPC分类号： H03K5/003
CPC分类号： H03K19/018507 , H03K19/0016 , H03K19/018514
摘要：本發明提供一種輸入/輸出(I/O)驅動器，其包括用於對串聯地耦接於一第一軌與一輸出之間的第一FET及第二FET以及耦接於該輸出與一第二軌之間的第三FET及第四FET進行過電壓保護的電路系統。該電路系統經組態以產生用於該第二FET之一閘極偏壓電壓，該閘極偏壓電壓在輸出電壓(VPAD)開始自低邏輯電壓轉變至高邏輯電壓時自高偏壓電壓狀態轉變至低偏壓電壓狀態，且在VPAD繼續朝向該高邏輯電壓轉變時轉變回至該高偏壓電壓。另外，該電路系統經組態以產生用於該第三FET之一閘極偏壓電壓，該閘極偏壓電壓在VPAD開始自高邏輯電壓轉變至低邏輯電壓時自低偏壓電壓轉變至高偏壓電壓，且在VPAD繼續朝向該低邏輯電壓轉變時轉變回至該低偏壓電壓。
简体摘要：本发明提供一种输入/输出(I/O)驱动器，其包括用于对串联地耦接于一第一轨与一输出之间的第一FET及第二FET以及耦接于该输出与一第二轨之间的第三FET及第四FET进行过电压保护的电路系统。该电路系统经组态以产生用于该第二FET之一闸极偏压电压，该闸极偏压电压在输出电压(VPAD)开始自低逻辑电压转变至高逻辑电压时自高偏压电压状态转变至低偏压电压状态，且在VPAD继续朝向该高逻辑电压转变时转变回至该高偏压电压。另外，该电路系统经组态以产生用于该第三FET之一闸极偏压电压，该闸极偏压电压在VPAD开始自高逻辑电压转变至低逻辑电压时自低偏压电压转变至高偏压电压，且在VPAD继续朝向该低逻辑电压转变时转变回至该低偏压电压。

6. 发明专利

TW201327368A 具有用於ＨＤＭＩ傳輸應用之內建解加強之高速預驅動器及電壓位準轉換器审中-公开
简体标题：具有用于ＨＤＭＩ传输应用之内置解加强之高速预驱动器及电压位准转换器
公开(公告)号：TW201327368A
公开(公告)日：2013-07-01
申请号：TW101142133
申请日：2012-11-12
申请人：高通公司 , QUALCOMM INCORPORATED
发明人：李妙 , LI, MIAO , 周傑 , ZHU, ZHI , 鞏曉華 , KOMG, XIAOHUA , 丹南V , DANG, NAM V.
IPC分类号： G06F3/14
CPC分类号： H03K19/018514 , H04L25/0272 , H04L25/0286
摘要：在一實例中，提供一種具有用於HDMI傳輸應用之內建解加強之高速預驅動器及電壓位準轉換器。一例示性積體電路包括一串列化器、經耦接以自該串列化器接收一差分輸入之一預驅動器，及一驅動器。該預驅動器包括全p型金屬-氧化物-矽(PMOS)交叉耦合位準轉換器，該轉換器包含四個PMOS電晶體，及兩個解加強PMOS電晶體，該等解加強PMOS電晶體形成耦接至該交叉耦合位準轉換器之輸出的一解加強分接頭。該驅動器耦接至預驅動器輸出且經組態以自該預驅動器接收一差分輸入。
简体摘要：在一实例中，提供一种具有用于HDMI传输应用之内置解加强之高速预驱动器及电压位准转换器。一例示性集成电路包括一串行化器、经耦接以自该串行化器接收一差分输入之一预驱动器，及一驱动器。该预驱动器包括全p型金属-氧化物-硅(PMOS)交叉耦合位准转换器，该转换器包含四个PMOS晶体管，及两个解加强PMOS晶体管，该等解加强PMOS晶体管形成耦接至该交叉耦合位准转换器之输出的一解加强分接头。该驱动器耦接至预驱动器输出且经组态以自该预驱动器接收一差分输入。

