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1. 发明专利

TW201448665A 多－異質接面奈米粒子、其製造方法及包含該粒子之製品审中-公开
简体标题：多－异质接面奈米粒子、其制造方法及包含该粒子之制品
公开(公告)号：TW201448665A
公开(公告)日：2014-12-16
申请号：TW103109387
申请日：2014-03-14
申请人：伊利諾大學 , THE UNIVERSITY OF ILLINOIS , 羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：西門幕斯柏 , SHIM, MOONSUB , 歐納瑞 , OH, NURI , 任雅尤 , ZHAI, YOU , 納摩索伊 , NAM, SOOJI , 崔夫納斯彼得 , TREFONAS, PETER , 德斯巴德柯候瑞 , DESHPANDE, KISHORI , 喬傑奇 , JOO, JAKE
IPC分类号： H05B33/14 , H01L33/28 , B82Y30/00 , H01L33/24 , B82Y40/00 , H01L51/50
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/127 , H01L29/22 , H01L31/0296 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L33/0083 , H01L33/28 , H01L51/50 , H01L51/502 , Y10S977/774 , Y10S977/95
摘要：本文所揭露者係半導電奈米粒子，其包含具有第一端與第二端之一維半導電奈米粒子，其中，該第二端係與第一端相對；包含第一半導體之第一節點，其中，該第一節點係與該一維半導電奈米粒子之徑向表面接觸，以於接觸點處製造第一異質接面；以及包含第二半導體之第二節點；其中，該第二節點係與該一維半導電奈米粒子之該徑向表面接觸，以於接觸點處製造第二異質接面；其中，該第一異質接面係與該第二異質接面於組成上彼此相異。
简体摘要：本文所揭露者系半导电奈米粒子，其包含具有第一端与第二端之一维半导电奈米粒子，其中，该第二端系与第一端相对；包含第一半导体之第一节点，其中，该第一节点系与该一维半导电奈米粒子之径向表面接触，以于接触点处制造第一异质接面；以及包含第二半导体之第二节点；其中，该第二节点系与该一维半导电奈米粒子之该径向表面接触，以于接触点处制造第二异质接面；其中，该第一异质接面系与该第二异质接面于组成上彼此相异。

2. 发明专利

TW201445767A 多－異質接面奈米粒子、其製造方法及包含該粒子之製品审中-公开
简体标题：多－异质接面奈米粒子、其制造方法及包含该粒子之制品
公开(公告)号：TW201445767A
公开(公告)日：2014-12-01
申请号：TW103109388
申请日：2014-03-14
申请人：伊利諾大學 , THE UNIVERSITY OF ILLINOIS , 羅門哈斯電子材料有限公司 , ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC , 陶氏全球科技責任有限公司 , DOW GLOBAL TECHNOLOGIES LLC
发明人：西門幕斯柏 , SHIM, MOONSUB , 歐納瑞 , OH, NURI , 任雅尤 , ZHAI, YOU , 納摩索伊 , NAM, SOOJI , 崔夫納斯彼得 , TREFONAS, PETER , 德斯巴德柯候瑞 , DESHPANDE, KISHORI , 喬傑奇 , JOO, JAKE
IPC分类号： H01L33/28 , B82Y30/00 , H05B33/14 , H01L33/24 , B82Y40/00 , H01L51/50
CPC分类号： H01L33/06 , B82Y10/00 , B82Y20/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01L21/02557 , H01L21/0256 , H01L21/02601 , H01L21/02603 , H01L21/02606 , H01L21/02628 , H01L29/0669 , H01L29/068 , H01L29/125 , H01L29/127 , H01L29/225 , H01L31/0296 , H01L31/035218 , H01L31/035227 , H01L31/1828 , H01L33/0083 , H01L33/18 , H01L33/28 , H01L33/502 , H01L51/0037 , H01L51/0042 , H01L51/502 , H01L51/5072 , H01L2251/5369 , Y10S977/762 , Y10S977/825 , Y10S977/949
摘要：本文所揭露者係半導電奈米粒子，其包含具有第一端與第二端之一維半導電奈米粒子，其中，該第二端係與第一端相對；以及兩個第一封端，其一者及另一者係分別與該一維半導電奈米粒子之第一端及第二端接觸；其中，與第一端接觸之第一封端係包含第一半導體，且該第一封端自該一維半導電奈米粒子之第一端延伸以形成第一奈米晶體異質接面；以及，其中，與該第二端接觸之第一封端係包含第二半導體，且該第一封端自該一維半導電奈米粒子之第二端延伸以形成第二奈米晶體異質接面；以及，其中，該第一半導體係與該第二半導體於化學上彼此相異。
简体摘要：本文所揭露者系半导电奈米粒子，其包含具有第一端与第二端之一维半导电奈米粒子，其中，该第二端系与第一端相对；以及两个第一封端，其一者及另一者系分别与该一维半导电奈米粒子之第一端及第二端接触；其中，与第一端接触之第一封端系包含第一半导体，且该第一封端自该一维半导电奈米粒子之第一端延伸以形成第一奈米晶体异质接面；以及，其中，与该第二端接触之第一封端系包含第二半导体，且该第一封端自该一维半导电奈米粒子之第二端延伸以形成第二奈米晶体异质接面；以及，其中，该第一半导体系与该第二半导体于化学上彼此相异。

