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2. 发明专利

TW201316506A 超接合半導體裝置审中-公开
简体标题：超接合半导体设备
公开(公告)号：TW201316506A
公开(公告)日：2013-04-16
申请号：TW101126043
申请日：2012-07-19
申请人：富士電機股份有限公司 , FUJI ELECTRIC CO., LTD.
发明人：曹大為 , CAO, DAWEI , 大西泰彥 , ONISHI, YASUHIKO
IPC分类号： H01L29/15
CPC分类号： H01L29/7804 , H01L21/823487 , H01L23/34 , H01L27/0629 , H01L29/0634 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明係一種超接合半導體裝置，其中，SJ-MOSFET(200)係具備：成為主電流路徑之元件活性部(1)，和具有溫度檢測二極體(3)之溫度檢測領域(4)。於元件活性部(1)內之飄移層(12)，配置有交互重複接合n飄移領域(13b)和p區分領域(13a)之主SJ單元(13)。溫度檢測領域(4)係設置於元件活性部(1)內。於溫度檢測領域(4)內之飄移層(12)，配置有交互重複接合較主SJ單元(13)之n飄移領域(13b)和p區分領域(13a)之配列間距為窄之配列間距之n飄移領域(131b)和p區分領域(131a)之微細SJ單元(131)。溫度檢測二極體(3)係藉由絕緣膜(5)而形成於微細SJ單元(131)之表面。溫度檢測二極體(3)係由交互結合構成pn接合之p+陽極領域與n+陰極領域所成。
简体摘要：本发明系一种超接合半导体设备，其中，SJ-MOSFET(200)系具备：成为主电流路径之组件活性部(1)，和具有温度检测二极管(3)之温度检测领域(4)。于组件活性部(1)内之飘移层(12)，配置有交互重复接合n飘移领域(13b)和p区分领域(13a)之主SJ单元(13)。温度检测领域(4)系设置于组件活性部(1)内。于温度检测领域(4)内之飘移层(12)，配置有交互重复接合较主SJ单元(13)之n飘移领域(13b)和p区分领域(13a)之配列间距为窄之配列间距之n飘移领域(131b)和p区分领域(131a)之微细SJ单元(131)。温度检测二极管(3)系借由绝缘膜(5)而形成于微细SJ单元(131)之表面。温度检测二极管(3)系由交互结合构成pn接合之p+阳极领域与n+阴极领域所成。

3. 发明专利

TW200802873A 熱穩定性佳之高功率半導體元件 THEMALLY STABLE SEMICONDUCTOR POWER DEVICE 审中-公开
简体标题：热稳定性佳之高功率半导体组件 THEMALLY STABLE SEMICONDUCTOR POWER DEVICE
公开(公告)号：TW200802873A
公开(公告)日：2008-01-01
申请号：TW096122468
申请日：2007-06-22
申请人：萬里達半導體有限公司 ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR, LIMITED
发明人：雷燮光 SIK K. LUI , 安荷叭剌 ANUP BHALLA , 聖傑哈佛納 SANJAY HAVANUR
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0255 , H01L29/0696 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H03K17/08122 , H03K2017/0806
摘要：本發明提供一種熱穩定性佳之高功率半導體元件,其係包括一電路,用以提供該高功率半導體中一閘極之一閘極驅動電壓,此閘極驅動電壓具有一負溫度係數(negativetemperaturecoefficient),可在高功率半導體元件溫度遞增時提供一漸減之閘極驅動電壓,使高功率半導體元件之一淨源極-汲極(lds)溫度係數小於或等於零。在一實施例中,閘極驅動電路包括一具有負正向電壓溫度係數之二極體,其係連接於高功率半導體元件之閘極和源極之間;再另一實施例中,將閘極電壓與高功率半導體元件所組成的積體電路中之高功率半導體元件合併。
简体摘要：本发明提供一种热稳定性佳之高功率半导体组件,其系包括一电路,用以提供该高功率半导体中一闸极之一闸极驱动电压,此闸极驱动电压具有一负温度系数(negativetemperaturecoefficient),可在高功率半导体组件温度递增时提供一渐减之闸极驱动电压,使高功率半导体组件之一净源极-汲极(lds)温度系数小于或等于零。在一实施例中,闸极驱动电路包括一具有负正向电压温度系数之二极管,其系连接于高功率半导体组件之闸极和源极之间;再另一实施例中,将闸极电压与高功率半导体组件所组成的集成电路中之高功率半导体组件合并。

