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1. 发明专利

TW201232977A 垂直空腔表面發射雷射系統及其製造方法 VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME 审中-公开
简体标题：垂直空腔表面发射激光系统及其制造方法 VERTICAL-CAVITY SURFACE-EMITTING LASER SYSTEM AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME
公开(公告)号：TW201232977A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：TW100138678
申请日：2011-10-25
申请人：惠普研發公司
发明人：譚麥可R T , 法特爾大衛A , 李晶晶 , 貝索雷雷蒙G
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/021 , H01S5/02284 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/1838 , H01S5/18386 , H01S5/423 , H01S2301/176
摘要：含括垂直空腔表面發射雷射(VCSEL)系統及製造方法。該VCSEL系統包括第一部分包含第一鏡及增益區域來回應於資料信號而放大光信號,該第一部分係在第一晶圓上製造。該系統也包括第二部分包含第二鏡,該鏡為部分反射性來讓該光信號耦合至光纖,該第二部分係在第二晶圓上製造。該系統更包括支持結構來耦合該等第一及第二部分,使得該等第一及第二鏡係排列作為具有預定長度來共振該光信號的雷射空腔。
简体摘要：含括垂直空腔表面发射激光(VCSEL)系统及制造方法。该VCSEL系统包括第一部分包含第一镜及增益区域来回应于数据信号而放大光信号,该第一部分系在第一晶圆上制造。该系统也包括第二部分包含第二镜,该镜为部分反射性来让该光信号耦合至光纤,该第二部分系在第二晶圆上制造。该系统更包括支持结构来耦合该等第一及第二部分,使得该等第一及第二镜系排列作为具有预定长度来共振该光信号的激光空腔。

2. 发明专利

TW447183B 具有結合鋁鎵銦氮化物結構及鏡子積材之晶圓的發光元件有权
简体标题：具有结合铝镓铟氮化物结构及镜子积材之晶圆的发光组件
公开(公告)号：TW447183B
公开(公告)日：2001-07-21
申请号：TW088114962
申请日：1999-08-31
申请人：魯米雷斯照明美國有限公司
发明人：蓋利.卡特–可曼 , R.史考特.可恩 , 小佛瑞德A.基舒 , 麥克R.克拉昧斯 , 亞圖V.努爾米可 , 宋允圭
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/105 , B82Y20/00 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/465 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/1838 , H01S5/34333 , Y10S438/977
摘要：具有高品鏡子之具有一垂直光學路徑之發光元件，例如一垂直空腔表面發射雷射或一共振空腔發光或檢測光元件，可使用晶圓結合或金屬焊接技術而被達成。發光區域插在一或兩個包含介電分佈布雷格反射器(DBRs)之反射器積材間。介電DBRs會被沉積或附著至發光元件上。一GaP、GaAs、lnP或Si之主基材被附著至介電DBRs之其中一者上。電氣接點被加到發光元件中。
简体摘要：具有高品镜子之具有一垂直光学路径之发光组件，例如一垂直空腔表面发射激光或一共振空腔发光或检测光组件，可使用晶圆结合或金属焊接技术而被达成。发光区域插在一或两个包含介电分布布雷格反射器(DBRs)之反射器积材间。介电DBRs会被沉积或附着至发光组件上。一GaP、GaAs、lnP或Si之主基材被附着至介电DBRs之其中一者上。电气接点被加到发光组件中。

3. 发明专利

TWI429152B 垂直空腔表面發射雷射系統及其製造方法有权
简体标题：垂直空腔表面发射激光系统及其制造方法
公开(公告)号：TWI429152B
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW100138678
申请日：2011-10-25
申请人：惠普研發公司 , HEWLETT-PACKARD DEVELOPMENT COMPANY, L.P.
发明人：譚麥可R T , TAN, MICHAEL RENNE TY , 法特爾大衛A , FATTAL, DAVID A. , 李晶晶 , LI, JINGJING , 貝索雷雷蒙G , BEAUSOLEIL, RAYMOND G.
IPC分类号： H01S5/183
CPC分类号： H01S5/18361 , H01S5/021 , H01S5/02284 , H01S5/18341 , H01S5/18366 , H01S5/1838 , H01S5/18386 , H01S5/423 , H01S2301/176

