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1. 发明专利

TW201919339A 自我追蹤雙穩態閂鎖單元及自我追蹤雙穩態閂鎖單元的操作方法审中-公开
简体标题：自我追踪双稳态闩锁单元及自我追踪双稳态闩锁单元的操作方法
公开(公告)号：TW201919339A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107125289
申请日：2018-07-23
申请人：漢芝電子股份有限公司 , IMQ TECHNOLOGY INC.
发明人：馬騰桂 , MA, TANGKWAI , 史富洋 , SHIH, FU-YANG
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： G11C17/18 , G06F21/75 , G11C7/1006 , G11C7/24 , G11C11/412 , G11C11/4125 , G11C17/16 , G11C17/165 , H04L9/3278
摘要：自我追蹤雙穩態閂鎖單元包含交錯耦合閂鎖器、第一可寫入電晶體及第二可寫入電晶體。交錯耦合閂鎖器接收閂鎖控制訊號及參考電壓。第一可寫入電晶體的第一端用以輸出第一位元，第一可寫入電晶體的第二端耦接於交錯耦合閂鎖器的第一資料端，而第一可寫入電晶體的控制端接收追蹤控制訊號。第二可寫入電晶體的第一端輸出第二位元，第二可寫入電晶體的第二端耦接於交錯耦合閂鎖器的第二資料端，而第二可寫入電晶體的控制端接收追蹤控制訊號。第一可寫入電晶體及第二可寫入電晶體兩者的閘極氧化層皆較交錯耦合閂鎖器中電晶體的閘極氧化層薄。
简体摘要：自我追踪双稳态闩锁单元包含交错耦合闩锁器、第一可写入晶体管及第二可写入晶体管。交错耦合闩锁器接收闩锁控制信号及参考电压。第一可写入晶体管的第一端用以输出第一比特，第一可写入晶体管的第二端耦接于交错耦合闩锁器的第一数据端，而第一可写入晶体管的控制端接收追踪控制信号。第二可写入晶体管的第一端输出第二比特，第二可写入晶体管的第二端耦接于交错耦合闩锁器的第二数据端，而第二可写入晶体管的控制端接收追踪控制信号。第一可写入晶体管及第二可写入晶体管两者的闸极氧化层皆较交错耦合闩锁器中晶体管的闸极氧化层薄。

2. 发明专利

TWI620181B 記憶體裝置，半導體裝置以及電子設備有权
简体标题：内存设备，半导体设备以及电子设备
公开(公告)号：TWI620181B
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106115837
申请日：2010-12-23
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：小山潤 , KOYAMA, JUN , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： G11C14/00 , H03K3/356
CPC分类号： H01L27/1225 , G06F1/206 , G11C11/412 , G11C27/024 , H01L21/84 , H01L27/0629 , H01L27/11517 , H01L27/1203 , H03K19/094 , H03K19/0948

3. 发明专利

TWI600278B 共通Ｎ井狀態保持正反器有权
简体标题：共通Ｎ井状态保持正反器
公开(公告)号：TWI600278B
公开(公告)日：2017-09-21
申请号：TW105102716
申请日：2016-01-28
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：亞嘉渥阿密特 , AGARWAL, AMIT , 許凱 , HSU, STEVEN K. , 克里希納摩希雷姆 , KRISHNAMURTHY, RAM K.
IPC分类号： H03K3/356 , H03K3/012
CPC分类号： H03K3/356008 , H03K3/012 , H03K3/0372 , H03K3/35625

4. 发明专利

TWI565242B 具有轉態偵測器之訊號值儲存電路系統及其操作方法與電腦可讀取儲存媒體有权
简体标题：具有转态侦测器之信号值存储电路系统及其操作方法与电脑可读取存储媒体
公开(公告)号：TWI565242B
公开(公告)日：2017-01-01
申请号：TW101118215
申请日：2012-05-22
申请人： ARM股份有限公司 , ARM LIMITED
发明人：霍華大衞威廉 , HOWARD, DAVID WILLIAM , 布爾大衛麥克 , BULL, DAVID MICHAEL , 達斯西哈沙 , DAS, SHIDHARTHA
IPC分类号： H03K3/037 , H03K3/356
CPC分类号： H03K3/0372 , H03K3/0375 , H03K5/1534

5. 发明专利

TWI543535B 掃描正反器及相關方法有权
简体标题：扫描正反器及相关方法
公开(公告)号：TWI543535B
公开(公告)日：2016-07-21
申请号：TW102137974
申请日：2013-10-21
申请人：創意電子股份有限公司 , GLOBAL UNICHIP CORPORATION , 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：陳水謨 , CHEN, SHO MO , 吳健誠 , WU, CHIEN CHENG
IPC分类号： H03K3/356 , G01R31/3185
CPC分类号： G01R31/31725 , G01R31/31712 , G01R31/318541