7. 发明专利

TWI371169B 低壓轉高壓的輸出驅動電路及訊號轉換方法、平行轉序列發送器以及驅動序列連結的輸出驅動電路 LOW TO HIGH VOLTAGE CONVERSION OUTPUT DRIVER AND CONVERSION METHOD, PARALLEL TO SERIAL TRANSMITTER AND OUTPUT DRIVER FOR DRIVING A SERIAL LINK 失效
简体标题：低压转高压的输出驱动电路及信号转换方法、平行转串行发送器以及驱动串行链接的输出驱动电路 LOW TO HIGH VOLTAGE CONVERSION OUTPUT DRIVER AND CONVERSION METHOD, PARALLEL TO SERIAL TRANSMITTER AND OUTPUT DRIVER FOR DRIVING A SERIAL LINK
公开(公告)号：TWI371169B
公开(公告)日：2012-08-21
申请号：TW096130698
申请日：2007-08-20
申请人：聯發科技股份有限公司
发明人：邱寶成
IPC分类号： H03M
CPC分类号： H03K19/018514 , H03K19/094 , H03M9/00
摘要：本發明揭露一種低壓轉高壓的輸出驅動電路，其中一輸出透過負載元件耦接到第一固定電壓，低壓轉高壓的輸出驅動電路包括電流源、低壓電晶體以及高壓電晶體。其中電流源以之一端耦接至第二固定電壓；低壓電晶體具有耦接至該電流源之另一端的第一端，接收低壓資料信號的第二端，以及一第三端；高壓電晶體之第一端耦接至低壓電晶體之第三端、高壓電晶體之第二端耦接至偏壓源以及第三端耦接至該輸出。
简体摘要：本发明揭露一种低压转高压的输出驱动电路，其中一输出透过负载组件耦接到第一固定电压，低压转高压的输出驱动电路包括电流源、低压晶体管以及高压晶体管。其中电流源以之一端耦接至第二固定电压；低压晶体管具有耦接至该电流源之另一端的第一端，接收低压数据信号的第二端，以及一第三端；高压晶体管之第一端耦接至低压晶体管之第三端、高压晶体管之第二端耦接至偏压源以及第三端耦接至该输出。

8. 发明专利

TWI252625B 資料驅動電路及具有該電路之半導體記憶裝置 DATA DRIVING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THE SAME 失效
简体标题：数据驱动电路及具有该电路之半导体记忆设备 DATA DRIVING CIRCUIT AND SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING THE SAME
公开(公告)号：TWI252625B
公开(公告)日：2006-04-01
申请号：TW093122745
申请日：2004-07-29
申请人：三星電子股份有限公司 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：金晉賢 JIN-HYUN KIM
IPC分类号： H03F , G11C
CPC分类号： G11C7/1057 , G11C7/1051 , G11C11/5642 , H03K19/018514 , H03K19/018585
摘要：本發明係揭示一種資料驅動電路，其包括一驅動器，其中控制一驅動電流以回應數位控制信號之預定位元及接收一差動輸入資料信號以產生差動輸出資料信號；及一數位控制信號產生器，其係用於儲存及產生該數位控制信號。該驅動器包括一預驅動器，其係用於傳送一預驅動電流以回應一偏電壓及用於接收該(等)差動輸入資料信號以產生第一及第二信號；及一主驅動器，其中控制一主驅動電流以回應該數位控制信號及產生該差動輸出資料信號以回應該等第一及第二信號。該資料驅動電路不只能改變振幅及位準，並且也能偏移位準，及由改變電流源的一電流以回應該數位控制信號，確保構成電流源的電晶體飽和區的範圍，因而產生一穩定差動輸出信號而不受雜訊影響。
简体摘要：本发明系揭示一种数据驱动电路，其包括一驱动器，其中控制一驱动电流以回应数码控制信号之预定比特及接收一差动输入数据信号以产生差动输出数据信号；及一数码控制信号产生器，其系用于存储及产生该数码控制信号。该驱动器包括一预驱动器，其系用于发送一预驱动电流以回应一偏电压及用于接收该(等)差动输入数据信号以产生第一及第二信号；及一主驱动器，其中控制一主驱动电流以回应该数码控制信号及产生该差动输出数据信号以回应该等第一及第二信号。该数据驱动电路不只能改变振幅及位准，并且也能偏移位准，及由改变电流源的一电流以回应该数码控制信号，确保构成电流源的晶体管饱和区的范围，因而产生一稳定差动输出信号而不受噪声影响。

