专利快速检索-快速检索全球专利，免费商用专利数据库-IPRDB

1. 发明专利

TW201919248A 半導體裝置結構审中-公开
简体标题：半导体设备结构
公开(公告)号：TW201919248A
公开(公告)日：2019-05-16
申请号：TW107138787
申请日：2018-11-01
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：薛琇文 , HSUEH, HSIU WEN , 陳郁翔 , CHEN, YU HSIANG , 黃文社 , HUANG, WEN SHEH , 陳啟平 , CHEN, CHII PING , 陳萬得 , CHEN, WAN TE
IPC分类号： H01L29/86
CPC分类号： H01L21/022 , H01L21/304 , H01L21/762 , H01L23/5228 , H01L23/647 , H01L27/0635 , H01L27/0802 , H01L28/24
摘要：提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包含半導體基底及在半導體基底上的第一電阻元件和第二電阻元件。半導體裝置結構亦包含電性連接至第一電阻元件的第一導電部件和電性連接至第二電阻元件的第二導電部件。半導體裝置結構更包含圍繞第一導電部件和第二導電部件的介電層。
简体摘要：提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包含半导体基底及在半导体基底上的第一电阻组件和第二电阻组件。半导体设备结构亦包含电性连接至第一电阻组件的第一导电部件和电性连接至第二电阻组件的第二导电部件。半导体设备结构更包含围绕第一导电部件和第二导电部件的介电层。

3. 发明专利

TW201334159A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201334159A
公开(公告)日：2013-08-16
申请号：TW101129466
申请日：2012-08-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC分类号： H01L23/5228 , H01L23/647 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L27/10897 , H01L28/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：本發明提供一種半導體裝置。上述半導體裝置包括基板，包括主動區；閘極堆疊，設置於基板上，其中每一個閘極堆疊係形成於兩個相鄰的主動區之間；第一電阻，具有設置於主動區的第一主動區上方的第一下端，以及連接至第一連接器的第一上端；第二電阻，具有設置於主動區的第二主動區上方的第二下端，以及連接至第一連接器的第二上端；開關，由第一主動區、第二主動區和閘極堆疊的第一閘極構成；第三電阻，具有設置於主動區的第二主動區上方的第三下端，其中第三電阻的第三下端耦接至第二電阻的第二下端。
简体摘要：本发明提供一种半导体设备。上述半导体设备包括基板，包括主动区；闸极堆栈，设置于基板上，其中每一个闸极堆栈系形成于两个相邻的主动区之间；第一电阻，具有设置于主动区的第一主动区上方的第一下端，以及连接至第一连接器的第一上端；第二电阻，具有设置于主动区的第二主动区上方的第二下端，以及连接至第一连接器的第二上端；开关，由第一主动区、第二主动区和闸极堆栈的第一闸极构成；第三电阻，具有设置于主动区的第二主动区上方的第三下端，其中第三电阻的第三下端耦接至第二电阻的第二下端。

4. 发明专利

TW201130101A 具有可變複數阻抗之連接器用接收電路 RECEIVE CIRCUIT FOR CONNECTORS WITH VARIABLE COMPLEX IMPEDANCE 审中-公开
简体标题：具有可变复数阻抗之连接器用接收电路 RECEIVE CIRCUIT FOR CONNECTORS WITH VARIABLE COMPLEX IMPEDANCE
公开(公告)号：TW201130101A
公开(公告)日：2011-09-01
申请号：TW099111284
申请日：2010-04-12
申请人：奧瑞可美國股份有限公司
发明人：多斯特羅伯特 , 霍金斯羅伯特 , 周懷恩
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/66 , H01L23/3171 , H01L23/48 , H01L23/5223 , H01L23/5225 , H01L23/552 , H01L23/585 , H01L23/60 , H01L23/642 , H01L23/645 , H01L23/647 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L24/72 , H01L24/90 , H01L25/0655 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L27/0251 , H01L2223/6622 , H01L2223/6627 , H01L2223/6655 , H01L2224/02166 , H01L2224/0401 , H01L2224/05556 , H01L2224/05624 , H01L2224/13099 , H01L2224/95145 , H01L2225/06527 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01033 , H01L2924/01074 , H01L2924/014 , H01L2924/12032 , H01L2924/14 , H01L2924/15311 , H01L2924/15312 , H01L2924/19033 , H01L2924/19041 , H01L2924/19042 , H01L2924/19043 , H01L2924/19051 , H01L2924/30105 , H01L2924/3011 , H01L2924/3025 , H01L2924/351 , H03H7/38 , H01L2924/00
摘要：說明使用具有可變複數阻抗(可為導電式、電容式或二者)之晶片間連接的電路實施例、包含該電路的系統、及通訊技術。此晶片間連接可以被形成於晶片表面上或近接晶片表面處之微彈簧或各向異性膜與金屬連接器之間。此外，電路可以減輕與可變複數阻抗相關連的訊號失真。舉例而言，電路可以包含與金屬連接器串聯電耦合的內部阻抗，以及具有在操作頻率的整個範圍之上為可變複數阻抗的主要部份之阻抗。分開地或增加地，該電路可適用來校正訊號失真。
简体摘要：说明使用具有可变复数阻抗(可为导电式、电容式或二者)之芯片间连接的电路实施例、包含该电路的系统、及通信技术。此芯片间连接可以被形成于芯片表面上或近接芯片表面处之微弹簧或各向异性膜与金属连接器之间。此外，电路可以减轻与可变复数阻抗相关连的信号失真。举例而言，电路可以包含与金属连接器串联电耦合的内部阻抗，以及具有在操作频率的整个范围之上为可变复数阻抗的主要部份之阻抗。分开地或增加地，该电路可适用来校正信号失真。