4. 发明专利

TW201727868A 功率金氧半導體及其製造方法审中-公开
简体标题：功率金属氧化物半导体及其制造方法
公开(公告)号：TW201727868A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：TW105135170
申请日：2016-10-28
申请人：美格納半導體有限公司 , MAGNACHIP SEMICONDUCTOR, LTD. , ITM半導體有限公司 , ITM SEMICONDUCTOR CO., LTD
发明人：姜守昶 , KANG, SOO CHANG , 金勝賢 , KIM, SEUNG HYUN , 李容源 , LEE, YONG WON , 黃鎬石 , HWANG, HO SEOK , 安商勳 , AHN, SANG HOON
IPC分类号： H01L27/02 , H01L29/10 , H01L29/66 , H01L29/78
CPC分类号： H01L29/7804 , H01L27/0255 , H01L27/0266 , H01L29/1095 , H01L29/66734 , H01L29/7813
摘要：本發明揭示一種功率金氧半導體場效電晶體(MOSFET)，其包含：一絕緣層；一第一導電性型摻雜層，其位於該絕緣層之一底部上；一第二導電性型本體，其位於該第一導電性型摻雜層之一底部上；一閘極電極，其相鄰於該絕緣層之該底部且由其他區域中之一絕緣膜覆蓋且經突出而穿透該第二導電性型本體；及一源極電極，其包含位於該絕緣層之一頂部上之一第一區域及藉由穿透該絕緣層而與該第一導電性型摻雜層接觸之一第二區域。
简体摘要：本发明揭示一种功率金属氧化物半导体场效应管(MOSFET)，其包含：一绝缘层；一第一导电性型掺杂层，其位于该绝缘层之一底部上；一第二导电性型本体，其位于该第一导电性型掺杂层之一底部上；一闸极电极，其相邻于该绝缘层之该底部且由其他区域中之一绝缘膜覆盖且经突出而穿透该第二导电性型本体；及一源极电极，其包含位于该绝缘层之一顶部上之一第一区域及借由穿透该绝缘层而与该第一导电性型掺杂层接触之一第二区域。

5. 发明专利

TWI472031B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI472031B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW097115901
申请日：2008-04-30
申请人：三菱電機股份有限公司 , MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
发明人：楠茂 , SHIGERU KUSUNOKI , 望月浩一 , KOICHI MOCHIZUKI , 川上稔 , MINORU KAWAKAMI
IPC分类号： H01L29/78 , H01L29/70
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0611 , H01L29/0696 , H01L29/1095 , H01L29/4232 , H01L29/42356 , H01L29/4238 , H01L29/66333 , H01L29/7395 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

6. 发明专利

TW201421702A 具有整合二極體之自對準溝槽之金氧半場效應電晶體元件及其製備方法审中-公开
简体标题：具有集成二极管之自对准沟槽之金氧半场效应晶体管组件及其制备方法
公开(公告)号：TW201421702A
公开(公告)日：2014-06-01
申请号：TW103104653
申请日：2011-10-26
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：雷燮光 , LUI, SIK , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L21/76877 , H01L21/7688 , H01L27/0635 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/66704 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7804 , H01L29/7805 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8613 , H01L29/872
摘要：本發明利用自對準方式，可以製備具有整合二極體的電晶體元件。這種元件包括一個摻雜的半導體基板，具有一個或多個電絕緣的閘極電極，形成在基板中的溝槽中。一個或多個本體區形成在每個閘極溝槽附近的那部分基板中。一個或多個源極區以自對準的方式，形成在每個閘極溝槽附近的本體區頂部。一個或多個厚絕緣物部分形成在閘極電極上方，閘極電極在基板的頂面上，具有相鄰的厚絕緣物部分之間的間距。金屬形成在厚絕緣物部分上方的基板上方。金屬穿過厚絕緣物部分之間的間距，構成到基板的自對準接頭。整合二極體形成在自對準接頭下方。
简体摘要：本发明利用自对准方式，可以制备具有集成二极管的晶体管组件。这种组件包括一个掺杂的半导体基板，具有一个或多个电绝缘的闸极电极，形成在基板中的沟槽中。一个或多个本体区形成在每个闸极沟槽附近的那部分基板中。一个或多个源极区以自对准的方式，形成在每个闸极沟槽附近的本体区顶部。一个或多个厚绝缘物部分形成在闸极电极上方，闸极电极在基板的顶面上，具有相邻的厚绝缘物部分之间的间距。金属形成在厚绝缘物部分上方的基板上方。金属穿过厚绝缘物部分之间的间距，构成到基板的自对准接头。集成二极管形成在自对准接头下方。

