基本信息:
- 专利标题： 具溝渠電容及溝渠電阻的半導體結構
- 专利标题（英）：Semiconductor structure including trench capacitor and trench resistor
- 专利标题（中）：具沟渠电容及沟渠电阻的半导体结构
- 申请号：TW096100166 申请日：2007-01-03
- 公开(公告)号：TWI392080B 公开(公告)日：2013-04-01
- 发明人： 肯格歐 鄭 , CHENG, KANGGUO , 羅伯特M. 羅素 , RASSEL, ROBERT M.
- 申请人： 萬國商業機器公司 , INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- 专利权人： 萬國商業機器公司,INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- 当前专利权人： 萬國商業機器公司,INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION
- 代理人： 蔡玉玲
- 优先权： 11/306,709 20060109
- 主分类号： H01L27/01
- IPC分类号： H01L27/01
公开/授权文献:
信息查询:
EspacenetIPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/01 | .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件 |