基本信息:
- 专利标题： 半導體裝置結構
- 专利标题（英）：Semiconductor device structures
- 专利标题（中）：半导体设备结构
- 申请号：TW107138787 申请日：2018-11-01
- 公开(公告)号：TW201919248A 公开(公告)日：2019-05-16
- 发明人： 薛琇文 , HSUEH, HSIU WEN , 陳郁翔 , CHEN, YU HSIANG , 黃文社 , HUANG, WEN SHEH , 陳啟平 , CHEN, CHII PING , 陳萬得 , CHEN, WAN TE
- 申请人： 台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 申请人地址： 新竹市
- 专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人： 台灣積體電路製造股份有限公司,TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
- 当前专利权人地址： 新竹市
- 代理人： 洪澄文
- 优先权： 62/583,747 20171109;15/866,022 20180109
- 主分类号： H01L29/86
- IPC分类号： H01L29/86
摘要：
提供一種半導體裝置結構。半導體裝置結構包含半導體基底及在半導體基底上的第一電阻元件和第二電阻元件。半導體裝置結構亦包含電性連接至第一電阻元件的第一導電部件和電性連接至第二電阻元件的第二導電部件。半導體裝置結構更包含圍繞第一導電部件和第二導電部件的介電層。
摘要（中）：
提供一种半导体设备结构。半导体设备结构包含半导体基底及在半导体基底上的第一电阻组件和第二电阻组件。半导体设备结构亦包含电性连接至第一电阻组件的第一导电部件和电性连接至第二电阻组件的第二导电部件。半导体设备结构更包含围绕第一导电部件和第二导电部件的介电层。
摘要（英）：
A semiconductor device structure is provided. The semiconductor device structure includes a semiconductor substrate and a first resistive element and a second resistive element over the semiconductor substrate. The semiconductor device structure also includes a first conductive feature electrically connected to the first resistive element and a second conductive feature electrically connected to the second resistive element. The semiconductor device structure further includes a dielectric layer surrounding the first conductive feature and the second conductive feature.