3. 发明专利

TWI434445B 包含具穿隧障壁嵌入之有機矩陣的量子點之中帶感光裝置有权
简体标题：包含具穿隧障壁嵌入之有机矩阵的量子点之中带感光设备
公开(公告)号：TWI434445B
公开(公告)日：2014-04-11
申请号：TW095146992
申请日：2006-12-15
申请人：美國普林斯頓大學信託會 , THE TRUSTEES OF PRINCETON UNIVERSITY
发明人：史帝芬R 福瑞斯特 , FORREST, STEPHEN R.
IPC分类号： H01L51/42
CPC分类号： H01L51/426 , B82Y10/00 , H01L29/127 , H01L51/424 , Y02E10/549

4. 发明专利

TWI388000B 磊晶生長方法及使用該方法所形成之磊晶層結構有权
简体标题：磊晶生长方法及使用该方法所形成之磊晶层结构
公开(公告)号：TWI388000B
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW098105304
申请日：2009-02-19
申请人：漢陽大學校產學協力團 , INDUSTRY-UNIVERSITY COOPERATION FOUNDATION, HANYANG UNIVERSITY
发明人：吳在應 , OH, JAE-EUNG
IPC分类号： H01L21/20 , H01L21/36
CPC分类号： H01L21/0237 , B82Y10/00 , H01L21/02439 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02521 , H01L21/02658 , H01L29/127

5. 发明专利

TW201029048A 磊晶生長方法及使用該方法所形成之磊晶層結構 METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH AND EPITAXIAL LAYER STRUCTURE USING THE METHOD 审中-公开
简体标题：磊晶生长方法及使用该方法所形成之磊晶层结构 METHOD FOR EPITAXIAL GROWTH AND EPITAXIAL LAYER STRUCTURE USING THE METHOD
公开(公告)号：TW201029048A
公开(公告)日：2010-08-01
申请号：TW098105304
申请日：2009-02-19
申请人：漢陽大學校產學協力團
发明人：吳在應
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L21/0237 , B82Y10/00 , H01L21/02439 , H01L21/02491 , H01L21/02502 , H01L21/02513 , H01L21/02521 , H01L21/02658 , H01L29/127
摘要：本發明提供一種用於磊晶生長之方法，其係藉由當第二磊晶層生長在具有缺陷形成其中之第一磊晶層上時將第二磊晶層中產生的缺陷減到最小來保持穩定的光學和電氣特性，以及一種使用該方法形成之磊晶層結構。該方法包含：製備一第一磊晶層，該第一磊晶層具有一缺陷形成於其中；形成一金屬量子點在該第一磊晶層上；使該金屬量子點因表面能量差異而移動到該第一磊晶層之一臺階上；將該金屬量子點轉換成一金屬量子點半導體晶體，該金屬量子點半導體晶體之晶格常數係相應於該第一磊晶層之晶格常數；及生長一第二磊晶層在該第一磊晶層上。
简体摘要：本发明提供一种用于磊晶生长之方法，其系借由当第二磊晶层生长在具有缺陷形成其中之第一磊晶层上时将第二磊晶层中产生的缺陷减到最小来保持稳定的光学和电气特性，以及一种使用该方法形成之磊晶层结构。该方法包含：制备一第一磊晶层，该第一磊晶层具有一缺陷形成于其中；形成一金属量子点在该第一磊晶层上；使该金属量子点因表面能量差异而移动到该第一磊晶层之一台阶上；将该金属量子点转换成一金属量子点半导体晶体，该金属量子点半导体晶体之晶格常数系相应于该第一磊晶层之晶格常数；及生长一第二磊晶层在该第一磊晶层上。