6. 发明专利

TW201626717A 具有減少的動態功率消耗之循序邏輯電路审中-公开
简体标题：具有减少的动态功率消耗之循序逻辑电路
公开(公告)号：TW201626717A
公开(公告)日：2016-07-16
申请号：TW104134113
申请日：2015-10-16
申请人： 21公司 , 21, INC.
发明人：費露丹尼爾 , FIRU, DANIEL , 奇特帕維爾潘恩 , KHETERPAL, VEERBHAN , 迪瑞哥奈吉爾 , DREGO, NIGEL
IPC分类号： H03K3/356 , G05B19/045 , H03K19/00 , H04L9/06
CPC分类号： G05B19/045 , H03K3/356 , H03K19/0016 , H04L9/0643 , H04L2209/12 , H04L2209/56
摘要：形成於積體電路上之數位系統可包含循序邏輯電路。循序邏輯電路可形成記錄不同邏輯狀態之有限狀態機之至少部分。循序邏輯電路可包含在依不同位準進行計時時各將位元鎖存至其等各自輸出端上之第一鎖存電路及第二鎖存電路。第一鎖存電路可輸出第一位元。組合邏輯電路可分佈於第一鎖存電路之兩側上，使得插置於第一鎖存電路與第二鎖存電路之間的組合邏輯電路至少基於第一位元而產生第二位元。第一位元及第二位元可記錄循序邏輯電路之兩種可能有限邏輯狀態之一。藉由將組合邏輯電路分佈於給定鎖存電路之兩側上，可最佳化循序邏輯電路之動態功率消耗。
简体摘要：形成于集成电路上之数码系统可包含循序逻辑电路。循序逻辑电路可形成记录不同逻辑状态之有限状态机之至少部分。循序逻辑电路可包含在依不同位准进行计时时各将比特锁存至其等各自输出端上之第一锁存电路及第二锁存电路。第一锁存电路可输出第一比特。组合逻辑电路可分布于第一锁存电路之两侧上，使得插置于第一锁存电路与第二锁存电路之间的组合逻辑电路至少基于第一比特而产生第二比特。第一比特及第二比特可记录循序逻辑电路之两种可能有限逻辑状态之一。借由将组合逻辑电路分布于给定锁存电路之两侧上，可最优化循序逻辑电路之动态功率消耗。

7. 发明专利

TW201601459A 正反器電路审中-公开
简体标题：正反器电路
公开(公告)号：TW201601459A
公开(公告)日：2016-01-01
申请号：TW104106679
申请日：2015-03-03
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：前野宗昭 , MAENO, MUNEAKI
IPC分类号： H03K3/356
CPC分类号： H03K3/35625
摘要：正反器電路具備第一時脈反相器，其係輸入節點被連接於上述資料端子，第一閘極被供給上述第四時脈訊號，第二閘極被供給上述第三時脈訊號，因應上述第三及第四時脈訊號，輸出上述資料訊號反轉後的第一訊號；正反器電路具備第一閂鎖用反相器，其係從輸出節點輸出第一訊號反轉後的第二訊號。正反器電路具備傳輸閘，其係因應上述第一及第二時脈訊號，使上述第二訊號通過而從輸出節點輸出第三訊號。正反器電路具備第二閂鎖用反相器，其係從輸出節點輸出第三訊號反轉後的第四訊號。
简体摘要：正反器电路具备第一时脉反相器，其系输入节点被连接于上述数据端子，第一闸极被供给上述第四时脉信号，第二闸极被供给上述第三时脉信号，因应上述第三及第四时脉信号，输出上述数据信号反转后的第一信号；正反器电路具备第一闩锁用反相器，其系从输出节点输出第一信号反转后的第二信号。正反器电路具备传输闸，其系因应上述第一及第二时脉信号，使上述第二信号通过而从输出节点输出第三信号。正反器电路具备第二闩锁用反相器，其系从输出节点输出第三信号反转后的第四信号。

8. 发明专利

TW201547200A 位準轉換電路审中-公开
简体标题：位准转换电路
公开(公告)号：TW201547200A
公开(公告)日：2015-12-16
申请号：TW104106501
申请日：2015-03-02
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：上妻宗広 , KOZUMA, MUNEHIRO
IPC分类号： H03K3/012 , H03K3/356
CPC分类号： H03K3/012 , H03K3/356017
摘要：本發明降低在能夠以低電壓工作的位準轉換器待機時發生的洩漏電流。本發明的一個方式是一種位準轉換電路，其中在輸出信號線與低電位電源線之間串聯設置n通道型矽電晶體和氧化物半導體電晶體，並且藉由電容耦合使該氧化物半導體電晶體的閘極電極的電位上升到比輸入信號電壓高的電位，從而增大氧化物半導體電晶體的通態電流。
简体摘要：本发明降低在能够以低电压工作的位准转换器待机时发生的泄漏电流。本发明的一个方式是一种位准转换电路，其中在输出信号线与低电位电源线之间串联设置n信道型硅晶体管和氧化物半导体晶体管，并且借由电容耦合使该氧化物半导体晶体管的闸极电极的电位上升到比输入信号电压高的电位，从而增大氧化物半导体晶体管的通态电流。

9. 发明专利

TWI511459B 可防止漏電之閘極驅動電路有权
简体标题：可防止漏电之闸极驱动电路
公开(公告)号：TWI511459B
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW101137479
申请日：2012-10-11
申请人：友達光電股份有限公司 , AU OPTRONICS CORP.
发明人：張晴惠 , CHANG, CHING HUI , 詹秉燏 , CHAN, BIN YU , 洪凱尉 , HONG, KAI WEI , 陳勇志 , CHEN, YUNG CHIH
IPC分类号： H03K3/356 , H03K19/0185
CPC分类号： H03K3/015 , G09G3/3655 , G09G3/3677 , G09G2310/08 , G11C19/28

10. 发明专利

TWI493873B 單片高壓側開關之控制電路有权
简体标题：单片高压侧开关之控制电路
公开(公告)号：TWI493873B
公开(公告)日：2015-07-21
申请号：TW101110702
申请日：2012-03-28
申请人：崇貿科技股份有限公司 , SYSTEM GENERAL CORPORATION
发明人：楊大勇 , YANG, TA YUNG
IPC分类号： H03K3/356 , H03K17/08
CPC分类号： H03K17/08122 , H03K19/018557 , H03K2217/0063

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