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1. 发明专利

TWI628318B 單晶矽晶錠及晶圓的形成方法有权
简体标题：单晶硅晶锭及晶圆的形成方法
公开(公告)号：TWI628318B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105106935
申请日：2016-03-07
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： C30B15/14 , H01L21/02

2. 发明专利

TWI628316B 單晶矽錠及晶圓的形成方法有权
简体标题：单晶硅锭及晶圆的形成方法
公开(公告)号：TWI628316B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105118435
申请日：2016-06-13
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： C30B15/00 , C30B30/04 , C30B29/06

3. 发明专利

TW201732886A 絕緣層上覆矽基板及其製造方法审中-公开
简体标题：绝缘层上覆硅基板及其制造方法
公开(公告)号：TW201732886A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105118826
申请日：2016-06-15
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： H01L21/20 , H01L27/12 , H01L21/265 , H01L21/324
CPC分类号： H01L21/76254 , H01L21/02032 , H01L21/02164 , H01L29/34
摘要：一種絕緣層上覆矽基板之製造方法，包括：提供一第一半導體基底；於該第一半導體基底之頂面形成一第一絕緣層，以便製成一第一半導體基板；對該第一半導體基板照射氫離子束，以便在距離該第一絕緣層之頂面的預定深度之處形成一氫摻雜層；提供一第二半導體基底；於該第二半導體基底之頂面形成一第二絕緣層，以便製成一第二半導體基板；將該第一半導體基板面對面地接合於該第二導體體基板；於一重氫氣壓環境下，對該第一半導體基板以及該第二半導體基板進行退火；以及將部分的第一半導體基板分離於該第二半導體基板，以便形成一摻雜有重氫的半導體層於該第二半導體基板之上。
简体摘要：一种绝缘层上覆硅基板之制造方法，包括：提供一第一半导体基底；于该第一半导体基底之顶面形成一第一绝缘层，以便制成一第一半导体基板；对该第一半导体基板照射氢离子束，以便在距离该第一绝缘层之顶面的预定深度之处形成一氢掺杂层；提供一第二半导体基底；于该第二半导体基底之顶面形成一第二绝缘层，以便制成一第二半导体基板；将该第一半导体基板面对面地接合于该第二导体体基板；于一重氢气压环境下，对该第一半导体基板以及该第二半导体基板进行退火；以及将部分的第一半导体基板分离于该第二半导体基板，以便形成一掺杂有重氢的半导体层于该第二半导体基板之上。

4. 发明专利

TWI589737B 單晶矽晶錠及晶圓的形成方法有权
简体标题：单晶硅晶锭及晶圆的形成方法
公开(公告)号：TWI589737B
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105107811
申请日：2016-03-14
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： C30B15/02 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/22 , C30B15/04 , C30B29/06 , C30B33/00

5. 发明专利

TW201719887A 雙通道ＦｉｎＦＥＴ元件及其製造方法审中-公开
简体标题：双信道ＦｉｎＦＥＴ组件及其制造方法
公开(公告)号：TW201719887A
公开(公告)日：2017-06-01
申请号：TW105118436
申请日：2016-06-13
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： H01L29/12 , H01L29/772 , H01L21/763 , H01L21/8232
摘要：本發明提出了一種雙通道FinFET元件及其製造方法，石墨烯與基板之間具有良好的界面性質，當對石墨烯進行單側氟化後所得到的氟化石墨烯不僅具有高的致密性與結構強度，而且可以從金屬性半導體轉變為二維絕緣材料，因此將氟化石墨烯作為界面鈍化層應用於FET元件中。由於氟化石墨烯能夠有效抑制界面互擴散行為，尤其是抑制氧原子向基板的擴散，避免不穩定氧化物以及界面缺陷所導致的電荷陷阱的形成，使元件性能得到很大提升，閘極漏電流能夠大幅度降低。
简体摘要：本发明提出了一种双信道FinFET组件及其制造方法，石墨烯与基板之间具有良好的界面性质，当对石墨烯进行单侧氟化后所得到的氟化石墨烯不仅具有高的致密性与结构强度，而且可以从金属性半导体转变为二维绝缘材料，因此将氟化石墨烯作为界面钝化层应用于FET组件中。由于氟化石墨烯能够有效抑制界面互扩散行为，尤其是抑制氧原子向基板的扩散，避免不稳定氧化物以及界面缺陷所导致的电荷猫腻的形成，使组件性能得到很大提升，闸极漏电流能够大幅度降低。