4. 发明专利

TW200707806A 在光電應用上之氮化鋁鎵銦及氧化鋅直接晶圓接合結構及其製造方法 (Al, Ga, In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS, AND ITS FABRICATION METHOD 审中-公开
简体标题：在光电应用上之氮化铝镓铟及氧化锌直接晶圆接合结构及其制造方法 (Al, Ga, In)N AND ZnO DIRECT WAFER BONDED STRUCTURE FOR OPTOELECTRONIC APPLICATIONS, AND ITS FABRICATION METHOD
公开(公告)号：TW200707806A
公开(公告)日：2007-02-16
申请号：TW095121765
申请日：2006-06-16
申请人：美國加利福尼亞大學董事會 THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF CALIFORNIA
发明人：村井章彥 MURAI, AKIHIKO , 克莉斯汀Y 陳 CHEN, CHRISTINA Y. , 丹尼爾B 湯普森 THOMPSON, DANIEL B. , 李S 麥克卡西 MCCARTHY, LEE S. , 史蒂芬P 丹巴爾斯 DENBAARS, STEVEN P. , 中村秀治 NAKAMURA, SHUJI , 巫梅希K 米須拉 MISHRA, UMESH K.
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/22 , H01L33/0079 , H01L33/20 , H01L33/32 , H01S5/0215 , H01S5/0421 , H01S5/18347 , H01S5/18369 , H01S5/1838 , H01S5/32341
摘要：一氮化鋁鎵銦及氧化鋅直接晶圓接合發光二極體,其中光通過導電氧化鋅。製備平坦及清潔的表面用於該氮化鋁鎵銦及氧化鋅晶圓兩者。隨後在該氮化鋁鎵銦及氧化鋅晶圓之間執行一晶圓接合製程,其中連接該氧化鋁鎵銦及氧化鋅晶圓且隨後在一氮氣環境中單軸壓力下,在一設定溫度下以一設定持續時間接合晶圓。在該晶圓接合製程之後,氧化鋅係成型以用於增加自LED內部之光提取。
简体摘要：一氮化铝镓铟及氧化锌直接晶圆接合发光二极管,其中光通过导电氧化锌。制备平坦及清洁的表面用于该氮化铝镓铟及氧化锌晶圆两者。随后在该氮化铝镓铟及氧化锌晶圆之间运行一晶圆接合制程,其中连接该氧化铝镓铟及氧化锌晶圆且随后在一氮气环境中单轴压力下,在一设置温度下以一设置持续时间接合晶圆。在该晶圆接合制程之后,氧化锌系成型以用于增加自LED内部之光提取。

5. 发明专利

TW201140977A 具平面耦合之混合矽晶垂直空腔雷射器 HYBRID SILICON VERTICAL CAVITY LASER WITH IN-PLANE COUPLING 审中-公开
简体标题：具平面耦合之混合硅晶垂直空腔激光器 HYBRID SILICON VERTICAL CAVITY LASER WITH IN-PLANE COUPLING
公开(公告)号：TW201140977A
公开(公告)日：2011-11-16
申请号：TW099143223
申请日：2010-12-10
申请人：英特爾股份有限公司
发明人：科奇布萊恩
IPC分类号： H01S , H01L
CPC分类号： H01S5/0268 , G02B6/124 , G02B6/4204 , H01S5/0215 , H01S5/02248 , H01S5/026 , H01S5/1032 , H01S5/105 , H01S5/183 , H01S5/1838
摘要：一種以同平面耦合之矽垂直式空腔雷射器包含將活性III-V族半導體材料晶圓接合於光柵耦合器之上，此光柵耦合器係製作於絕緣層上覆矽（SOI）晶圓上。因為所有的矽處理可在接合之前被完成，且所有的III-V族處理可在接合之後被完成，所以此接合不需要任何對準。此光柵耦合器作用而使來自混合垂直式空腔之垂直發射出的光耦合入形成於SOI晶圓上的矽波導中。
简体摘要：一种以同平面耦合之硅垂直式空腔激光器包含将活性III-V族半导体材料晶圆接合于光栅耦合器之上，此光栅耦合器系制作于绝缘层上覆硅（SOI）晶圆上。因为所有的硅处理可在接合之前被完成，且所有的III-V族处理可在接合之后被完成，所以此接合不需要任何对准。此光栅耦合器作用而使来自混合垂直式空腔之垂直发射出的光耦合入形成于SOI晶圆上的硅波导中。