6. 发明专利

TW200419822A 紅外線量子點發光二極體的結構與製作方法 THE STRUCTURE AND FABRICATION METHOD OF INFRARED QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE 审中-公开
简体标题：红外线量子点发光二极管的结构与制作方法 THE STRUCTURE AND FABRICATION METHOD OF INFRARED QUANTUM DOT LIGHT EMITTING DIODE
公开(公告)号：TW200419822A
公开(公告)日：2004-10-01
申请号：TW092105988
申请日：2003-03-19
申请人：國防部中山科學研究院 CHUNG-SHAN INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY
发明人：湯相峰 TANG, SHIANG-FENG , 蔡濟舟 TSAI, CHI-CHOU , 李嗣涔 LEE, SI-CHEN , 林智玲 LIN, JYH-LING , 孫台平 SUN, TAI PING , 林時彥 LIN, SHIH-YEN , 程亞桐 CHERNG YA-TUNG
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L33/30 , B82Y10/00 , H01L29/127 , H01L33/02 , H01L33/06 , Y10S977/95
摘要：一款近紅外光發光元件，將量子點發光二極體的波長設計約1μm，由電子激發光譜(EL)特性可看出波長隨溫度變化很小為0.22nm/K，而半高寬(FWHM)變化為0.04nm/K以下，詳細敘述一個量子點發光元件對溫度特性變化(溫度範圍從20K到300K)。本發明的長晶結構，以自我形成(se1f-assembly)的方式成長InAs/GaAs量子點，且在此時將砷擋板關起，並使用Stranski-Kranov的模式，就是先一層接著一層成長，再變成島狀(island)結構，本元件結構是利用固態分子磊晶設備(solid-sourceMBE)所長成。量測溫度由絕對溫度從20K升至到300K中，負偏壓為-0.5V時，暗電流從84pA增加到13nA，理想因子值n(idealityfactor)，在溫度20K時，n約為14(穿隧電流造成)，到溫度100K~240K時，n約為2(為生成與復合(G-R)電流所主導)，一直到n約為1.3(主要為擴散電流機制)，說明經由所設計磊晶結構讓此發光二極體有極低的暗電流。於發光頻譜分析中，可觀察到本發明的特點是在非常大的溫度變化範圍之下，波長位移和半高寬增加只有0.22nm/K和0.04nm/K。此結果和具有複雜設計共振腔結構(resonantcavity)的LED與特殊設計表面多層介電多工光電濾波器發光LED的性能差不多，且大範圍溫度穩定性甚至比一般發光LED還要優異。
简体摘要：一款近红外光发光组件，将量子点发光二极管的波长设计约1μm，由电子激发光谱(EL)特性可看出波长随温度变化很小为0.22nm/K，而半高宽(FWHM)变化为0.04nm/K以下，详细叙述一个量子点发光组件对温度特性变化(温度范围从20K到300K)。本发明的长晶结构，以自我形成(se1f-assembly)的方式成长InAs/GaAs量子点，且在此时将砷挡板关起，并使用Stranski-Kranov的模式，就是先一层接着一层成长，再变成岛状(island)结构，本组件结构是利用固态分子磊晶设备(solid-sourceMBE)所长成。量测温度由绝对温度从20K升至到300K中，负偏压为-0.5V时，暗电流从84pA增加到13nA，理想因子值n(idealityfactor)，在温度20K时，n约为14(穿隧电流造成)，到温度100K~240K时，n约为2(为生成与复合(G-R)电流所主导)，一直到n约为1.3(主要为扩散电流机制)，说明经由所设计磊晶结构让此发光二极管有极低的暗电流。于发光频谱分析中，可观察到本发明的特点是在非常大的温度变化范围之下，波长位移和半高宽增加只有0.22nm/K和0.04nm/K。此结果和具有复杂设计共振腔结构(resonantcavity)的LED与特殊设计表面多层介电多任务光电滤波器发光LED的性能差不多，且大范围温度稳定性甚至比一般发光LED还要优异。