5. 发明专利

TW461109B 製造矽雙極功率高頻電晶體之方法及功率電晶體裝置失效
简体标题：制造硅双极功率高频晶体管之方法及功率晶体管设备
公开(公告)号：TW461109B
公开(公告)日：2001-10-21
申请号：TW088108739
申请日：1999-05-27
申请人： LM艾瑞克生電話公司
发明人：泰德喬漢森
IPC分类号： H01L
CPC分类号： H01L23/647 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00
摘要：揭示一種製造矽雙極功率高頻電晶體裝置之方法。本方法之電晶體裝置亦予揭示。此電晶體裝置可保證作業期間之維持適當之BVvCER情況以避免射極至集極崩潰。根據此方法，積體電阻器(20)係配置在半導體晶粒上之矽雙極電晶體(l)之至少一側，該半導體晶粒係構成矽雙極電晶體之基體。積體電阻器連接在矽雙極電晶體(l)之基極與射極端點之間。增加之積體電阻器(20)為一在半導體晶粒上之擴散p+電阻器，或在隔離層頂上之多晶矽或NiCr電阻器。在備有積體射極鎮流電阻器之指狀電晶體結構中，增加之電阻器或電阻器(20)之製造與生產鎮流電阻器係同時生產。
简体摘要：揭示一种制造硅双极功率高频晶体管设备之方法。本方法之晶体管设备亦予揭示。此晶体管设备可保证作业期间之维持适当之BVvCER情况以避免射极至集极崩溃。根据此方法，积体电阻器(20)系配置在半导体晶粒上之硅双极晶体管(l)之至少一侧，该半导体晶粒系构成硅双极晶体管之基体。积体电阻器连接在硅双极晶体管(l)之基极与射极端点之间。增加之积体电阻器(20)为一在半导体晶粒上之扩散p+电阻器，或在隔离层顶上之多晶硅或NiCr电阻器。在备有积体射极镇流电阻器之指状晶体管结构中，增加之电阻器或电阻器(20)之制造与生产镇流电阻器系同时生产。

6. 发明专利

TW201717344A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201717344A
公开(公告)日：2017-05-16
申请号：TW105129137
申请日：2016-09-08
申请人：野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人：小山田成聖 , OYAMADA, SEISEI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L29/92
CPC分类号： H01L23/642 , H01G4/33 , H01L21/822 , H01L23/50 , H01L23/647 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/33 , H01L27/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/16 , H01L2224/16265 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103
摘要：半導體裝置(100)是具備：具有凸塊搭載面(2S)的半導體積體電路(2)，及藉由凸塊(22)來連接至凸塊搭載面的薄膜電容器部(1)。半導體積體電路(2)是包含：被施加一方的極性的電源電壓(Vdd)之第1電源焊墊(21V)，及被施加另一方的極性的電源電壓(Gnd)之第2電源焊墊(21G)。薄膜電容器部(1)是包含：被連接至第1電源焊墊的第1電極層(11)，及被連接至第2電源焊墊的第2電極層(12)，及被形成於第1電極層與第2電極層之間的介電質層(13)。半導體裝置是具備：對半導體積體電路供給電力的電力供給路徑(30)，及設在電力供給路徑中，由具有比第1電極層及第2電極層的體積電阻率高的體積電阻率的金屬系高電阻材料所成的薄板狀的金屬電阻部(17)。
简体摘要：半导体设备(100)是具备：具有凸块搭载面(2S)的半导体集成电路(2)，及借由凸块(22)来连接至凸块搭载面的薄膜电容器部(1)。半导体集成电路(2)是包含：被施加一方的极性的电源电压(Vdd)之第1电源焊垫(21V)，及被施加另一方的极性的电源电压(Gnd)之第2电源焊垫(21G)。薄膜电容器部(1)是包含：被连接至第1电源焊垫的第1电极层(11)，及被连接至第2电源焊垫的第2电极层(12)，及被形成于第1电极层与第2电极层之间的介电质层(13)。半导体设备是具备：对半导体集成电路供给电力的电力供给路径(30)，及设在电力供给路径中，由具有比第1电极层及第2电极层的体积电阻率高的体积电阻率的金属系高电阻材料所成的薄板状的金属电阻部(17)。