7. 发明专利

TWI426596B 一種用於功率裝置擊穿保護的柵漏箝位元和靜電放電保護電路有权
简体标题：一种用于功率设备击穿保护的栅漏箝比特和静电放电保护电路
公开(公告)号：TWI426596B
公开(公告)日：2014-02-11
申请号：TW099101663
申请日：2010-01-21
申请人：萬國半導體有限公司 , ALPHA & OMEGA SEMICONDUCTOR INC.
发明人：蘇毅 , SU, YI , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP , 伍時謙 , NG, DANIEL
IPC分类号： H01L27/06 , H01L21/822
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/0646 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7815 , H01L29/8611 , H01L29/866 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

8. 发明专利

TW201030940A 一種用於功率裝置擊穿保護的柵漏箝位元和靜電放電保護電路 A NEW CONFIGURATION OF GATE TO DRAIN (GD) CLAMP AND ESD PROTECTION CIRCUIT FOR POWER DEVICE BREALDPWM PROTECTON 审中-公开
简体标题：一种用于功率设备击穿保护的栅漏箝比特和静电放电保护电路 A NEW CONFIGURATION OF GATE TO DRAIN (GD) CLAMP AND ESD PROTECTION CIRCUIT FOR POWER DEVICE BREALDPWM PROTECTON
公开(公告)号：TW201030940A
公开(公告)日：2010-08-16
申请号：TW099101663
申请日：2010-01-21
申请人：萬國半導體有限公司
发明人：蘇毅 , 叭剌安荷 , 伍時謙
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L27/0255 , H01L27/0629 , H01L29/0615 , H01L29/0638 , H01L29/0646 , H01L29/0692 , H01L29/0696 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7804 , H01L29/7808 , H01L29/7811 , H01L29/7815 , H01L29/8611 , H01L29/866 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種位於半導體襯底上的半導體功率裝置,由多個電晶體單元組成,每個電晶體單元都有一個源極、一個柵極以及一個控制源極和柵極之間電流傳輸的漏極。這種半導體還包括一個柵漏箝位元終端,串聯在柵極和漏極之間,還包括多個背對背多晶矽二極體,串聯在一個矽二極體上,在半導體襯底中,矽二極體含有平行摻雜縱欄,其中平行摻雜縱欄帶有一個預設的縫隙。摻雜縱欄還包括一個U形彎管縱欄,將設置在U形彎管下方並包圍U形彎管的深摻雜井,與平行摻雜縱欄末端連接在一起。
简体摘要：一种位于半导体衬底上的半导体功率设备,由多个晶体管单元组成,每个晶体管单元都有一个源极、一个栅极以及一个控制源极和栅极之间电流传输的漏极。这种半导体还包括一个栅漏箝比特终端,串联在栅极和漏极之间,还包括多个背对背多晶硅二极管,串联在一个硅二极管上,在半导体衬底中,硅二极管含有平行掺杂纵栏,其中平行掺杂纵栏带有一个默认的缝隙。掺杂纵栏还包括一个U形弯管纵栏,将设置在U形弯管下方并包围U形弯管的深掺杂井,与平行掺杂纵栏末端连接在一起。

9. 发明专利

TWI538224B 具有整合二極體之自對準溝槽之金氧半場效應電晶體元件及其製備方法有权
简体标题：具有集成二极管之自对准沟槽之金氧半场效应晶体管组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI538224B
公开(公告)日：2016-06-11
申请号：TW103104653
申请日：2011-10-26
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：雷燮光 , LUI, SIK , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L21/76877 , H01L21/7688 , H01L27/0635 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/66704 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7804 , H01L29/7805 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8613 , H01L29/872

10. 发明专利

TWI455323B 具有整合二極體之自對準溝槽之金氧半場效應電晶體元件及其製備方法有权
简体标题：具有集成二极管之自对准沟槽之金氧半场效应晶体管组件及其制备方法
公开(公告)号：TWI455323B
公开(公告)日：2014-10-01
申请号：TW100138988
申请日：2011-10-26
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：雷燮光 , LUI, SIK , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L29/812 , H01L21/8249
CPC分类号： H01L29/7397 , H01L21/76877 , H01L21/7688 , H01L27/0635 , H01L27/10823 , H01L27/10876 , H01L29/0834 , H01L29/1095 , H01L29/407 , H01L29/41766 , H01L29/4236 , H01L29/456 , H01L29/47 , H01L29/66348 , H01L29/66666 , H01L29/66704 , H01L29/66719 , H01L29/66727 , H01L29/66734 , H01L29/7395 , H01L29/7804 , H01L29/7805 , H01L29/7806 , H01L29/7811 , H01L29/7813 , H01L29/8613 , H01L29/872

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