7. 发明专利

TW200417092A 具有氮化物系異質結構的元件及其製造方法 DEVICE HAVING NITRIDE HETERO STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF 失效
简体标题：具有氮化物系异质结构的组件及其制造方法 DEVICE HAVING NITRIDE HETERO STRUCTURE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
公开(公告)号：TW200417092A
公开(公告)日：2004-09-01
申请号：TW092125327
申请日：2003-09-15
申请人：千葉大學 CHIBA UNIVERSITY
发明人：吉川明彥 YOSHIKAWA, AKIHIKO , 徐科 XU, KE
IPC分类号： H01S
CPC分类号： H01L33/32 , B82Y10/00 , H01L21/0242 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L29/127 , H01L29/155 , H01L29/2003 , H01L29/205
摘要：本發明提供一種容易實現具有一個分子層水平的平坦性的外延之氮化物系異質結構的元件及其製造方法。本發明的元件具有：表面氮化的c面藍寶石基板1，GaN緩衝層2，N極性GaN層3，N極性AlN層4，N極性InN／InGaN多重層元件結構5，A1極性AlN6和GaN蓋層7。
简体摘要：本发明提供一种容易实现具有一个分子层水平的平坦性的外延之氮化物系异质结构的组件及其制造方法。本发明的组件具有：表面氮化的c面蓝宝石基板1，GaN缓冲层2，N极性GaN层3，N极性AlN层4，N极性InN／InGaN多重层组件结构5，A1极性AlN6和GaN盖层7。

8. 发明专利

TW201715730A 量子阱元件及其形成方法审中-公开
简体标题：量子阱组件及其形成方法
公开(公告)号：TW201715730A
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105106939
申请日：2016-03-07
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/12 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7788 , H01L29/0847 , H01L29/127 , H01L29/158 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/66977 , H01L29/7783 , H01L29/7784 , H01L29/7789
摘要：本發明提出了一種量子阱元件及其形成方法，能夠形成具有高遷移率的量子阱元件，並且形成的量子阱元件具有較高的擊穿電壓，從而獲得具有較好的性能及可靠性的量子阱元件。
简体摘要：本发明提出了一种量子阱组件及其形成方法，能够形成具有高迁移率的量子阱组件，并且形成的量子阱组件具有较高的击穿电压，从而获得具有较好的性能及可靠性的量子阱组件。

10. 发明专利

TW201544448A 零維電子元件及其製造方法审中-公开
简体标题：零维电子组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201544448A
公开(公告)日：2015-12-01
申请号：TW104115364
申请日：2015-05-14
申请人：張宇辰 , CHANG, YU CHEN
发明人：張宇辰 , CHANG, YU CHEN
IPC分类号： B82Y10/00 , B82Y40/00 , C09K11/08
CPC分类号： H01L29/127 , B82Y20/00 , H01L21/02395 , H01L21/02463 , H01L21/02507 , H01L21/02513 , H01L21/02546 , H01L21/0259 , H01L21/02631 , H01L29/0665 , H01L29/155 , H01L29/157 , H01L29/20 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L31/035218 , H01L33/0062 , H01L33/04 , H01L33/06 , H01L33/12 , H01L33/30 , H01L33/305 , H01L33/32 , H01L33/325 , Y02E10/544
摘要：本發明涉及零維電子元件及其製造方法。一種半導體元件，包括基板和量子點，其中，當在4凱氏溫度下測量所述半導體元件時，量子點的峰值發射的半高寬(FWHM)小於20毫電子伏特。
简体摘要：本发明涉及零维电子组件及其制造方法。一种半导体组件，包括基板和量子点，其中，当在4凯氏温度下测量所述半导体组件时，量子点的峰值发射的半高宽(FWHM)小于20毫电子伏特。

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