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1. 发明专利

TW201628032A 積體電感結構及其製造方法审中-公开
简体标题：积体电感结构及其制造方法
公开(公告)号：TW201628032A
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW104102725
申请日：2015-01-27
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAOTSUNG , 梁家瑞 , LIANG, CHIAJUI
IPC分类号： H01F27/34 , H01F41/14 , H01L27/01
CPC分类号： H01L28/10 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/585 , H01L27/016 , H01L27/0682 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L29/93 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：一種積體電感結構，其包含電容、保護環、圖案式防護層及電感。保護環(guard ring)耦接於電容。圖案式防護層透過電容耦接於保護環，使得圖案式防護層浮接。電感配置於保護環與圖案式防護層之上。
简体摘要：一种积体电感结构，其包含电容、保护环、图案式防护层及电感。保护环(guard ring)耦接于电容。图案式防护层透过电容耦接于保护环，使得图案式防护层浮接。电感配置于保护环与图案式防护层之上。

2. 发明专利

TW201027624A 多晶矽－絕緣體－多晶矽電容之製造方法 METHOD FOR FABRICATING PIP CAPACITOR 审中-公开
简体标题：多晶硅－绝缘体－多晶硅电容之制造方法 METHOD FOR FABRICATING PIP CAPACITOR
公开(公告)号：TW201027624A
公开(公告)日：2010-07-16
申请号：TW098142617
申请日：2009-12-11
申请人：東部高科股份有限公司
发明人：李鍾昊
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0629 , H01L27/0682 , H01L28/20 , H01L28/40
摘要：一種多晶矽-絕緣體-多晶矽電容之製造方法。此種多晶矽-絕緣體-多晶矽電容之製造方法包含:形成一場氧化膜於一矽基板之上用以定義一裝置絕緣區及一活性區之步驟,形成具有摻雜雜質的一底多晶矽電極於場氧化膜之上之步驟,一閘極氧化步驟,其係為執行一氧化步驟用以在摻雜有雜質的底多晶矽電極之一頂側及側壁形成一第一氧化膜,並且同時在矽基板之活性區之上形成一第二氧化膜,以及形成一頂多晶矽電極於第一氧化膜之一區域之上,並且同時,形成一閘極於第二氧化膜之上之步驟。
简体摘要：一种多晶硅-绝缘体-多晶硅电容之制造方法。此种多晶硅-绝缘体-多晶硅电容之制造方法包含:形成一场氧化膜于一硅基板之上用以定义一设备绝缘区及一活性区之步骤,形成具有掺杂杂质的一底多晶硅电极于场氧化膜之上之步骤,一闸极氧化步骤,其系为运行一氧化步骤用以在掺杂有杂质的底多晶硅电极之一顶侧及侧壁形成一第一氧化膜,并且同时在硅基板之活性区之上形成一第二氧化膜,以及形成一顶多晶硅电极于第一氧化膜之一区域之上,并且同时,形成一闸极于第二氧化膜之上之步骤。

3. 发明专利

TW371353B 金氧半導體元件電阻器和電容器下電極之製造方法失效
简体标题：金属氧化物半导体组件电阻器和电容器下电极之制造方法
公开(公告)号：TW371353B
公开(公告)日：1999-10-01
申请号：TW087112420
申请日：1998-07-29
申请人：聯華電子股份有限公司
发明人：黃國良 , 黃怡和
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/0682 , H01L28/20 , H01L28/40
摘要：一種金氧半導體元件電阻器和電容器下電極之製造方法。首先，提供具有絕緣結構和主動區域的半導體基底，半導體基底中已形成Ｐ井和Ｎ井，且在主動區域上已形成氮化矽層。其次，在半導體基底上，形成多晶矽層。接著，再多晶矽層上形成一氧化層並進行摻雜，首先摻雜第一雜質到多晶矽層中。然後，摻雜第二雜質到部分多晶矽層中，第二雜質的摻雜濃度較第一雜質摻雜濃度為高。之後，去除部分多晶矽層，至少暴露出全部氮化矽層。殘留在絕緣結構上的多晶矽層，其中摻雜第二雜質的部分，用以做為電阻器；其中僅摻雜第一雜質的部分，用以做為電容器下電極。
简体摘要：一种金属氧化物半导体组件电阻器和电容器下电极之制造方法。首先，提供具有绝缘结构和主动区域的半导体基底，半导体基底中已形成Ｐ井和Ｎ井，且在主动区域上已形成氮化硅层。其次，在半导体基底上，形成多晶硅层。接着，再多晶硅层上形成一氧化层并进行掺杂，首先掺杂第一杂质到多晶硅层中。然后，掺杂第二杂质到部分多晶硅层中，第二杂质的掺杂浓度较第一杂质掺杂浓度为高。之后，去除部分多晶硅层，至少暴露出全部氮化硅层。残留在绝缘结构上的多晶硅层，其中掺杂第二杂质的部分，用以做为电阻器；其中仅掺杂第一杂质的部分，用以做为电容器下电极。

