基本信息:
- 专利标题： 位準轉換電路
- 专利标题（英）：Level shifter circuit
- 专利标题（中）：位准转换电路
- 申请号：TW104106501 申请日：2015-03-02
- 公开(公告)号：TW201547200A 公开(公告)日：2015-12-16
- 发明人： 上妻宗広 , KOZUMA, MUNEHIRO
- 申请人： 半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 专利权人： 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 当前专利权人： 半導體能源研究所股份有限公司,SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
- 代理人： 林志剛
- 优先权： 2014-042758 20140305;2014-048642 20140312
- 主分类号： H03K3/012
- IPC分类号： H03K3/012 ; H03K3/356
摘要：
本發明降低在能夠以低電壓工作的位準轉換器待機時發生的洩漏電流。本發明的一個方式是一種位準轉換電路，其中在輸出信號線與低電位電源線之間串聯設置n通道型矽電晶體和氧化物半導體電晶體，並且藉由電容耦合使該氧化物半導體電晶體的閘極電極的電位上升到比輸入信號電壓高的電位，從而增大氧化物半導體電晶體的通態電流。
摘要（中）：
本发明降低在能够以低电压工作的位准转换器待机时发生的泄漏电流。本发明的一个方式是一种位准转换电路，其中在输出信号线与低电位电源线之间串联设置n信道型硅晶体管和氧化物半导体晶体管，并且借由电容耦合使该氧化物半导体晶体管的闸极电极的电位上升到比输入信号电压高的电位，从而增大氧化物半导体晶体管的通态电流。
摘要（英）：
Leakage current in a standby mode of a level shifter capable of operating with low voltage is reduced. Provided is a level shifter circuit in which an n-channel silicon transistor and an oxide semiconductor transistor are provide in series between an output signal line and a low potential power supply line. The potential of a gate electrode of the oxide semiconductor transistor is raised to a potential higher than input signal voltage by capacitive coupling, so that on-state current of the oxide semiconductor transistor is increased.
公开/授权文献:
- TWI647915B 位準轉換電路 公开/授权日：2019-01-11