7. 发明专利

TWI582931B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI582931B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW105129137
申请日：2016-09-08
申请人：野田士克林股份有限公司 , NODA SCREEN CO., LTD.
发明人：小山田成聖 , OYAMADA, SEISEI
IPC分类号： H01L23/488 , H01L29/92
CPC分类号： H01L23/642 , H01G4/33 , H01L21/822 , H01L23/50 , H01L23/647 , H01L24/06 , H01L24/09 , H01L24/13 , H01L24/16 , H01L24/17 , H01L24/33 , H01L27/04 , H01L2224/0401 , H01L2224/16 , H01L2224/16265 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19103

8. 发明专利

TWI566347B 積體電路有权
简体标题：集成电路
公开(公告)号：TWI566347B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：TW103110879
申请日：2014-03-24
申请人：智原科技股份有限公司 , FARADAY TECHNOLOGY CORP.
发明人：賴穎俊 , LAI, YING JIUNN , 何榮基 , HO, JUNG CHI
IPC分类号： H01L23/48 , H01L21/60
CPC分类号： H01L23/58 , H01L23/50 , H01L23/5227 , H01L23/645 , H01L23/647 , H01L23/66 , H01L2223/6611 , H01L2223/6638 , H01L2224/05554 , H01L2224/48091 , H01L2224/49175 , H04L25/00 , H01L2924/00014

9. 发明专利

TWI482267B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI482267B
公开(公告)日：2015-04-21
申请号：TW101129466
申请日：2012-08-15
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：顏孝璁 , YEN, HSIAO TSUNG , 林佑霖 , LIN, YU LING
IPC分类号： H01L27/10 , H01L27/105 , H01L27/108
CPC分类号： H01L23/5228 , H01L23/647 , H01L27/0629 , H01L27/0802 , H01L27/10897 , H01L28/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00

10. 发明专利

TW201310652A 屏蔽閘極溝槽MOSFET封裝审中-公开
简体标题：屏蔽闸极沟槽MOSFET封装
公开(公告)号：TW201310652A
公开(公告)日：2013-03-01
申请号：TW101129181
申请日：2012-08-13
申请人：萬國半導體股份有限公司 , ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INCORPORATED
发明人：雷燮光 , LUI, SIK K , 蘇毅 , SU, YI , 伍時謙 , NG, DANIEL , 卡拉夫特丹尼爾 , CALAFUT, DANIEL , 叭剌安荷 , BHALLA, ANUP
IPC分类号： H01L29/78 , H01L23/52
CPC分类号： H01L29/7813 , H01L23/647 , H01L24/06 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L29/407 , H01L29/42368 , H01L29/4238 , H01L29/66734 , H01L29/7803 , H01L29/7811 , H01L2224/0603 , H01L2224/4813 , H01L2224/48247 , H01L2224/4911 , H01L2224/49111 , H01L2924/00014 , H01L2924/10253 , H01L2924/12032 , H01L2924/13091 , H01L2924/3025 , H01L2924/00 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要：一種屏蔽閘溝槽場效應電晶體可以形成在襯底上，具有一個外延層在襯底上，以及一個本體層在外延層上。形成在本體層和外延層中的溝槽，內襯電介質層。屏蔽電極形成在溝槽下部。通過電介質層使屏蔽電極絕緣。閘極電極形成在屏蔽電極上方的溝槽中，並通過額外的電介質層，與屏蔽電極絕緣。一個或多個源極區形成在本體層中，位於溝槽的側壁附近。源極墊形成在本體層上方，電連接到一個或多個源極區，並與閘極電極和屏蔽電極絕緣。源極墊提供到源極區的外部接頭。閘極墊提供到閘極電極的外部接頭。屏蔽電極墊提供到屏蔽電極的外部接頭。電阻元件可以電連接在封裝中的屏蔽電極墊和源極引線之間。
简体摘要：一种屏蔽闸沟槽场效应晶体管可以形成在衬底上，具有一个外延层在衬底上，以及一个本体层在外延层上。形成在本体层和外延层中的沟槽，内衬电介质层。屏蔽电极形成在沟槽下部。通过电介质层使屏蔽电极绝缘。闸极电极形成在屏蔽电极上方的沟槽中，并通过额外的电介质层，与屏蔽电极绝缘。一个或多个源极区形成在本体层中，位于沟槽的侧壁附近。源极垫形成在本体层上方，电连接到一个或多个源极区，并与闸极电极和屏蔽电极绝缘。源极垫提供到源极区的外部接头。闸极垫提供到闸极电极的外部接头。屏蔽电极垫提供到屏蔽电极的外部接头。电阻组件可以电连接在封装中的屏蔽电极垫和源极引线之间。

你已经成功收藏专利！

检索式保存成功!

IPRDB

热门服务

关于我们

友情链接

联系方式