4. 发明专利

TW201624619A 藉由研磨以分隔電子部件而在半導體基材上形成電子部件审中-公开
简体标题：借由研磨以分隔电子部件而在半导体基材上形成电子部件
公开(公告)号：TW201624619A
公开(公告)日：2016-07-01
申请号：TW104137209
申请日：2015-11-11
申请人：凌雲邏輯公司 , CIRRUS LOGIC, INC.
发明人：塔拉比亞馬克L , TARABBIA, MARC L. , 潘聖傑 , PAN, SHANJEN
IPC分类号： H01L21/77 , H01L29/02 , H01L27/118
CPC分类号： H01L27/0682 , H01L28/20 , H01L28/40
摘要：可於半導體基材上的層中形成溝槽，以界定用於電子元件(諸如放大器)之電部件。可在形成溝槽及沉積其他層以於半導體基材上金屬層中界定電阻器、電容器、或其他元件之區域之後，執行研磨步驟。該研磨步驟可產生半導體基材上金屬層中的不連續，該不連續界定對應於電子元件之電阻器、電容器、與其他部件的電隔離區域。
简体摘要：可于半导体基材上的层中形成沟槽，以界定用于电子组件(诸如放大器)之电部件。可在形成沟槽及沉积其他层以于半导体基材上金属层中界定电阻器、电容器、或其他组件之区域之后，运行研磨步骤。该研磨步骤可产生半导体基材上金属层中的不连续，该不连续界定对应于电子组件之电阻器、电容器、与其他部件的电隔离区域。

5. 发明专利

TW200723687A 用以消除信號相依電容之電路及方法 CIRCUITS AND METHODS FOR CANCELING SIGNAL DEPENDENT CAPACITANCE 审中-公开
简体标题：用以消除信号相依电容之电路及方法 CIRCUITS AND METHODS FOR CANCELING SIGNAL DEPENDENT CAPACITANCE
公开(公告)号：TW200723687A
公开(公告)日：2007-06-16
申请号：TW095130514
申请日：2006-08-18
申请人：林耳科技公司 LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：喬瑟夫L. 紹沙 SOUSA, JOSEPH L. , 大衛M. 湯瑪士 THOMAS, DAVID M.
IPC分类号： H03K
CPC分类号： H03F1/3211 , H01L27/0682 , H03F1/3276 , H03F1/56 , H03F2203/45576 , H03K19/00384
摘要：本發明提供用於減小信號相依電容之量値之系統及方法。電容消除電路系統運作以響應一信號(其可係產生非合意信號相依電容之同一信號)之量値而產生消除電容,以至少部分地消除該信號相依電容。
简体摘要：本发明提供用于减小信号相依电容之量値之系统及方法。电容消除电路系统运作以响应一信号(其可系产生非合意信号相依电容之同一信号)之量値而产生消除电容,以至少部分地消除该信号相依电容。

6. 发明专利

TWI411230B 用以消除信號相依電容之電路及方法有权
简体标题：用以消除信号相依电容之电路及方法
公开(公告)号：TWI411230B
公开(公告)日：2013-10-01
申请号：TW095130514
申请日：2006-08-18
申请人：林耳科技公司 , LINEAR TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：喬瑟夫L. 紹沙 , SOUSA, JOSEPH L. , 大衛M. 湯瑪士 , THOMAS, DAVID M.
IPC分类号： H03K19/003
CPC分类号： H03F1/3211 , H01L27/0682 , H03F1/3276 , H03F1/56 , H03F2203/45576 , H03K19/00384

