专利号TW103104653 | 具有整合二極體之自對準溝槽之金氧半場效應電晶體元件及其製備方法

专利标题：具有整合二極體之自對準溝槽之金氧半場效應電晶體元件及其製備方法
专利标题（英）：Self aligned trench mosfet with integrated diode and manufacturing method thereof
专利标题（中）：具有集成二极管之自对准沟槽之金氧半场效应晶体管组件及其制备方法
申请号：TW103104653 申请日：2011-10-26
公开(公告)号：TWI538224B 公开(公告)日：2016-06-11
发明人：雷燮光 , LUI, SIK , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
专利权人：萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
当前专利权人：萬國半導體股份有限公司,ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
代理人：李國光; 張仲謙
优先权： 12/968,179 20101214
主分类号： H01L29/812
IPC分类号： H01L29/812 ; H01L21/8249

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H	电学
--H01	基本电气元件
----H01L	半导体器件；其他类目未包含的电固体器件
------H01L29/00	专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件
--------H01L29/02	.按其半导体本体的特征区分的
----------H01L29/68	..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的
------------H01L29/70	...双极器件
--------------H01L29/762	....电荷转移器件
----------------H01L29/78	.....由绝缘栅产生场效应的
------------------H01L29/812	......带有肖特基栅的

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