9. 发明专利

TW201630351A 邏輯電路、處理裝置、電子構件以及電子裝置审中-公开
简体标题：逻辑电路、处理设备、电子构件以及电子设备
公开(公告)号：TW201630351A
公开(公告)日：2016-08-16
申请号：TW104132888
申请日：2015-10-06
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：上杉航 , UESUGI, WATARU , 田村輝 , TAMURA, HIKARU , 磯部敦生 , ISOBE, ATSUO
IPC分类号： H03K19/0185 , H01L27/12 , H01L29/78
CPC分类号： H01L27/1207 , G11C7/04 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L28/40 , H01L29/04 , H01L29/045 , H01L29/7849 , H01L29/78648 , H01L29/78696 , H03K19/0008 , H03K19/018514
摘要：藉由在邏輯電路中設置保持電路，進行電源閘控。保持電路包括第一端子、節點、電容器以及第一電晶體至第三電晶體。第一電晶體控制第一端子與邏輯電路的輸入端子之間的導通狀態。第二電晶體控制邏輯電路的輸出端子與節點之間的導通狀態。第三電晶體控制節點與邏輯電路的輸入端子之間的導通狀態。第一電晶體的閘極與第二電晶體的閘極電連接。在資料保持期間中，節點處於電浮動狀態。節點的電壓被電容器保持。
简体摘要：借由在逻辑电路中设置保持电路，进行电源闸控。保持电路包括第一端子、节点、电容器以及第一晶体管至第三晶体管。第一晶体管控制第一端子与逻辑电路的输入端子之间的导通状态。第二晶体管控制逻辑电路的输出端子与节点之间的导通状态。第三晶体管控制节点与逻辑电路的输入端子之间的导通状态。第一晶体管的闸极与第二晶体管的闸极电连接。在数据保持期间中，节点处于电浮动状态。节点的电压被电容器保持。

10. 发明专利

TW201539982A 準位切換器审中-公开
简体标题：准位切换器
公开(公告)号：TW201539982A
公开(公告)日：2015-10-16
申请号：TW103135502
申请日：2014-10-14
申请人：力旺電子股份有限公司 , EMEMORY TECHNOLOGY INC.
发明人：賴子能 , LAI, TZU NENG
IPC分类号： H03K5/003
CPC分类号： G11C16/14 , G11C16/16 , H02M1/14 , H02M3/07 , H03K19/018514
摘要：一種準位切換器，包括：差動輸入對電路，連接至節點a、節點b、與電壓Vss，其接收輸入信號Sin與反相的輸入信號Sinb；電流鏡電路，連接至電壓Vp，具有第一電流輸出端連至節點c與第二電流輸出端連接至節點b，且節點b可產生輸出信號Sout；開關電路，連接於節點a與節點c之間，具有第一控制端接收反相的輸出信號Soutb；第一保持電路，連接於電壓Vp與節點c之間，具有第二控制端接收輸入信號Sin；第二保持電路，連接於電壓Vp與節點b之間，並具有第三控制端接收反相的輸入信號Sinb以及第四控制端接收反相的輸出信號Soutb；與輸出緩衝電路，連接於節點b以接收輸出信號Sout，並產生反相的輸出信號Soutb。
简体摘要：一种准位切换器，包括：差动输入对电路，连接至节点a、节点b、与电压Vss，其接收输入信号Sin与反相的输入信号Sinb；电流镜电路，连接至电压Vp，具有第一电流输出端连至节点c与第二电流输出端连接至节点b，且节点b可产生输出信号Sout；开关电路，连接于节点a与节点c之间，具有第一控制端接收反相的输出信号Soutb；第一保持电路，连接于电压Vp与节点c之间，具有第二控制端接收输入信号Sin；第二保持电路，连接于电压Vp与节点b之间，并具有第三控制端接收反相的输入信号Sinb以及第四控制端接收反相的输出信号Soutb；与输出缓冲电路，连接于节点b以接收输出信号Sout，并产生反相的输出信号Soutb。

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