6. 发明专利

TW201714308A 場效電晶體及其製備方法审中-公开
简体标题：场效应管及其制备方法
公开(公告)号：TW201714308A
公开(公告)日：2017-04-16
申请号：TW105107619
申请日：2016-03-11
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/06 , H01L21/8252
CPC分类号： H01L29/775 , H01L21/02532 , H01L21/02603 , H01L21/2654 , H01L21/283 , H01L21/324 , H01L29/0669 , H01L29/0673 , H01L29/1054 , H01L29/16 , H01L29/267 , H01L29/42368 , H01L29/42376 , H01L29/42392 , H01L29/4908 , H01L29/4966 , H01L29/517 , H01L29/66439 , H01L29/66462 , H01L29/66742 , H01L29/7783 , H01L29/78681 , H01L29/78684 , H01L29/78696 , H01L2029/42388
摘要：本發明提供一種場效電晶體及其製備方法，場效電晶體包括：半導體基板；位於所述半導體基板中的鍺奈米線；包圍在鍺奈米線四周的第一III-V化合物層；依次包圍在部分所述第一III-V化合物層四周的勢障層、閘介電層和閘電極；以及位於所述第一III-V化合物層上，並分別位於所述閘電極兩側的源極區和汲區。本發明，勢障層的禁帶寬度大於第一III-V化合物層的禁帶寬度，並且，勢障層和第一III-V化合物層的能帶彎曲不同，使得在第一III-V化合物層靠近勢障層的介面處形成二維電子氣，二維電子氣遷移率較高，從而場效電晶體具有更好的電學性能。此外，場效電晶體為閘極完全包圍的元件，提高場效電晶體的電學性能。
简体摘要：本发明提供一种场效应管及其制备方法，场效应管包括：半导体基板；位于所述半导体基板中的锗奈米线；包围在锗奈米线四周的第一III-V化合物层；依次包围在部分所述第一III-V化合物层四周的势障层、闸介电层和闸电极；以及位于所述第一III-V化合物层上，并分别位于所述闸电极两侧的源极区和汲区。本发明，势障层的禁带宽度大于第一III-V化合物层的禁带宽度，并且，势障层和第一III-V化合物层的能带弯曲不同，使得在第一III-V化合物层靠近势障层的界面处形成二维电子气，二维电子气迁移率较高，从而场效应管具有更好的电学性能。此外，场效应管为闸极完全包围的组件，提高场效应管的电学性能。

7. 发明专利

TWI578531B 量子阱元件及其形成方法有权
简体标题：量子阱组件及其形成方法
公开(公告)号：TWI578531B
公开(公告)日：2017-04-11
申请号：TW105106939
申请日：2016-03-07
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： H01L29/778 , H01L29/12 , H01L21/335
CPC分类号： H01L29/7788 , H01L29/0847 , H01L29/127 , H01L29/158 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/66977 , H01L29/7783 , H01L29/7784 , H01L29/7789

8. 发明专利

TWI628321B 晶圓熱處理的方法（一）有权
简体标题：晶圆热处理的方法（一）
公开(公告)号：TWI628321B
公开(公告)日：2018-07-01
申请号：TW105113326
申请日：2016-04-28
申请人：大陸商上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： C30B33/02 , C30B29/06

9. 发明专利

TW201732093A 單晶矽之成長方法及其製備之單晶矽錠（一）审中-公开
简体标题：单晶硅之成长方法及其制备之单晶硅锭（一）
公开(公告)号：TW201732093A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105113342
申请日：2016-04-28
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： C30B15/00 , C30B29/06
CPC分类号： C30B15/22 , B24B7/228 , B24B9/065 , C30B15/04 , C30B15/203 , C30B29/06 , C30B30/04 , C30B33/00
摘要：本發明係提供一種單晶矽之成長方法，係以柴氏拉晶法，將置於坩堝內之矽原料熔化而形成熔體，並提拉該熔體而使單晶矽成長之方法，其特徵在於，於形成熔體時通入包括氬氣之氣體；以及於提拉步驟中施加磁場。本發明亦提供一種以該單晶矽製備晶圓之方法。
简体摘要：本发明系提供一种单晶硅之成长方法，系以柴氏拉晶法，将置于坩埚内之硅原料熔化而形成熔体，并提拉该熔体而使单晶硅成长之方法，其特征在于，于形成熔体时通入包括氩气之气体；以及于提拉步骤中施加磁场。本发明亦提供一种以该单晶硅制备晶圆之方法。

10. 发明专利

TW201723240A 單晶矽錠及晶圓的形成方法审中-公开
简体标题：单晶硅锭及晶圆的形成方法
公开(公告)号：TW201723240A
公开(公告)日：2017-07-01
申请号：TW105118435
申请日：2016-06-13
申请人：上海新昇半導體科技有限公司 , ZING SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：肖德元 , XIAO, DEYUAN , 張汝京 , CHANG, RICHARD R.
IPC分类号： C30B15/00 , C30B30/04 , C30B29/06
摘要：本發明提供一種單晶矽及晶圓的形成方法，在採用柴氏拉晶法(Czochralski method)形成單晶矽錠時，對熔融狀的矽中通入包含氘氣和氮氣的氣體，使氘原子和氮原子存儲在單晶矽錠的間隙中，採用單晶矽錠形成晶圓後，在晶圓上形成的裝置時，氘能夠擴散出，並與介面處等懸鍵進行結合，形成較為穩定的結構，從而避免熱載子的穿透，降低漏電流，提高裝置的性能與可靠性；此外，摻氮濃度合適的直拉單晶矽錠經過一步高溫退火後，在晶圓體內可以形成高密度的氧沉澱而在晶圓近表面形成一定寬度的潔淨區，隨著氮濃度的增加，晶圓中的氧沉澱徑向分佈更為均勻，能夠提高晶圓的性能。
简体摘要：本发明提供一种单晶硅及晶圆的形成方法，在采用柴氏拉晶法(Czochralski method)形成单晶硅锭时，对熔融状的硅中通入包含氘气和氮气的气体，使氘原子和氮原子存储在单晶硅锭的间隙中，采用单晶硅锭形成晶圆后，在晶圆上形成的设备时，氘能够扩散出，并与界面处等悬键进行结合，形成较为稳定的结构，从而避免热载子的穿透，降低漏电流，提高设备的性能与可靠性；此外，掺氮浓度合适的直拉单晶硅锭经过一步高温退火后，在晶圆体内可以形成高密度的氧沉淀而在晶圆近表面形成一定宽度的洁净区，随着氮浓度的增加，晶圆中的氧沉淀径向分布更为均匀，能够提高晶圆的性能。

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