6. 发明专利

TW442982B 利用雷射熔化之晶圓結合的AlxGayInzN結構的厚度修裁有权
简体标题：利用激光熔化之晶圆结合的AlxGayInzN结构的厚度修裁
公开(公告)号：TW442982B
公开(公告)日：2001-06-23
申请号：TW088114967
申请日：1999-08-31
申请人：魯米雷斯照明美國有限公司
发明人：蓋利.卡特–可曼 , 史考特R.柯恩 , 小佛瑞德A.基舒 , 麥克R.克拉昧斯 , 保羅S.馬汀
IPC分类号： H01L , H01S
CPC分类号： H01L33/465 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L33/0079 , H01L33/105 , H01S5/0216 , H01S5/0217 , H01S5/18341 , H01S5/18361 , H01S5/1838 , H01S5/32341 , Y10S117/915
摘要：具有高品鏡子之具有一垂直光學路徑之發光元件，例如一垂直空腔表面發射雷射或一共振空腔發光或檢測光元件，可使用晶圓結合或金屬焊接技術而被達成。發光區域插在一或兩個包含介電分佈布雷格反射器(DBRs)之反射器積材間。介電DBRs會被沉積或附著至發光元件上。一GaP、GaAs、InP或Si之主基材被附著至介電DBRs的其中一者上。電氣接點被加到發光元件中。
简体摘要：具有高品镜子之具有一垂直光学路径之发光组件，例如一垂直空腔表面发射激光或一共振空腔发光或检测光组件，可使用晶圆结合或金属焊接技术而被达成。发光区域插在一或两个包含介电分布布雷格反射器(DBRs)之反射器积材间。介电DBRs会被沉积或附着至发光组件上。一GaP、GaAs、InP或Si之主基材被附着至介电DBRs的其中一者上。电气接点被加到发光组件中。

7. 发明专利

TW379475B 長波長發光垂直腔面射型雷射及其製造方法失效
简体标题：长波长发光垂直腔面射型激光及其制造方法
公开(公告)号：TW379475B
公开(公告)日：2000-01-11
申请号：TW087101798
申请日：1998-03-10
申请人：摩托羅拉公司
发明人：傑默爾拉登尼 , 麥克S.拉賓 , 文賓張
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01S5/1838 , H01S5/021 , H01S5/0217 , H01S5/18341 , H01S5/18369
摘要：一種用於光纖通信的長波長垂直腔面射型雷射(VCSEL)及其製造方法，該方法包括了於支撐基片製造活性VCSEL結構，以及於矽基片製造高反射率的DBR鏡(像)結構。 DBR鏡(像)結構包括以氧化矽與矽為材質的可交替層，這些可交替層係以磊晶成長技術，及/或以SOI極板熔焊技術的極板結合製造而成。製造最後VCSEL裝置時，以Si/Si02為材質的DBR鏡(像)結構，係結合至活性VCSEL結構的極板。會選除活性VCSEL結構支撐基片，以定位第二DBR鏡(像)。最後VCSEL裝置其特徵為可發出紅外線光。
简体摘要：一种用于光纤通信的长波长垂直腔面射型激光(VCSEL)及其制造方法，该方法包括了于支撑基片制造活性VCSEL结构，以及于硅基片制造高反射率的DBR镜(像)结构。 DBR镜(像)结构包括以氧化硅与硅为材质的可交替层，这些可交替层系以磊晶成长技术，及/或以SOI极板熔焊技术的极板结合制造而成。制造最后VCSEL设备时，以Si/Si02为材质的DBR镜(像)结构，系结合至活性VCSEL结构的极板。会选除活性VCSEL结构支撑基片，以定位第二DBR镜(像)。最后VCSEL设备其特征为可发出红外线光。

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