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2. 发明专利

TWI570854B 具中空腔室之半導體封裝結構及其下基板及製程有权
简体标题：具中空腔室之半导体封装结构及其下基板及制程
公开(公告)号：TWI570854B
公开(公告)日：2017-02-11
申请号：TW104125879
申请日：2015-08-10
申请人：頎邦科技股份有限公司 , CHIPBOND TECHNOLOGY CORPORATION
发明人：施政宏 , SHIH, CHENG-HUNG , 謝永偉 , HSIEH, YUNG-WEI , 林淑真 , LIN, SHU-CHEN , 何馥言 , HO, FU-YEN , 陳彥廷 , CHEN, YEN-TING
IPC分类号： H01L23/10
CPC分类号： H01L24/83 , H01L21/50 , H01L23/10 , H01L24/13 , H01L24/14 , H01L24/16 , H01L2224/13005 , H01L2224/13014 , H01L2224/14179 , H01L2224/16245 , H01L2224/83815 , H01L2924/014 , H01L2924/1461 , H01L2924/16152 , H01L2924/16195 , H01L2924/165

5. 发明专利

TW201618627A 用於產生焊接連接之方法审中-公开
简体标题：用于产生焊接连接之方法
公开(公告)号：TW201618627A
公开(公告)日：2016-05-16
申请号：TW104128207
申请日：2015-08-27
申请人：賀利氏德國有限責任兩合公司 , HERAEUS DEUTSCHLAND GMBH & CO. KG
发明人：弗里茲雀賽巴提恩 , FRITZSCHE, SEBASTIAN , 舒茲喬金 , 托德勒喬治
IPC分类号： H05K3/34
CPC分类号： B23K35/025 , B23K35/0244 , B23K35/262 , B23K35/302 , B23K35/362 , H01L24/83 , H01L2224/29294 , H01L2224/293 , H01L2224/29347 , H01L2224/83815 , H01L2224/8384 , H05K3/3484 , H01L2924/014
摘要：本發明係關於用於將電子組件牢固地黏合連接至基板之方法，其包含a)提供具有待連接之第一表面之電子組件及具有待連接之第二表面之基板；b)將銅膏施用於該等待連接之表面中之至少一者上，且乾燥該銅膏層；c1)將焊接劑施用於銅膏之該乾燥層上且適當地配置該電子組件及該基板，使得待連接之該電子組件之該第一表面與待連接的該基板之該第二表面藉助於乾燥銅膏及焊接劑之兩層組合彼此接觸；或c2)適當地配置該電子組件及該基板，使得待連接之該電子組件之該第一表面與待連接的該基板之該第二表面藉助於該乾燥銅膏彼此接觸，且緊鄰該乾燥銅膏層施用焊接劑；及d)焊接c1)或c2)中所生產之該配置，以便產生該電子組件與該基板之間的牢固黏合連接；其中該銅膏含有(i)66-99重量%之至少一種類型之顆粒，其各自包含0至500wt-ppm之磷分率，且係選自由以下各者組成之群：銅顆粒、富銅的銅/鋅合金顆粒及富銅的銅/錫合金顆粒，(ii)0-20重量%之至少一種類型之焊料顆粒，其選自由以下各者組成之群：錫顆粒、富錫的錫/銅合金顆粒、富錫的錫/銀合金顆粒及富錫的錫/銅/銀合金顆粒，及(iii)1-20重量%媒劑，其中金屬顆粒(i)及(ii)之平均顆粒直徑15μm。
简体摘要：本发明系关于用于将电子组件牢固地黏合连接至基板之方法，其包含a)提供具有待连接之第一表面之电子组件及具有待连接之第二表面之基板；b)将铜膏施用于该等待连接之表面中之至少一者上，且干燥该铜膏层；c1)将焊接剂施用于铜膏之该干燥层上且适当地配置该电子组件及该基板，使得待连接之该电子组件之该第一表面与待连接的该基板之该第二表面借助于干燥铜膏及焊接剂之两层组合彼此接触；或c2)适当地配置该电子组件及该基板，使得待连接之该电子组件之该第一表面与待连接的该基板之该第二表面借助于该干燥铜膏彼此接触，且紧邻该干燥铜膏层施用焊接剂；及d)焊接c1)或c2)中所生产之该配置，以便产生该电子组件与该基板之间的牢固黏合连接；其中该铜膏含有(i)66-99重量%之至少一种类型之颗粒，其各自包含0至500wt-ppm之磷分率，且系选自由以下各者组成之群：铜颗粒、富铜的铜/锌合金颗粒及富铜的铜/锡合金颗粒，(ii)0-20重量%之至少一种类型之焊料颗粒，其选自由以下各者组成之群：锡颗粒、富锡的锡/铜合金颗粒、富锡的锡/银合金颗粒及富锡的锡/铜/银合金颗粒，及(iii)1-20重量%媒剂，其中金属颗粒(i)及(ii)之平均颗粒直径15μm。