7. 发明专利

TW200525586A 具有部分矽化的矽層之積體電路 INTEGRATED CIRCUIT WITH PARTLY SILICIDATED SILICON LAYER 审中-公开
简体标题：具有部分硅化的硅层之集成电路 INTEGRATED CIRCUIT WITH PARTLY SILICIDATED SILICON LAYER
公开(公告)号：TW200525586A
公开(公告)日：2005-08-01
申请号：TW093132430
申请日：2004-10-26
申请人：皇家飛利浦電子股份有限公司 KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.
发明人：漢卓克修伯特司凡得米爾 VAN DER MEER, HENDRIK HUBERTUS , 威和莫司康泥利斯瑪莉亞彼得司 PETERS, WILHELMUS CORNELIS MARIA
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L27/11521 , H01L27/0629 , H01L27/0682 , H01L27/115 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/66825
摘要：本發明揭示一種積體電路(1)，其包含一電子裝置(2)，例如一電阻器，其包含具有一矽化部分(122)及一非矽化部分(123)的一第一矽層(120)，以及一另一電子裝置(3)，例如一電容器、一場效電晶體或一非揮發性記憶體閘極堆疊。該另一電子裝置(3)包含具有一介電層厚度(D)的一介電層(130)。該電子裝置(2)之該非矽化部分(123)係由具有該介電層厚度(D)之一另一介電層(131)所覆蓋，該矽化部分(122)並非由該另一介電層(131)所覆蓋。此類積體電路(1)可藉由依據涉及到一減少數量之微影步驟的本發明之一方法而加以形成。
简体摘要：本发明揭示一种集成电路(1)，其包含一电子设备(2)，例如一电阻器，其包含具有一硅化部分(122)及一非硅化部分(123)的一第一硅层(120)，以及一另一电子设备(3)，例如一电容器、一场效应管或一非挥发性内存闸极堆栈。该另一电子设备(3)包含具有一介电层厚度(D)的一介电层(130)。该电子设备(2)之该非硅化部分(123)系由具有该介电层厚度(D)之一另一介电层(131)所覆盖，该硅化部分(122)并非由该另一介电层(131)所覆盖。此类集成电路(1)可借由依据涉及到一减少数量之微影步骤的本发明之一方法而加以形成。

8. 发明专利

TWI612540B 積體電感結構及其製造方法有权
简体标题：积体电感结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI612540B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW104102725
申请日：2015-01-27
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAOTSUNG , 梁家瑞 , LIANG, CHIAJUI
IPC分类号： H01F27/34 , H01F41/14 , H01L27/01
CPC分类号： H01L28/10 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/5227 , H01L23/585 , H01L27/016 , H01L27/0682 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L28/60 , H01L29/93 , H01L29/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

9. 发明专利

TWI593057B 藉由硏磨以分隔電子部件而在半導體基材上形成電子部件有权
简体标题：借由研磨以分隔电子部件而在半导体基材上形成电子部件
公开(公告)号：TWI593057B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：TW104137209
申请日：2015-11-11
申请人：凌雲邏輯公司 , CIRRUS LOGIC, INC.
发明人：塔拉比亞馬克L , TARABBIA, MARC L. , 潘聖傑 , PAN, SHANJEN
IPC分类号： H01L21/77 , H01L29/02 , H01L27/118
CPC分类号： H01L27/0682 , H01L28/20 , H01L28/40

10. 发明专利

TWI392080B 具溝渠電容及溝渠電阻的半導體結構有权
简体标题：具沟渠电容及沟渠电阻的半导体结构
公开(公告)号：TWI392080B
公开(公告)日：2013-04-01
申请号：TW096100166
申请日：2007-01-03
申请人：萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
发明人：肯格歐鄭 , CHENG, KANGGUO , 羅伯特M. 羅素 , RASSEL, ROBERT M.
IPC分类号： H01L27/01
CPC分类号： H01L29/945 , H01L27/016 , H01L27/0682 , H01L28/20 , H01L29/66181

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