8. 发明专利

TW201517230A 晶片共晶焊料結構审中-公开
简体标题：芯片共晶焊料结构
公开(公告)号：TW201517230A
公开(公告)日：2015-05-01
申请号：TW102137437
申请日：2013-10-17
申请人：隆達電子股份有限公司 , LEXTAR ELECTRONICS CORP.
发明人：陳怡君 , CHEN, YI JYUN
IPC分类号： H01L23/488
CPC分类号： H01L24/32 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/83 , H01L2224/2745 , H01L2224/276 , H01L2224/2783 , H01L2224/29005 , H01L2224/29012 , H01L2224/29013 , H01L2224/29016 , H01L2224/29023 , H01L2224/29076 , H01L2224/2908 , H01L2224/291 , H01L2224/29111 , H01L2224/29113 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/29155 , H01L2224/32054 , H01L2224/32056 , H01L2224/32113 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/32502 , H01L2224/32506 , H01L2224/83805 , H01L2224/83815 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01079 , H01L2924/01083 , H01L2924/01322 , H01L2924/12041 , H01L2924/12042 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要：本發明提供一種晶片共晶焊料結構，包括一基板及位於基板上之一焊料結構，此焊料結構包括彼此交替層積之複數第一金屬層及複數第二金屬層，其中每層第二金屬層具有一連續區域及複數開口，第二金屬層之熔點高於第一金屬層之熔點。上述晶片共晶焊料結構亦包括一晶片，其位於焊料結構上，並藉由焊料結構之共晶反應而與基板接合。
简体摘要：本发明提供一种芯片共晶焊料结构，包括一基板及位于基板上之一焊料结构，此焊料结构包括彼此交替层积之复数第一金属层及复数第二金属层，其中每层第二金属层具有一连续区域及复数开口，第二金属层之熔点高于第一金属层之熔点。上述芯片共晶焊料结构亦包括一芯片，其位于焊料结构上，并借由焊料结构之共晶反应而与基板接合。

10. 发明专利

TW201347892A 傳導性接合材料、製造該材料之方法及製造電子元件之方法审中-公开
简体标题：传导性接合材料、制造该材料之方法及制造电子组件之方法
公开(公告)号：TW201347892A
公开(公告)日：2013-12-01
申请号：TW102110855
申请日：2013-03-27
申请人：富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人：北嶋雅之 , KITAJIMA, MASAYUKI , 山上高豊 , YAMAKAMI, TAKATOYO , 久保田崇 , KUBOTA, TAKASHI , 石川邦子 , ISHIKAWA, KUNIKO
IPC分类号： B23K35/22 , H05K3/34
CPC分类号： H01L21/64 , B23K35/0244 , B23K35/025 , H01L23/3121 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/27 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/743 , H01L24/83 , H01L24/94 , H01L25/0655 , H01L25/16 , H01L25/50 , H01L2224/0382 , H01L2224/03825 , H01L2224/03828 , H01L2224/03829 , H01L2224/04026 , H01L2224/05611 , H01L2224/27003 , H01L2224/27312 , H01L2224/27318 , H01L2224/2732 , H01L2224/2744 , H01L2224/2747 , H01L2224/29211 , H01L2224/2929 , H01L2224/29311 , H01L2224/29395 , H01L2224/29411 , H01L2224/32105 , H01L2224/32227 , H01L2224/83075 , H01L2224/83192 , H01L2224/83411 , H01L2224/83424 , H01L2224/83438 , H01L2224/83444 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/83464 , H01L2224/83466 , H01L2224/83815 , H01L2224/94 , H01L2924/1203 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/1304 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/19041 , H01L2924/19043 , H01L2924/19105 , H01L2924/3512 , H01L2924/3841 , H05K3/3484 , H05K2201/0272 , H05K2201/10636 , H05K2203/047 , Y02P70/611 , Y10T428/12014 , Y10T428/12222 , H01L2924/01083 , H01L2924/01047 , H01L2924/01028 , H01L2924/0103 , H01L2924/01046 , H01L2924/01049 , H01L2924/01029 , H01L2924/00014 , H01L2924/014 , H01L2224/83 , H01L2224/83439 , H01L2924/01014 , H01L2924/00
摘要：一種傳導性接合材料包括一焊料組分，且該焊料組分包括：一第一金屬之一金屬發泡體，具有至少一孔，且當在一比該第一金屬之熔點高之溫度加熱該金屬發泡體時，該孔吸收熔化之第一金屬；及一第二金屬，具有一比該第一金屬之熔點低之熔點。
简体摘要：一种传导性接合材料包括一焊料组分，且该焊料组分包括：一第一金属之一金属发泡体，具有至少一孔，且当在一比该第一金属之熔点高之温度加热该金属发泡体时，该孔吸收熔化之第一金属；及一第二金属，具有一比该第一金属之熔点低之熔点。

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